| H | Sektion H — Elektrotechnik | SECTION H — ELECTRICITY |
| H01 | Grundlegende elektrische Bauteile | BASIC ELECTRIC ELEMENTS |
| H01L | Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2] | SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR (use of semiconductor devices for measuring G01; resistors in general H01C; magnets, inductors, transformers H01F; capacitors in general H01G; electrolytic devices H01G 9/00; batteries, accumulators H01M; waveguides, resonators, or lines of the waveguide type H01P; line connectors, current collectors H01R; stimulated-emission devices H01S; electromechanical resonators H03H; loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R; electric light sources in general H05B; printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K; use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2] |
| H01L 27/00 | Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01] | Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate (details thereof H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00; assemblies consisting of a plurality of individual solid state devices H01L 25/00) [2, 2006.01] |
| H01L 27/02 | . | mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2] |
| . | including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier [2] |
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| H01L 27/04 | . . | wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2] |
| . . | the substrate being a semiconductor body [2] |
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| H01L 27/08 | . . . | ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art [2] |
| . . . | including only semiconductor components of a single kind [2] |
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| H01L 27/085 | . . . . | ausschließlich mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5] |
| . . . . | including field-effect components only [5] |
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| H01L 27/088 | . . . . . | wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate sind [5] |
| . . . . . | the components being field-effect transistors with insulated gate [5] |
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| H01L 27/092 | . . . . . . | Komplementäre MIS- Feldeffekt-Transistoren [5] |
| . . . . . . | complementary MIS field-effect transistors [5] |
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