HSektion H — ElektrotechnikSECTION H — ELECTRICITY
Hierarchische Anzeige einschalten: H01H01Grundlegende elektrische BauteileBASIC ELECTRIC ELEMENTS
Hierarchische Anzeige einschalten: H01LLink zur Definition für IPC-Symbol: H01LH01LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01Widerstände allgemein H01CMagnete, Induktoren, Umformer H01FKondensatoren allgemein H01Gelektrolytische Bauelemente H01G 9/00Batterien, Akkumulatoren H01MWellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01PLeitungsverbinder, Stromabnehmer H01RBauelemente mit stimulierter Emission H01Selektromechanische Resonatoren H03HLautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04Relektrische Lichtquellen allgemein H05Bgedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05KAnwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR (use of semiconductor devices for measuring G01resistors in general H01Cmagnets, inductors, transformers H01Fcapacitors in general H01Gelectrolytic devices H01G 9/00batteries, accumulators H01Mwaveguides, resonators, or lines of the waveguide type H01Pline connectors, current collectors H01Rstimulated-emission devices H01Selectromechanical resonators H03Hloudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04Relectric light sources in general H05Bprinted circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05Kuse of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/00H01L 21/00Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon [1, 2006.01]Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof [2, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/02H01L 21/02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 6, 2006.01]
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof [2, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/027Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/027H01L 21/027
. . Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfasst [5]
. . Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L 21/18 or H01L 21/34 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/033Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/033H01L 21/033
. . . aus anorganischen Schichten [5]
. . . comprising inorganic layers [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/04H01L 21/04
. . Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht [2]
. . the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/06H01L 21/06
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2]
. . . the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/08H01L 21/08
. . . . Vorbereitung der Grundplatte [2]
. . . . Preparation of the foundation plate [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/10H01L 21/10
. . . . Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2]
. . . . Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/103Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/103H01L 21/103
. . . . . Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2]
. . . . . Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/105Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/105H01L 21/105
. . . . . Behandlung der Oberfläche der Selen- oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2]
. . . . . Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/108Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/108H01L 21/108
. . . . . Einbau diskreter isolierender Schichten, d.h. nichtgenetischer Sperrschichten [2]
. . . . . Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/12H01L 21/12
. . . . Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selen- oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2]
. . . . Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/14H01L 21/14
. . . . Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2]
. . . . Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/145Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/145H01L 21/145
. . . . . Alterung [2]
. . . . . Ageing [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/16H01L 21/16
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Iodid [2]
. . . the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/18H01L 21/18
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7]
. . . the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials [2, 6, 7]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/20H01L 21/20
. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2]
. . . . Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/203Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/203H01L 21/203
. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2]
. . . . . using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/205Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/205H01L 21/205
. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2]
. . . . . using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/208Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/208H01L 21/208
. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2]
. . . . . using liquid deposition [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/22H01L 21/22
. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen [2]
. . . . Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions; Redistribution of impurity materials, e.g. without introduction or removal of further dopant [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/223Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/223H01L 21/223
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2]
. . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/225Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/225H01L 21/225
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2]
. . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/228Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/228H01L 21/228
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2]
. . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/24H01L 21/24
. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2]
. . . . Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/26Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/26Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/26H01L 21/26
. . . . Beschuss mit Wellen- oder Korpuskularstrahlung [2]
. . . . Bombardment with wave or particle radiation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/261Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/261H01L 21/261
. . . . . um durch Kernumwandlung transmutierte chemische Elemente zu erzeugen [6]
. . . . . to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/263Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/263H01L 21/263
. . . . . mit hochenergetischer Strahlung (H01L 21/261 hat Vorrang) [2, 6]
. . . . . with high-energy radiation (H01L 21/261 takes precedence) [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/265Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/265Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/265H01L 21/265
. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2]
. . . . . . producing ion implantation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/266Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/266H01L 21/266
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5]
. . . . . . . using masks [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/268Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/268H01L 21/268
. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2]
. . . . . . using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/28Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/28H01L 21/28
. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2]
. . . . Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/268 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/283Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/283H01L 21/283
. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2]
. . . . . Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/285Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/285H01L 21/285
. . . . . . aus der Gas- oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2]
. . . . . . from a gas or vapour, e.g. condensation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/288Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/288H01L 21/288
. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2]
. . . . . . from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/30Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/30H01L 21/30
. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2]
. . . . Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/26 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/28) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/301Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/301H01L 21/301
. . . . . zur Unterteilung eines Halbleiterkörpers in Einzelelemente (Sägen, Schneiden H01L 21/304) [6]
. . . . . to subdivide a semiconductor body into separate parts, e.g. making partitions (cutting H01L 21/304) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/302Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/302H01L 21/302
. . . . . zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden [2]
. . . . . to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/304Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/304H01L 21/304
. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden [2]
. . . . . . Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/306Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/306H01L 21/306
. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31Nachbehandlung isoliernder Schichten H01L 21/3105) [2]
. . . . . . Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/31after-treatment of insulating layers H01L 21/3105) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/3063Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/3063H01L 21/3063
. . . . . . . Elektrolytisches Ätzen [6]
. . . . . . . Electrolytic etching [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/3065Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/3065H01L 21/3065
. . . . . . . Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen [6]
. . . . . . . Plasma etching; Reactive-ion etching [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/308Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/308H01L 21/308
. . . . . . . unter Verwendung von Masken (H01L 21/3063 , H01L 21/3065 haben Vorrang) [2, 6]
. . . . . . . using masks (H01L 21/3063, H01L 21/3065, take precedence) [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/31Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/31Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/31H01L 21/31
. . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5]
. . . . . to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/3105Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/3105H01L 21/3105
. . . . . . Nachbehandlung [5]
. . . . . . After-treatment [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/311Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/311H01L 21/311
. . . . . . . Ätzen isolierender Schichten [5]
. . . . . . . Etching the insulating layers [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/3115Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/3115H01L 21/3115
. . . . . . . Dotieren isolierender Schichten [5]
. . . . . . . Doping the insulating layers [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/312Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/312H01L 21/312
. . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5]
. . . . . . Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/314Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/314H01L 21/314
. . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5]
. . . . . . Inorganic layers (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/316Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/316H01L 21/316
. . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2]
. . . . . . . composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/318Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/318H01L 21/318
. . . . . . . zusammengesetzt aus Nitriden [2]
. . . . . . . composed of nitrides [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/32Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/32H01L 21/32
. . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5]
. . . . . . using masks [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/3205Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/3205Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/3205H01L 21/3205
. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5]
. . . . . . Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers, on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/321Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/321H01L 21/321
. . . . . . . Nachbehandlung [5]
. . . . . . . After-treatment [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/3213Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/3213H01L 21/3213
. . . . . . . . Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen [6]
. . . . . . . . Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/3215Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/3215H01L 21/3215
. . . . . . . . Dotieren der Schichten [5]
. . . . . . . . Doping the layers [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/322Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/322H01L 21/322
. . . . . zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2]
. . . . . to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/324Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/324H01L 21/324
. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/322 haben Vorrang) [2]
. . . . . Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/322 take precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/326Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/326H01L 21/326
. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/324 haben Vorrang) [2]
. . . . . Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/324 take precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/328Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/328H01L 21/328
. . . . Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5]
. . . . Multistep processes for the manufacture of devices of the bipolar type, e.g. diodes, transistors, thyristors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/329Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/329H01L 21/329
. . . . . bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5]
. . . . . the devices comprising one or two electrodes, e.g. diodes [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/33Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/33H01L 21/33
. . . . . bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5]
. . . . . the devices comprising three or more electrodes [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/331Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/331H01L 21/331
. . . . . . Transistoren [5]
. . . . . . Transistors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/332Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/332H01L 21/332
. . . . . . Thyristoren [5]
. . . . . . Thyristors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/334Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/334H01L 21/334
. . . . Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5]
. . . . Multistep processes for the manufacture of devices of the unipolar type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/335Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/335H01L 21/335
. . . . . Feldeffekt-Transistoren [5]
. . . . . Field-effect transistors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/336Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/336H01L 21/336
. . . . . . mit einem isolierten Gate [5]
