  | H01L | Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2] | SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR (use of semiconductor devices for measuring G01; resistors in general H01C; magnets, inductors, transformers H01F; capacitors in general H01G; electrolytic devices H01G 9/00; batteries, accumulators H01M; waveguides, resonators, or lines of the waveguide type H01P; line connectors, current collectors H01R; stimulated-emission devices H01S; electromechanical resonators H03H; loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R; electric light sources in general H05B; printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K; use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2] |
 | H01L 33/00 | Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01] | Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/50 takes precedence; devices consisting of a plurality of semiconductor components formed in or on a common substrate and including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission H01L 27/15; semiconductor lasers H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01] |