. . . . . . with an insulated gate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/337Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/337H01L 21/337
. . . . . . mit einem PN-Sperrschicht- Gate [5]
. . . . . . with a PN junction gate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/338Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/338H01L 21/338
. . . . . . mit einem Schottky-Gate [5]
. . . . . . with a Schottky gate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/339Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/339H01L 21/339
. . . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [5, 6]
. . . . . Charge transfer devices [5, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/34Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/34H01L 21/34
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfasst, mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2]
. . . the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L 21/06, H01L 21/16, and H01L 21/18 with or without impurities, e.g. doping materials [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/36Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/36H01L 21/36
. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2]
. . . . Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/363Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/363H01L 21/363
. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2]
. . . . . using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/365Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/365H01L 21/365
. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2]
. . . . . using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/368Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/368H01L 21/368
. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2]
. . . . . using liquid deposition [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/38Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/38H01L 21/38
. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2]
. . . . Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/383Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/383H01L 21/383
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2]
. . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/385Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/385H01L 21/385
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2]
. . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/388Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/388H01L 21/388
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2]
. . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/40Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/40H01L 21/40
. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2]
. . . . Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/42Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/42H01L 21/42
. . . . Beschuss mit Strahlung [2]
. . . . Bombardment with radiation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/423Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/423H01L 21/423
. . . . . mit hochenergetischer Strahlung [2]
. . . . . with high-energy radiation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/425Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/425Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/425H01L 21/425
. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2]
. . . . . . producing ion implantation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/426Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/426H01L 21/426
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5]
. . . . . . . using masks [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/428Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/428H01L 21/428
. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2]
. . . . . . using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/44Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/44H01L 21/44
. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2]
. . . . Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36-H01L 21/428 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/441Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/441H01L 21/441
. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2]
. . . . . Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/443Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/443H01L 21/443
. . . . . . aus der Gas- oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2]
. . . . . . from a gas or vapour, e.g. condensation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/445Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/445H01L 21/445
. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2]
. . . . . . from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/447Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/447H01L 21/447
. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2]
. . . . . involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/449Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/449H01L 21/449
. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2]
. . . . . involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/46Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/46H01L 21/46
. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2]
. . . . Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36-H01L 21/428 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/44) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/461Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/461H01L 21/461
. . . . . zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z.B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2]
. . . . . to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/463Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/463H01L 21/463
. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2]
. . . . . . Mechanical treatment, e.g. grinding, ultrasonic treatment [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/465Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/465H01L 21/465
. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2]
. . . . . . Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/469) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/467Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/467H01L 21/467
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2]
. . . . . . . using masks [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/469Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/469Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/469H01L 21/469
. . . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5]
. . . . . . to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/47Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/47H01L 21/47
. . . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5]
. . . . . . . Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/471Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/471H01L 21/471
. . . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5]
. . . . . . . Inorganic layers (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/473Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/473H01L 21/473
. . . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2]
. . . . . . . . composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/475Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/475H01L 21/475
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5]
. . . . . . . using masks [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/4757Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/4757H01L 21/4757
. . . . . . . Nachbehandlung [5]
. . . . . . . After-treatment [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/4763Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/4763H01L 21/4763
. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5]
. . . . . . Deposition of non-insulating-, e.g. conductive-, resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/477Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/477H01L 21/477
. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/475 haben Vorrang) [2]
. . . . . Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/475 take precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/479Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/479H01L 21/479
. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/477 haben Vorrang) [2]
. . . . . Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/477 take precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/48Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/48Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/48H01L 21/48
. . . Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind [2]
. . . Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L 21/06-H01L 21/326 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/50Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/50H01L 21/50
. . . Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2]
. . . Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L 21/06-H01L 21/326 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/52Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/52H01L 21/52
. . . . Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2]
. . . . Mounting semiconductor bodies in containers [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/54Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/54H01L 21/54
. . . . Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z.B. Gasfüllungen [2]
. . . . Providing fillings in containers, e.g. gas fillings [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/56Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/56H01L 21/56
. . . . Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge [2]
. . . . Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/58Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/58H01L 21/58
. . . . Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2]
. . . . Mounting semiconductor devices on supports [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/60Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/60H01L 21/60
. . . . Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2]
. . . . Attaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/603Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/603H01L 21/603
. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2]
. . . . . involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/607Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/607H01L 21/607
. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2]
. . . . . involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/62Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/62H01L 21/62
. . Bauelemente ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
. . the devices having no potential-jump barriers or surface barriers [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/64Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/64H01L 21/64
Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen davon, die nicht in einer der Gruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehenen sind [2, 2006.01]
Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not specially adapted for a single type of device provided for in groups H01L 31/00-H01L 51/00 [2, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/66Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/66Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/66H01L 21/66
Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung [2]
Testing or measuring during manufacture or treatment [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/67Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/67H01L 21/67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen [2006.01]
Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/673Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/673H01L 21/673
. . unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme [2006.01]
. . using specially adapted carriers [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/677Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/677H01L 21/677
. . zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen [2006.01]
. . for conveying, e.g. between different work stations [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/68Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/68Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/68H01L 21/68
. . zum Positionieren, Orientieren oder Justieren [2, 2006.01]
. . for positioning, orientation or alignment [2, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/683Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/683Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/683H01L 21/683
. . zum Aufnehmen oder Greifen (zum Positionieren, Orientieren oder Justieren H01L 21/68) [2006.01]
. . for supporting or gripping (for positioning, orientation or alignment H01L 21/68) [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/687Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/687H01L 21/687
. . . mit mechanischen Mitteln, z.B. Halte-, Klemm- oder Pressvorrichtungen [2006.01]
. . . using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/70Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/70H01L 21/70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2]
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof (manufacture of assemblies consisting of preformed electrical components H05K 3/00, H05K 13/00) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/71Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/71H01L 21/71
. . Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L 21/70 definierten Bauelementanordnungen (H01L 21/28 , H01L 21/44 , H01L 21/48 haben Vorrang) [6]
. . Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 take precedence) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/74Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/74H01L 21/74
. . . Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z.B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2]
. . . Making of buried regions of high impurity concentration, e.g. buried collector layers, internal connections [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/76Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/76H01L 21/76
. . . Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen [2]
. . . Making of isolation regions between components [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/761Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/761H01L 21/761
. . . . PN-Übergänge [6]
. . . . PN junctions [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/762Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/762H01L 21/762
. . . . Dielektrische Bereiche [6]
. . . . Dielectric regions [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/763Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/763H01L 21/763
. . . . Polykristalline Halbleiterbereiche [6]
. . . . Polycrystalline semiconductor regions [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/764Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/764H01L 21/764
. . . . Luftspalte [6]
. . . . Air gaps [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/765Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/765H01L 21/765
. . . . durch Feldeffekt isolierende Bereiche [6]
. . . . by field-effect [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/768Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/768H01L 21/768
. . . Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen [6]
. . . Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/77Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/77H01L 21/77
. . Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind [6]
. . Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/78Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/78H01L 21/78
. . . mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6]
. . . with subsequent division of the substrate into plural individual devices (cutting to change the surface-physical characteristics or shape of semiconductor bodies H01L 21/304) [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/782Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/782H01L 21/782
. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die aus einem einzelnen Schaltungselement bestehen (H01L 21/82 hat Vorrang) [6]
. . . . to produce devices, each consisting of a single circuit element (H01L 21/82 takes precedence) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/784Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/784H01L 21/784
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiterkörper ist [6]
. . . . . the substrate being a semiconductor body [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/786Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/786H01L 21/786
. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper, z.B. ein Isolierkörper, ist [6]
. . . . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/82Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/82H01L 21/82
. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2]
. . . . to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/822Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/822H01L 21/822
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
. . . . . the substrate being a semiconductor, using silicon technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8222Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8222H01L 21/8222
. . . . . . Bipolar-Technologie [6]
. . . . . . Bipolar technology [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8224Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8224H01L 21/8224
. . . . . . . Kombination von Vertikal- und Lateraltransistoren [6]
. . . . . . . comprising a combination of vertical and lateral transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8226Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8226H01L 21/8226
. . . . . . . MTL-Logik [Merged Transistor Logic] oder J2 L-Logik [Integrierte Injektionslogik] [6]
. . . . . . . comprising merged transistor logic or integrated injection logic [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8228Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8228H01L 21/8228
. . . . . . . Komplementäre Bauelemente, z.B. komplementäre Transistoren [6]
. . . . . . . Complementary devices, e.g. complementary transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8229Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8229H01L 21/8229
. . . . . . . Speicher-Strukturen [6]
. . . . . . . Memory structures [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8232Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8232H01L 21/8232
. . . . . . Feldeffekt-Technologie [6]
. . . . . . Field-effect technology [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8234Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8234H01L 21/8234
. . . . . . . MIS-Technologie [6]
. . . . . . . MIS technology [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8236Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8236H01L 21/8236
. . . . . . . . Kombination von Transistoren vom Anreicherungs- und Verarmungstyp [6]
. . . . . . . . Combination of enhancement and depletion transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8238Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8238H01L 21/8238
. . . . . . . . Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6]
. . . . . . . . Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8239Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8239H01L 21/8239
. . . . . . . . Speicher-Strukturen [6]
. . . . . . . . Memory structures [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8242Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8242H01L 21/8242
. . . . . . . . . Strukturen für dynamische RAM-Speicher [DRAM] [6]
. . . . . . . . . Dynamic random access memory structures (DRAM) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8244Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8244H01L 21/8244
. . . . . . . . . Strukturen für statische RAM-Speicher [SRAM] [6]
. . . . . . . . . Static random access memory structures (SRAM) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8246Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8246H01L 21/8246
. . . . . . . . . Strukturen für ROM-Speicher [6]
. . . . . . . . . Read-only memory structures (ROM) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8247Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8247H01L 21/8247
. . . . . . . . . . elektrisch programmierbare [EPROM] [6]
. . . . . . . . . . electrically-programmable (EPROM) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8248Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8248H01L 21/8248
. . . . . . Kombination von Bipolar- und Feldeffekt-Technologie [6]
. . . . . . Combination of bipolar and field-effect technology [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8249Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8249H01L 21/8249
. . . . . . . Bipolar- und MOS-Technologie [6]
. . . . . . . Bipolar and MOS technology [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8252Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8252H01L 21/8252
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und III-V-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
. . . . . the substrate being a semiconductor, using III-V technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8254Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8254H01L 21/8254
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und II-VI-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
. . . . . the substrate being a semiconductor, using II-VI technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8256Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8256H01L 21/8256
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Technologien verwendet werden, die nicht von einer der Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 oder H01L 21/8254 umfasst werden (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
. . . . . the substrate being a semiconductor, using technologies not covered by one of groups H01L 21/822, H01L 21/8252 or H01L 21/8254 (H01L 21/8258 takes precedence) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/8258Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/8258H01L 21/8258
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und eine Kombination von Technologien aus den Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 , H01L 21/8254 oder H01L 21/8256 verwendet wird [6]
. . . . . the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 or H01L 21/8256 [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/84Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/84H01L 21/84
. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht [2]
. . . . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/86Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/86H01L 21/86
. . . . . . wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z.B. eine Struktur Silicium auf Saphir, d.h. SOS [2]
. . . . . . the insulating body being sapphire, e.g. silicon on sapphire structure, i.e. SOS [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 21/98Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 21/98Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 21/98H01L 21/98
. . Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen; Zusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang) [2, 5]
. . Assembly of devices consisting of solid state components formed in or on a common substrate; Assembly of integrated circuit devices (H01L 21/50 takes precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/00H01L 23/00Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang)Details of semiconductor or other solid state devices (H01L 25/00 takes precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/02H01L 23/02
Gehäuse; Abdichtungen (H01L 23/12 , H01L 23/34 , H01L 23/48 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5]
Containers; Seals (H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 23/552 take precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/04H01L 23/04
. . gekennzeichnet durch die Form [2]
. . characterised by the shape [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/043Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/043H01L 23/043
. . . Gehäuse mit einem Hohlraum und einer leitenden Grundplatte, die als Montagesockel und als Zuleitung für den Halbleiterkörper dient [5]
. . . the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/045Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/045H01L 23/045
. . . . wobei die anderen Zuleitungen isolierte Durchführungen durch die Grundplatte aufweisen [5]
. . . . the other leads having an insulating passage through the base [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/047Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/047H01L 23/047
. . . . wobei die anderen Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5]
. . . . the other leads being parallel to the base [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/049Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/049H01L 23/049
. . . . wobei die anderen Zuleitungen senkrecht zur Grundplatte angeordnet sind [5]
. . . . the other leads being perpendicular to the base [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/051Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/051H01L 23/051
. . . . wobei eine andere Zuleitung aus einer parallel zur Grundplatte angeordneter Deckplatte besteht, z.B. Sandwich-Typ [5]
. . . . another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/053Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/053H01L 23/053
. . . Gehäuse mit einem Hohlraum und mit einer isolierenden Grundplatte als Montagesockel für den Halbleiterkörper [5]
. . . the container being a hollow construction and having an insulating base as a mounting for the semiconductor body [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/055Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/055H01L 23/055
. . . . wobei dei Zuleitungen durch die Grundplatte gehen [5]
. . . . the leads having a passage through the base [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/057Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/057H01L 23/057
. . . . wobei die Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5]
. . . . the leads being parallel to the base [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/06H01L 23/06
. . gekennzeichnet durch das Material des Gehäuses oder dessen elektrische Eigenschaften [2]
. . characterised by the material of the container or its electrical properties [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/08H01L 23/08
. . . wobei das Material ein elektrischer Isolator ist, z.B. Glas [2]
. . . the material being an electrical insulator, e.g. glass [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/10H01L 23/10
. . gekennzeichnet durch das Material oder die Anordnung der Abdichtung zwischen Teilen, z.B. zwischen den Gehäusekappen und der Grundplatte oder zwischen den Leitern und den Gehäusewänden
. . characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/12H01L 23/12
Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate [2]
Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/13Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/13H01L 23/13
. . gekennzeichnet durch die Form [5]
. . characterised by the shape [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/14H01L 23/14
. . gekennzeichnet durch das Material oder dessen elektrische Eigenschaften [2]
. . characterised by the material or its electrical properties [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/15Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/15H01L 23/15
. . . Substrate aus Keramik oder Glas [5]
. . . Ceramic or glass substrates [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/16H01L 23/16
Füllungen oder Hilfsmittel im Gehäuse, z.B. Zentrierringe (H01L 23/42 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5]
Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings (H01L 23/42, H01L 23/552 take precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/18H01L 23/18
. . Füllungen gekennzeichnet durch das Material oder dessen physikalische oder chemische Eigenschaften oder dessen Anordnung innerhalb des vollständigen Bauelements [2]
. . Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/20H01L 23/20
. . . gasförmig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2]
. . . gaseous at the normal operating temperature of the device [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/22H01L 23/22
. . . flüssig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2]
. . . liquid at the normal operating temperature of the device [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/24H01L 23/24
. . . fest oder gelartig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2]
. . . solid or gel, at the normal operating temperature of the device [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/26Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/26H01L 23/26
. . . mit Materialien, die Feuchtigkeit oder andere unerwünschte Substanzen absorbieren oder mit ihnen reagieren [2]
. . . including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/28Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/28H01L 23/28
Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge (H01L 23/552 hat Vorrang) [2, 5]
Encapsulation, e.g. encapsulating layers, coatings (H01L 23/552 takes precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/29Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/29H01L 23/29
. . gekennzeichnet durch das Material [5]
. . characterised by the material [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/31Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/31H01L 23/31
. . gekennzeichnet durch die Anordnung [5]
. . characterised by the arrangement [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/32Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 23/32Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/32H01L 23/32
Befestigungsvorrichtungen zur Halterung des vollständigen Bauelements beim Betrieb, z.B. lösbare Befestigungen (H01L 23/40 hat Vorrang) [2, 5]
Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures (H01L 23/40 takes precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/34Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/34H01L 23/34
Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [2, 5]
Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/36Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/36H01L 23/36
. . Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken [2]
. . Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heat sinks [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/367Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/367H01L 23/367
. . . wobei die Kühlung durch die Form des Bauelements bewirkt wird [5]
. . . Cooling facilitated by shape of device [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/373Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/373H01L 23/373
. . . wobei die Kühlung durch das gewählte Material des Bauelements bewirkt wird [5]
. . . Cooling facilitated by selection of materials for the device [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/38Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/38H01L 23/38
. . Kühleinrichtungen, die vom Peltier-Effekt Gebrauch machen [2]
. . Cooling arrangements using the Peltier effect [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/40Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/40H01L 23/40
. . Montage- oder Befestigungsmittel für lösbare Kühl- oder Heizeinrichtungen [2]
. . Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/42Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 23/42Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/42H01L 23/42
. . Füllungen oder Hilfsmittel in den Gehäusen, die so ausgewählt oder angeordnet sind, dass sie die Heiz- oder Kühlwirkung erhöhen [2, 5]
. . Fillings or auxiliary members in containers selected or arranged to facilitate heating or cooling [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/427Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/427H01L 23/427
. . . Kühlung durch Zustandsänderung, z.B. Verwendung von Wärmerohren [5]
. . . Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/433Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/433H01L 23/433
. . . Hilfsmittel, gekennzeichnet durch ihre Form, z.B. Kolben [5]
. . . Auxiliary members characterised by their shape, e.g. pistons [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/44Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/44H01L 23/44
. . das vollständige Bauelement ist ganz in ein Gas oder eine Flüssigkeit - außer Luft - eingetaucht (H01L 23/427 hat Vorrang) [2, 5]
. . the complete device being wholly immersed in a fluid other than air (H01L 23/427 takes precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/46Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/46H01L 23/46
. . unter Ausnützung der Wärmeübertragung durch strömende Gase oder Flüssigkeiten (H01L 23/42 , H01L 23/44 haben Vorrang) [2]
. . involving the transfer of heat by flowing fluids (H01L 23/42, H01L 23/44 take precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/467Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/467H01L 23/467
. . . durch strömende Gase, z.B. Luft [5]
. . . by flowing gases, e.g. air [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/473Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/473H01L 23/473
. . . durch strömende Flüssigkeiten [5]
. . . by flowing liquids [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/48Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 23/48Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/48H01L 23/48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse [2]
Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/482Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/482H01L 23/482
. . bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind [5]
. . consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/485Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/485H01L 23/485
. . . die schichtweise aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut sind, z.B. Planar- Kontakte [5]
. . . consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/488Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/488H01L 23/488
. . bestehend aus gelöteten oder gebondeten Anordnungen [5, 2006.01]
. . consisting of soldered or bonded constructions [5, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/49Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/49H01L 23/49
. . . drahtförmig [5]
. . . wire-like [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/492Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/492H01L 23/492
. . . Träger oder Platten [5]
. . . Bases or plates [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/495Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/495H01L 23/495
. . . Leiterrahmen [5]
. . . Lead-frames [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/498Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/498H01L 23/498
. . . Leiter auf isolierenden Substraten [5]
. . . Leads on insulating substrates [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/50Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/50H01L 23/50
. . für integrierte Schaltungsanordnungen (H01L 23/482-H01L 23/498 haben Vorrang) [2, 5]
. . for integrated circuit devices (H01L 23/482-H01L 23/498 take precedence) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/52Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/52H01L 23/52
Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen [2]
Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/522Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/522H01L 23/522
. . einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind [5]
. . including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/525Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/525H01L 23/525
. . . mit anpassbaren Verbindungsleitungen [5]
. . . with adaptable interconnections [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/528Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/528H01L 23/528
. . . Topografie der Verbindungsleitungen [5]
. . . Layout of the interconnection structure [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/532Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/532H01L 23/532
. . . gekennzeichnet durch die Materialien [5]
. . . characterised by the materials [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/535Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/535H01L 23/535
. . einschließlich interner Verbindungsleitungen, z.B. Unterkreuzungen [5]
. . including internal interconnections, e.g. cross-under constructions [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/538Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 23/538Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/538H01L 23/538
. . wobei die Verbindungsleitungen zwischen mehreren Halbleiterbauelementen auf oder in isolierenden Substraten angeordnet sind [5]
. . the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/544Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/544H01L 23/544
Markierungen auf Halbleiterbauelementen, z.B. Markierungen zu Kennzeichnungszwecken, Teststrukturen [5]
Marks applied to semiconductor devices, e.g. registration marks, test patterns [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/552Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/552H01L 23/552
Schutz gegen Strahlung, z.B. Licht [5]
Protection against radiation, e.g. light [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/556Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/556H01L 23/556
. . gegen Alpha-Strahlung [5]
. . against alpha rays [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/58Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/58H01L 23/58
Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [5]
Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/60Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 23/60Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/60H01L 23/60
. . Schutz gegen elektrostatische Auf- oder Entladung, z.B. Faraday-Käfig [5]
. . Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/62Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/62H01L 23/62
. . Schutz gegen Überstrom oder Überlastung, z.B. Sicherungen, Nebenschlüsse [5]
. . Protection against overcurrent or overload, e.g. fuses, shunts [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/64Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/64H01L 23/64
. . Impedanz-Anpassung [5]
. . Impedance arrangements [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 23/66Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 23/66H01L 23/66
. . . Hochfrequenz-Anpassung [5]
. . . High-frequency adaptations [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 25/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/00H01L 25/00Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00Baugruppen aus fotoelektrischen Zellen H01L 31/042) [2, 5]Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00assemblies of photoelectronic cells H01L 31/042) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/03Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/03H01L 25/03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Baugruppen aus Gleichrichter-Dioden [5, 2006.01]
all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L 27/00-H01L 51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes [5, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/04H01L 25/04
. . wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen [2]
. . the devices not having separate containers [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/065Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/065H01L 25/065
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 27/00 vorgesehen ist [5]
. . . the devices being of a type provided for in group H01L 27/00 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/07Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/07H01L 25/07
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5]
. . . the devices being of a type provided for in group H01L 29/00 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/075Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/075H01L 25/075
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5]
. . . the devices being of a type provided for in group H01L 33/00 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/10H01L 25/10
. . wobei die Bauelemente gesonderte Gehäuse besitzen [2]
. . the devices having separate containers [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/11Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/11H01L 25/11
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5]
. . . the devices being of a type provided for in group H01L 29/00 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/13Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/13H01L 25/13
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5]
. . . the devices being of a type provided for in group H01L 33/00 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/16H01L 25/16
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in zwei oder mehr der Hauptgruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Hybrid- Schaltkreise [2, 2006.01]
the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L 27/00-H01L 51/00, e.g. forming hybrid circuits [2, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 25/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 25/18H01L 25/18
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind [5, 2006.01]
the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L 27/00-H01L 51/00 [5, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 27/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/00H01L 27/00Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate (details thereof H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00assemblies consisting of a plurality of individual solid state devices H01L 25/00) [2, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/01Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/01H01L 27/01
nur mit passiven Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselementen, die auf einem gemeinsamen isolierenden Substrat ausgebildet sind [3]
comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate [3]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/02H01L 27/02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/04H01L 27/04
. . wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2]
. . the substrate being a semiconductor body [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/06H01L 27/06
. . . mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration [2]
. . . including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/07Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/07H01L 27/07
. . . . wobei die Schaltungselemente einen gemeinsamen aktiven Bereich haben [5]
. . . . the components having an active region in common [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/08H01L 27/08
. . . ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art [2]
. . . including only semiconductor components of a single kind [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/082Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/082H01L 27/082
. . . . ausschließlich mit bipolaren Schaltungselementen [5]
. . . . including bipolar components only [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/085Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/085H01L 27/085
. . . . ausschließlich mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5]
. . . . including field-effect components only [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/088Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/088H01L 27/088
. . . . . wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate sind [5]
. . . . . the components being field-effect transistors with insulated gate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/092Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/092H01L 27/092
. . . . . . Komplementäre MIS- Feldeffekt-Transistoren [5]
. . . . . . complementary MIS field-effect transistors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/095Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/095H01L 27/095
. . . . . wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem Schottky-Gate sind [5]
. . . . . the components being Schottky barrier gate field-effect transistors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/098Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/098H01L 27/098
. . . . . wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem PN-Sperrschicht-Gate sind [5]
. . . . . the components being PN junction gate field-effect transistors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/10H01L 27/10
. . . mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration [2]
. . . including a plurality of individual components in a repetitive configuration [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/102Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/102H01L 27/102
. . . . mit bipolaren Schaltungselementen [5]
. . . . including bipolar components [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/105Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/105H01L 27/105
. . . . mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5]
. . . . including field-effect components [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/108Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/108H01L 27/108
. . . . . Strukturen für dynamische RAM-Speicher [5]
. . . . . Dynamic random access memory structures [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/11Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/11H01L 27/11
. . . . . Strukturen für statische RAM-Speicher [5]
. . . . . Static random access memory structures [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/112Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/112H01L 27/112
. . . . . Strukturen für ROM-Speicher [5]
. . . . . Read-only memory structures [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/115Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/115H01L 27/115
. . . . . . EPROM-Speicher [5]
. . . . . . Electrically programmable read-only memories [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/118Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/118H01L 27/118
. . . . integrierte Masterslice- Schaltungen [5]
. . . . Masterslice integrated circuits [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/12H01L 27/12
. . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper [2]
. . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/13Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/13H01L 27/13
. . . kombiniert mit passiven Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselementen [3]
. . . combined with thin-film or thick-film passive components [3]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/14H01L 27/14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung (strahlungsempfindliche Schaltungselemente, die nur mit einer oder mehreren Lichtquellen baulich verbunden sind H01L 31/14Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42) [2]
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation (radiation-sensitive components structurally associated with one or more electric light sources only H01L 31/14couplings of light guides with optoelectronic elements G02B 6/42) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/142Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/142H01L 27/142
. . Bauelemente zur Energie-Umwandlung [5]
. . Energy conversion devices [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/144Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/144H01L 27/144
. . Strahlungsgesteuerte Bauelemente [5]
. . Devices controlled by radiation [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/146Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/146H01L 27/146
. . . Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten [5]
. . . Imager structures [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/148Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/148H01L 27/148
. . . . Ladungsgekoppelte Bildaufnahmeeinheiten [5]
. . . . Charge coupled imagers [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/15Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/15H01L 27/15
mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission [2]
including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/16H01L 27/16
mit thermoelektrischen Schaltungselementen mit oder ohne Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; mit thermomagnetischen Schaltungselementen (unter Ausnutzung des Peltier-Effektes nur zum Kühlen von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen H01L 23/38) [2]
including thermoelectric components with or without a junction of dissimilar materials; including thermomagnetic components (using the Peltier effect only for cooling of semiconductor or other solid state devices H01L 23/38) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/18H01L 27/18
mit Schaltungselementen, die Supraleitung zeigen [2]
including components exhibiting superconductivity [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/20H01L 27/20
mit piezoelektrischen Schaltungselementen; mit elektrostriktiven Schaltungselementen; mit magnetostriktiven Schaltungselementen [2, 7]
including piezo-electric components; including electrostrictive components; including magnetostrictive components [2, 7]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/22H01L 27/22
mit Schaltungselementen, die galvanomagnetische Effekte, z.B. den Hall-Effekt, ausnutzen; die ähnliche Magnetfeld-Effekte ausnutzen [2]
including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effect; using similar magnetic field effects [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/24H01L 27/24
mit Festkörperschaltungselementen zum Gleichrichten, Verstärken oder Schalten ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
including solid state components for rectifying, amplifying, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/26Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/26H01L 27/26
mit Schaltungselementen, die einen durch einen Volumen-Effekt bedingten negativen Widerstand zeigen [2]
including bulk negative resistance effect components [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/28Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/28H01L 27/28
mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen [2006.01]
including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/30Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/30H01L 27/30
. . mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01]
. . with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 27/32Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 27/32H01L 27/32
. . mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Flachbildschirme mit organischen LED [2006.01]
. . with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 29/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/00H01L 29/00Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 , H01L 51/05 haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6]Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof (H01L 31/00-H01L 47/00, H01L 51/05 take precedence; details other than of semiconductor bodies or of electrodes thereof H01L 23/00devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/02H01L 29/02
Halbleiterkörper [2]
Semiconductor bodies [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/04H01L 29/04
. . gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch oder besondere Orientierung von Kristallflächen (gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler H01L 29/30) [2]
. . characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes (characterized by physical imperfections H01L 29/30) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/06H01L 29/06
. . gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2]
. . characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/08H01L 29/08
. . . mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2]
. . . with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified, or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/10H01L 29/10
. . . mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2]
. . . with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified, or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/12Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 29/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/12H01L 29/12
. . gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2]
. . characterised by the materials of which they are formed [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/15Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/15H01L 29/15
. . . Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6]
. . . Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices (such structures applied for the control of light G02F 1/017, applied in semiconductor lasers H01S 5/34) [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/16H01L 29/16
. . . nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
. . . including, apart from doping materials or other impurities, only elements of the fourth group of the Periodic System in uncombined form [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/161Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/161H01L 29/161
. . . . mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2]
. . . . including two or more of the elements provided for in group H01L 29/16 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/165Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/165H01L 29/165
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
. . . . . in different semiconductor regions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/167Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/167H01L 29/167
. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
. . . . further characterised by the doping material [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/18H01L 29/18
. . . nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
. . . Selenium or tellurium only, apart from doping materials or other impurities [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/20H01L 29/20
. . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6]
. . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/201Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/201H01L 29/201
. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2]
. . . . including two or more compounds [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/205Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/205H01L 29/205
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
. . . . . in different semiconductor regions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/207Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/207H01L 29/207
. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
. . . . further characterised by the doping material [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/22H01L 29/22
. . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
. . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/221Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/221H01L 29/221
. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2]
. . . . including two or more compounds [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/225Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/225H01L 29/225
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
. . . . . in different semiconductor regions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/227Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/227H01L 29/227
. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
. . . . further characterised by the doping material [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/24H01L 29/24
. . . nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 oder H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
. . . including, apart from doping materials or other impurities, only inorganic semiconductor materials not provided for in groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 or H01L 29/22 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/26Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/26H01L 29/26
. . . nur mit Elementen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/24 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
. . . including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/267Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/267H01L 29/267
. . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
. . . . in different semiconductor regions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/30Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/30H01L 29/30
. . gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler; mit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2]
. . characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/32Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/32H01L 29/32
. . . mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2]
. . . the imperfections being within the semiconductor body [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/34Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/34H01L 29/34
. . . mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2]
. . . the imperfections being on the surface [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/36Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/36H01L 29/36
. . gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2]
. . characterised by the concentration or distribution of impurities [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/38Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/38H01L 29/38
. . gekennzeichnet durch die Kombination von Merkmalen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/04 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/30 , H01L 29/36 vorgesehen sind [2]
. . characterised by combination of features provided for in two or more of the groups H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/40Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/40H01L 29/40
Elektroden [2]
Electrodes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/41Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/41H01L 29/41
. . gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6]
. . characterised by their shape, relative sizes or dispositions [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/417Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/417H01L 29/417
. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6]
. . . carrying the current to be rectified, amplified or switched [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/423Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/423H01L 29/423
. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6]
. . . not carrying the current to be rectified, amplified or switched [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/43Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/43H01L 29/43
. . gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6]
. . characterised by the materials of which they are formed [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/45Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/45H01L 29/45
. . . Ohm'sche Elektroden [6]
. . . Ohmic electrodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/47Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/47H01L 29/47
. . . Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6]
. . . Schottky barrier electrodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/49Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/49H01L 29/49
. . . Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6]
. . . Metal-insulator semiconductor electrodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/51Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/51H01L 29/51
. . . . zugeordnete isolierende Materialien [6]
. . . . Insulating materials associated therewith [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/66Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/66H01L 29/66
Typen von Halbleiterbauelementen [2]
Types of semiconductor device [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/68Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/68H01L 29/68
. . steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2]
. . controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/70Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/70H01L 29/70
. . . Bipolare Bauelemente [2]
. . . Bipolar devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/72Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/72H01L 29/72
. . . . Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2]
. . . . Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/73Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/73H01L 29/73
. . . . . Bipolare Transistoren [5]
. . . . . Bipolar junction transistors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/732Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/732H01L 29/732
. . . . . . Vertikal-Transistoren [6]
. . . . . . Vertical transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/735Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/735H01L 29/735
. . . . . . Lateral-Transistoren [6]
. . . . . . Lateral transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/737Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/737H01L 29/737
. . . . . . Hetero-Bipolar-Transistoren [6]
. . . . . . Hetero-junction transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/739Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/739H01L 29/739
. . . . . gesteuert durch Feldeffekt [6]
. . . . . controlled by field effect [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/74Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/74H01L 29/74
. . . . Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2]
. . . . Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/744Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/744H01L 29/744
. . . . . GTO-Thyristoren [6]
. . . . . Gate-turn-off devices [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/745Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/745H01L 29/745
. . . . . . abschaltbar durch Feldeffekt [6]
. . . . . . with turn-off by field effect [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/747Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/747H01L 29/747
. . . . . Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2]
. . . . . Bidirectional devices, e.g. triacs [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/749Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/749H01L 29/749
. . . . . einschaltbar durch Feldeffekt [6]
. . . . . with turn-on by field effect [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/76Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/76H01L 29/76
. . . Unipolar-Bauelemente [2]
. . . Unipolar devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/762Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/762H01L 29/762
. . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [6]
. . . . Charge transfer devices [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/765Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/765H01L 29/765
. . . . . Ladungsgekoppelte Bauelemente [6]
. . . . . Charge-coupled devices [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/768Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/768H01L 29/768
. . . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6]
. . . . . . with field effect produced by an insulated gate [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/772Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/772H01L 29/772
. . . . Feldeffekt-Transistoren [6]
. . . . Field-effect transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/775Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/775H01L 29/775
. . . . . mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6]
. . . . . with one-dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/778Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/778H01L 29/778
. . . . . mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6]
. . . . . with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/78Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/78H01L 29/78
. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2]
. . . . . with field effect produced by an insulated gate [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/786Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/786H01L 29/786
. . . . . . Dünnfilm-Transistoren [6]
. . . . . . Thin-film transistors [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/788Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/788H01L 29/788
. . . . . . mit schwebendem Gate [5]
. . . . . . with floating gate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/792Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/792H01L 29/792
. . . . . . mit Ladungseinfang im Gate- Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5]
. . . . . . with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistor [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/80Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/80H01L 29/80
. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2]
. . . . . with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/808Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/808H01L 29/808
. . . . . . mit PN-Sperrschicht-Gate [5]
. . . . . . with a PN junction gate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/812Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/812H01L 29/812
. . . . . . mit Schottky-Gate [5]
. . . . . . with a Schottky gate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/82Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/82H01L 29/82
. . steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6]
. . controllable by variation of the magnetic field applied to the device (H01L 29/96 takes precedence) [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/84Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/84H01L 29/84
. . steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6]
. . controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure (H01L 29/96 takes precedence) [2, 6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/86Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/86H01L 29/86
. . steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2]
. . controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/8605Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/8605H01L 29/8605
. . . Widerstände mit PN-Übergang [6]
. . . Resistors with PN junction [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/861Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/861H01L 29/861
. . . Dioden [6]
. . . Diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/862Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/862H01L 29/862
. . . . Spitzendioden [6]
. . . . Point contact diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/864Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/864H01L 29/864
. . . . Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6]
. . . . Transit-time diodes, e.g. IMPATT, TRAPATT diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/866Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/866H01L 29/866
. . . . Zener-Dioden [6]
. . . . Zener diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/868Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/868H01L 29/868
. . . . PIN-Dioden [6]
. . . . PIN diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/87Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/87H01L 29/87
. . . . Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6]
. . . . Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/872Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/872H01L 29/872
. . . . Schottky-Dioden [6]
. . . . Schottky diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/88Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/88H01L 29/88
. . . . Tunnel-Dioden [2]
. . . . Tunnel-effect diodes [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/885Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/885H01L 29/885
. . . . . Esaki-Dioden [6]
. . . . . Esaki diodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/92Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/92H01L 29/92
. . . Kondensatoren mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
. . . Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/93Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/93H01L 29/93
. . . . Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2]
. . . . Variable-capacitance diodes, e.g. varactors [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/94Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/94H01L 29/94
. . . . Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2]
. . . . Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 29/96Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 29/96H01L 29/96
. . von einem Typ, der von mehr als einer der Gruppen H01L 29/68 , H01L 29/82 , H01L 29/84 oder H01L 29/86 umfasst wird [2]
. . of a type covered by more than one of groups H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 or H01L 29/86 [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 31/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/00H01L 31/00Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/42 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/42 takes precedence; devices consisting of a plurality of solid state components formed in, or on, a common substrate, other than combinations of radiation-sensitive components with one or more electric light sources, H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/02H01L 31/02
Einzelheiten [2]
Details [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0203Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0203H01L 31/0203
. . Gehäuse; Einkapselungen [5]
. . Containers; Encapsulations [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0216Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0216H01L 31/0216
. . Beschichtungen, Überzüge [5]
. . Coatings [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0224Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0224H01L 31/0224
. . Elektroden [5]
. . Electrodes [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0232Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0232H01L 31/0232
. . Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind [5]
. . Optical elements or arrangements associated with the device [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0236Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0236H01L 31/0236
. . besondere Oberflächen-Texturen [5]
. . Special surface textures [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/024Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/024H01L 31/024
. . Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [5]
. . Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0248Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0248H01L 31/0248
gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5]
characterised by their semiconductor bodies [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0256Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0256H01L 31/0256
. . gekennzeichnet durch das Material [5]
. . characterised by the material [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0264Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0264H01L 31/0264
. . . Anorganische Materialien [5]
. . . Inorganic materials [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0272Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0272H01L 31/0272
. . . . Selen oder Tellur [5]
. . . . Selenium or tellurium [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/028Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/028H01L 31/028
. . . . nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
. . . . including, apart from doping material or other impurities, only elements of the fourth group of the Periodic System [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0288Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0288H01L 31/0288
. . . . . gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5]
. . . . . characterised by the doping material [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0296Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0296H01L 31/0296
. . . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5]
. . . . including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0304Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0304H01L 31/0304
. . . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
. . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0312Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0312H01L 31/0312
. . . . nur mit AIVBIV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5]
. . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIVBIV compounds, e.g. SiC [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/032Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/032H01L 31/032
. . . . nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
. . . . including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L 31/0272-H01L 31/0312 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0328Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0328H01L 31/0328
. . . . nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
. . . . including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L 31/0272-H01L 31/032 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0336Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0336H01L 31/0336
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der sechsten Gruppe des Periodensystems ist [5]
. . . . . in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero-junctions, X being an element of the sixth group of the Periodic System [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0352Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0352H01L 31/0352
. . gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5]
. . characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/036Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/036H01L 31/036
. . gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5]
. . characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0368Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0368H01L 31/0368
. . . mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
. . . including polycrystalline semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0376Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0376H01L 31/0376
. . . mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
. . . including amorphous semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0384Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0384H01L 31/0384
. . . mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
. . . including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material (H01L 31/0392 takes precedence) [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/0392Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/0392H01L 31/0392
. . . mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5]
. . . including thin films deposited on metallic or insulating substrates [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/04H01L 31/04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind [2]
adapted as conversion devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/042Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/042H01L 31/042
. . mit einer Tafel [einem Panel] oder einer Anordnung von fotoelektrischen Zellen, z.B. Solarzellen [5]
. . including a panel or array of photoelectric cells, e.g. solar cells [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/045Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/045H01L 31/045
. . . zusammenlegbar oder faltbar [5]
. . . collapsible or foldable [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/048Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/048H01L 31/048
. . . eingekapselt oder mit einem Gehäuse [5]
. . . encapsulated or with housing [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/05Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/05H01L 31/05
. . . gekennzeichnet durch spezielle Verbindungsteile [5]
. . . characterised by special interconnection means [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/052Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/052H01L 31/052
. . . mit Mitteln zur Kühlung, Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [5]
. . . with cooling, light-reflecting or light- concentrating means [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/055Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/055H01L 31/055
. . . . wobei Licht von einem Konzentrator absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien [5]
. . . . where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the concentrator, e.g. by using luminescent material [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/058Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 31/058Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/058H01L 31/058
. . . mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, z.B. Hybridsysteme, oder einer zusätzlichen elektrischen Energiequelle [5]
. . . including means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems, or a supplementary source of electric energy [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/06H01L 31/06
. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
. . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/062Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/062H01L 31/062
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5]
. . . the potential barriers being only of the metal-insulator-semiconductor type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/065Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/065H01L 31/065
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5]
. . . the potential barriers being only of the graded gap type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/068Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/068H01L 31/068
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5]
. . . the potential barriers being only of the PN homojunction type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/07Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/07H01L 31/07
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5]
. . . the potential barriers being only of the Schottky type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/072Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/072H01L 31/072
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5]
. . . the potential barriers being only of the PN heterojunction type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/075Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/075H01L 31/075
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5]
. . . the potential barriers being only of the PIN type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/078Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/078H01L 31/078
. . . mit Sperrschichten, die in zwei oder mehr Gruppen H01L 31/062-H01L 31/075 vorgesehen sind [5]
. . . including potential barriers provided for in two or more of groups H01L 31/062-H01L 31/075 [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/08H01L 31/08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2]
in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/09Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/09H01L 31/09
. . Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5]
. . Devices sensitive to infra-red, visible or ultra- violet radiation (H01L 31/101 takes precedence) [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/10H01L 31/10
. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren [2]
. . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/101Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/101H01L 31/101
. . . Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5]
. . . Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/102Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/102H01L 31/102
. . . . gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [5]
. . . . characterised by only one potential barrier or surface barrier [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/103Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/103H01L 31/103
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5]
. . . . . the potential barrier being of the PN homojunction type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/105Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/105H01L 31/105
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5]
. . . . . the potential barrier being of the PIN type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/107Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/107H01L 31/107
. . . . . wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode [5]
. . . . . the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/108Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/108H01L 31/108
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5]
. . . . . the potential barrier being of the Schottky type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/109Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/109H01L 31/109
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5]
. . . . . the potential barrier being of the PN heterojunction type [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/11Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/11H01L 31/11
. . . . gekennzeichnet durch zwei Potenzialsprung-Sperrschichten oder Oberflächensperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistor [5]
. . . . characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/111Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/111H01L 31/111
. . . . gekennzeichnet durch wenigstens drei Sperrschichten, z.B. Fotothyristor [5]
. . . . characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristor [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/112Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/112H01L 31/112
. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5]
. . . . characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect photo- transistor [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/113Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/113H01L 31/113
. . . . . mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5]
. . . . . being of the conductor-insulator- semiconductor type, e.g. metal- insulator-semiconductor field-effect transistor [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/115Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/115H01L 31/115
. . . Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5]
. . . Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/117Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/117H01L 31/117
. . . . mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5]
. . . . of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/118Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/118H01L 31/118
. . . . mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5]
. . . . of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/119Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/119H01L 31/119
. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5]
. . . . characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/12Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 31/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/12H01L 31/12
baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5]
structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto (electroluminescent light sources per seH05B 33/00) [2, 5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/14H01L 31/14
. . mit Steuerung der Lichtquelle oder -quellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler, Bildverstärker, Bildspeicher [2]
. . the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers, image storage devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/147Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/147H01L 31/147
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
. . . the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/153Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/153H01L 31/153
. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
. . . . formed in, or on, a common substrate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/16H01L 31/16
. . mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2]
. . the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/167Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/167H01L 31/167
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
. . . the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/173Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/173H01L 31/173
. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
. . . . formed in, or on, a common substrate [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/18Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 31/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/18H01L 31/18
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2]
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 31/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/20H01L 31/20
. . Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5]
. . such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor material [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 33/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/00H01L 33/00Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/50 takes precedence; devices consisting of a plurality of semiconductor components formed in or on a common substrate and including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission H01L 27/15semiconductor lasers H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/02H01L 33/02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper [2010.01]
characterised by the semiconductor bodies [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/04H01L 33/04
. . mit Quanteneffekt- oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang [2010.01]
. . with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/06H01L 33/06
. . . innerhalb des lichtemittierenden Bereichs, z.B. Quantum-Confinement-Struktur oder Tunnelbarriere [2010.01]
. . . within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/08H01L 33/08
. . mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche  (H01L 27/15 hat Vorrang) [2010.01]
. . with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body (H01L 27/15 takes precedence) [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/10H01L 33/10
. . mit lichtreflektierender Struktur, z.B. dielektrischer Bragg-Reflektor [2010.01]
. . with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/12H01L 33/12
. . mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht [2010.01]
. . with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/14H01L 33/14
. . mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur [2010.01]
. . with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/16H01L 33/16
. . mit besonderer Kristallstruktur oder -orientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös [2010.01]
. . with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/18H01L 33/18
. . . innerhalb des lichtemittierenden Bereichs [2010.01]
. . . within the light emitting region [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/20H01L 33/20
. . mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate [2010.01]
. . with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/22H01L 33/22
. . . Aufgeraute Oberflächen, z.B. an der Grenzfläche zwischen epitaktischen Schichten [2010.01]
. . . Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/24H01L 33/24
. . . des lichtemittierenden Bereichs, z.B. nicht-planare Übergänge [2010.01]
. . . of the light emitting region, e.g. non-planar junction [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/26Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/26H01L 33/26
. . Materialien des lichtemittierenden Bereichs [2010.01]
. . Materials of the light emitting region [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/28Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/28H01L 33/28
. . . nur Elemente der Gruppen II und VI des Periodensystems enthaltend [2010.01]
. . . containing only elements of group II and group VI of the periodic system [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/30Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/30H01L 33/30
. . . nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend [2010.01]
. . . containing only elements of group III and group V of the periodic system [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/32Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/32H01L 33/32
. . . . Stickstoff enthaltend [2010.01]
. . . . containing nitrogen [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/34Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/34H01L 33/34
. . . nur Elemente der Gruppe IV des Periodensystems enthaltend [2010.01]
. . . containing only elements of group IV of the periodic system [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/36Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/36H01L 33/36
charakterisiert durch die Elektroden  [2010.01]
characterised by the electrodes [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/38Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/38H01L 33/38
. . mit besonderer Form [2010.01]
. . with a particular shape [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/40Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/40H01L 33/40
. . Materialien hierfür [2010.01]
. . Materials therefor [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/42Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/42H01L 33/42
. . . transparente Materialien [2010.01]
. . . Transparent materials [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/44Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/44H01L 33/44
charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen [2010.01]
characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/46Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/46H01L 33/46
. . Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren [2010.01]
. . Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/48Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/48H01L 33/48
charakterisiert durch das Gehäuse [2010.01]
characterised by the semiconductor body packages [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/50Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/50H01L 33/50
. . Bestandteile zur Wellenlängenkonversion [2010.01]
. . Wavelength conversion elements [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/52Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/52H01L 33/52
. . Einkapselungen [2010.01]
. . Encapsulations [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/54Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/54H01L 33/54
. . . mit besonderer Form [2010.01]
. . . having a particular shape [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/56Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/56H01L 33/56
. . . Materialien, z.B. Epoxid- oder Silikonharze [2010.01]
. . . Materials, e.g. epoxy or silicone resin [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/58Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/58H01L 33/58
. . Bestandteile zur Formung optischer Felder [2010.01]
. . Optical field-shaping elements [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/60Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/60H01L 33/60
. . . Reflektierende Bestandteile [2010.01]
. . . Reflective elements [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/62Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/62H01L 33/62
. . Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln [2010.01]
. . Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. leadframe, wire-bond or solder balls [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 33/64Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 33/64H01L 33/64
. . Bestandteile zur Wärmeableitung oder zum Kühlen [2010.01]
. . Heat extraction or cooling elements [2010.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 35/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/00H01L 35/00Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer Effekte; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/02H01L 35/02
Einzelheiten [2]
Details [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/04H01L 35/04
. . Bauliche Einzelheiten der Kontaktstelle; Anschlüsse der Zuleitungen [2]
. . Structural details of the junction; Connections of leads [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/06H01L 35/06
. . . trennbar, z.B. unter Verwendung einer Feder [2]
. . . detachable, e.g. using a spring [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/08H01L 35/08
. . . nicht trennbar, z.B. geklebt, gesintert, gelötet [2]
. . . non-detachable, e.g. cemented, sintered, soldered [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/10H01L 35/10
. . . Anschlüsse der Zuleitungen [2]
. . . Connections of leads [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/12H01L 35/12
Auswahl des Materials für die Schenkel an der Kontaktstelle [2]
Selection of the material for the legs of the junction [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/14H01L 35/14
. . unter Verwendung von anorganischen Materialien [2]
. . using inorganic compositions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/16H01L 35/16
. . . mit Tellur oder Selen oder Schwefel [2]
. . . comprising tellurium or selenium or sulfur [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/18H01L 35/18
. . . mit Arsen oder Antimon oder Bismut (H01L 35/16 hat Vorrang) [2]
. . . comprising arsenic or antimony or bismuth (H01L 35/16 takes precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/20H01L 35/20
. . . nur mit Metallen (H01L 35/16 , H01L 35/18 haben Vorrang) [2]
. . . comprising metals only (H01L 35/16, H01L 35/18 take precedence) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/22H01L 35/22
. . . mit Bor, Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff enthaltenden Verbindungen [2]
. . . comprising compounds containing boron, carbon, oxygen, or nitrogen [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/24H01L 35/24
. . unter Verwendung von organischen Verbindungen [2]
. . using organic compositions [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/26Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/26H01L 35/26
. . unter Verwendung von Materialien, die sich kontinuierlich oder diskontinuierlich innerhalb des Schenkels ändern [2]
. . using compositions changing continuously or discontinuously inside the material [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/28Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/28H01L 35/28
nur mit Peltier- oder Seebeckeffekt arbeitend [2]
operating with Peltier or Seebeck effect only [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/30Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/30H01L 35/30
. . gekennzeichnet durch die wärmeaustauschenden Mittel an der Kontaktstelle [2]
. . characterised by the heat-exchanging means at the junction [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/32Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/32H01L 35/32
. . gekennzeichnet durch den Aufbau oder die Gestaltung der Zelle oder des Thermoelements, die das Bauelement bilden [2]
. . characterised by the structure or configuration of the cell or thermo-couple forming the device [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 35/34Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 35/34Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 35/34H01L 35/34
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2]
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 37/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 37/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 37/00H01L 37/00Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; thermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-Effekts; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using Nernst-Ettinghausen effect; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 37/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 37/02H01L 37/02
unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante, z.B. Arbeiten über und unter dem Curiepunkt [2]
using thermal change of dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 37/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 37/04H01L 37/04
unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der magnetischen Permeabilität, z.B. über und unter dem Curiepunkt [2]
using thermal change of magnetic permeability, e.g. working above and below the Curie point [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/00H01L 39/00Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungen bestehen H01L 27/00Supraleiter, gekennzeichnet durch die Technik der Formgebung der keramischen Gegenstände oder die keramische Zusammensetzung C04B 35/00supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00supraleitende Spulen oder Wicklungen H01FVerstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4]Devices using superconductivity or hyperconductivity; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00superconductors characterised by the ceramic-forming technique or the ceramic composition C04B 35/00superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines H01B 12/00superconductive coils or windings H01Famplifiers using superconductivity H03F 19/00) [2, 4]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/02H01L 39/02
Einzelheiten [2]
Details [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/04H01L 39/04
. . Gehäuse; Montagesockel [2]
. . Containers; Mountings [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/06H01L 39/06
. . gekennzeichnet durch den Stromweg [2]
. . characterised by the current path [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/08H01L 39/08
. . gekennzeichnet durch die Form des Elements [2]
. . characterised by the shape of the element [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/10H01L 39/10
. . gekennzeichnet durch die Vorrichtungen zum Schalten [2]
. . characterised by the means for switching [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/12H01L 39/12
. . gekennzeichnet durch das Material [2]
. . characterised by the material [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/14H01L 39/14
Dauernd supraleitende Bauelemente [2]
Permanent superconductor devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/16H01L 39/16
Bauelemente, die zwischen supraleitenden und normalleitenden Zuständen schaltbar sind [2]
Devices switchable between superconductive and normal states [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/18H01L 39/18
. . Kryotrone [2]
. . Cryotrons [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/20H01L 39/20
. . . Hochleistungskryotrone [2]
. . . Power cryotrons [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/22H01L 39/22
Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, z.B. Josephson-Effekt-Bauelemente [2]
Devices comprising a junction of dissimilar materials, e.g. Josephson-effect devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 39/24Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 39/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 39/24H01L 39/24
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, soweit diese in H01L 39/00 vorgesehen sind, oder Teilen davon [2]
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of devices provided for in group H01L 39/00 or of parts thereof [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/00H01L 41/00Piezoelektrische Bauelemente allgemein; Elektrostriktive Bauelemente allgemein; Magnetostriktive Bauelemente allgemein; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]Piezo-electric elements in general; Electrostrictive elements in general; Magnetostrictive elements in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/02H01L 41/02
Einzelheiten [2]
Details [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/04H01L 41/04
. . von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Bauelementen [2]
. . of piezo-electric or electrostrictive elements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/047Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/047H01L 41/047
. . . Elektroden [6]
. . . Electrodes [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/053Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/053H01L 41/053
. . . Träger, Halter, Umhüllungen oder Gehäuse [6]
. . . Mounts, supports, enclosures or casings [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/06H01L 41/06
. . von magnetostriktiven Bauelementen [2]
. . of magnetostrictive elements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/08H01L 41/08
Piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2]
Piezo-electric or electrostrictive elements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/083Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/083H01L 41/083
. . stapelförmig oder mehrschichtig aufgebaut [6]
. . having a stacked or multilayer structure [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/087Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/087H01L 41/087
. . wie koaxiale Kabel gestaltet [6]
. . formed as coaxial cables [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/09Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/09H01L 41/09
. . mit elektrischer Eingangsgröße und mechanischer Ausgangsgröße [5]
. . with electrical input and mechanical output [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/107Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/107H01L 41/107
. . mit elektrischer Eingangs- und Ausgangsgröße [5]
. . with electrical input and electrical output [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/113Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/113H01L 41/113
. . mit mechanischer Eingangsgröße und elektrischer Ausgangsgröße [5]
. . with mechanical input and electrical output [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/12H01L 41/12
Magnetostriktive Bauelemente [2]
Magnetostrictive elements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/16Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/16H01L 41/16
Auswahl von Materialien [2]
Selection of materials [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/18Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/18H01L 41/18
. . für piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2]
. . for piezo-electric or electrostrictive elements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/187Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/187H01L 41/187
. . . Keramische Zusammensetzungen [5]
. . . Ceramic compositions [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/193Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/193H01L 41/193
. . . Makromolekulare Zusammensetzungen [5]
. . . Macromolecular compositions [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/20Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/20H01L 41/20
. . für magnetostriktive Bauelemente [2]
. . for magnetostrictive elements [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/22Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 41/22Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/22H01L 41/22
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2]
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these elements or of parts thereof [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/24Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/24H01L 41/24
. . von Bauelementen aus keramischen Materialien [5]
. . of elements of ceramic composition [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 41/26Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 41/26H01L 41/26
. . von Bauelementen aus makromolekularen Materialien [5]
. . of elements of macromolecular composition [5]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 43/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/00H01L 43/00Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/02H01L 43/02
Einzelheiten [2]
Details [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/04Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/04H01L 43/04
. . von Hall-Effekt-Bauelementen [2]
. . of Hall-effect devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/06Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/06H01L 43/06
Hall-Effekt-Bauelemente [2]
Hall-effect devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/08Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/08H01L 43/08
durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände [2]
Magnetic-field-controlled resistors [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/10H01L 43/10
Auswahl von Materialien [2]
Selection of materials [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/12Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 43/12Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/12H01L 43/12
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2]
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 43/14Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 43/14H01L 43/14
. . für Hall-Effekt-Bauelemente [2]
. . for Hall-effect devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 45/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 45/00H01L 45/00Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2]Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00devices using superconductivity or hyperconductivity H01L 39/00piezo-electric elements H01L 41/00bulk negative resistance effect devices H01L 47/00) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 45/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 45/02H01L 45/02
Festkörper-Wanderfeldbauelemente [2]
Solid state travelling-wave devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 47/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 47/00H01L 47/00Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z.B. Gunn-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]Bulk negative resistance effect devices, e.g. Gunn-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 47/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 47/02H01L 47/02
Gunn-Effekt-Bauelemente [2]
Gunn-effect devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 49/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 49/00H01L 49/00Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und H01L 51/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehen; Verfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]Solid state devices not provided for in groups H01L 27/00-H01L 47/00 and H01L 51/00 and not provided for in any other subclass; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof [2, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 49/02Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 49/02H01L 49/02
Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselemente [2]
Thin-film or thick-film devices [2]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/00H01L 51/00Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen bestehen H01L 27/28thermoelektrische Bauelemente mit organischem Material H01L 35/00 , H01L 37/00piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Bauelemente mit organischem Material H01L 41/00) [6, 2006.01]Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof (devices consisting of a plurality of components formed in or on a common substrate H01L 27/28thermoelectric devices using organic material H01L 35/00, H01L 37/00piezo-electric, electrostrictive or magnetostrictive elements using organic material H01L 41/00) [6, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/05Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/05H01L 51/05
besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2006.01]
specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/10Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/10H01L 51/10
. . Einzelheiten der Bauelemente [6, 2006.01]
. . Details of devices [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/30Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/30H01L 51/30
. . Materialauswahl [6, 2006.01]
. . Selection of materials [6]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/40Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/40H01L 51/40
. . Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [6, 2006.01]
. . Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof [6, 2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/42Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/42H01L 51/42
besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01]
specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/44Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/44H01L 51/44
. . Einzelheiten der Bauelemente [2006.01]
. . Details of devices [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/46Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/46H01L 51/46
. . Materialauswahl [2006.01]
. . Selection of materials [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/48Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/48H01L 51/48
. . Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01]
. . Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/50Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/50H01L 51/50
besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED) (organische Halbleiterlaser H01S 5/36) [2006.01]
specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes (OLED) or polymer light emitting devices (PLED) (organic semiconductor lasers H01S 5/36) [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/52Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/52H01L 51/52
. . Einzelheiten der Bauelemente [2006.01]
. . Details of devices [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/54Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 51/54Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/54H01L 51/54
. . Materialauswahl [2006.01]
. . Selection of materials [2006.01]
Hierarchische Anzeige einschalten: H01L 51/56Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 51/56H01L 51/56
. . Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01]
. . Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof [2006.01]