HSektion H — Elektrotechnik
Anmerkung:
  1. Grundprinzipien und allgemeine Anweisung für die Benutzung der Einteilung der Sektion H.
  2. I. Die Sektion H umfasst:
    1. Grundlegende elektrische Bauteile umfasst alle elektrischen Baueinheiten und den allgemeinen mechanischen Aufbau von Geräten und Stromkreisen, einschließlich des Zusammenbaus verschiedener Grundbauteile zu gedruckten Schaltungen und umfasst auch die Herstellung dieser Grundbauteile, soweit diese nicht anderweitig vorgesehen ist;
    2. Die Erzeugung von Elektrizität umfasst die Erzeugung, Umwandlung und Verteilung von Elektrizität in Verbindung mit der Steuerung der entsprechenden Einrichtungen;
    3. Angewandte Elektrotechnik umfasst:
      1. allgemeine Anwendungen, z.B. elektrisches Heizen und Stromkreise für elektrische Beleuchtung;
      2. einige spezielle Anwendungen, entweder elektrische oder elektronische Anwendungen im eigentlichen Sinne, soweit sie nicht von anderen Sektionen der IPC umfasst sind. Sie schließen ein:
        1. elektrische Lichtquellen, auch Laser;
        2. Röntgentechnik;
        3. elektrische Plasmatechnik sowie die Erzeugung und Beschleunigung von elektrisch geladenen Teilchen oder Neutronen;
    4. Grundlegende elektronische Schaltkreise und deren Steuerung oder Regelung;
    5. Rundfunkübertragung und elektrische Nachrichtentechnik, einschließlich der elektromechanischen Umformer allgemein;
    6. Gruppen betreffend die Verwendung eines bestimmten Werkstoffes zur Herstellung eines beschriebenen Gegenstandes oder Bauteiles. In diesem Zusammenhang sollten die Abschnitte 56 bis 58 der Einführung in die Internationale Patentklassifikation beachtet werden.
  3. II. In dieser Sektion finden die folgenden allgemeinen Regeln Anwendung:
    1. Von den Ausnahmen unter I (c) abgesehen, wird jede elektrische Besonderheit oder jede für eine bestimmte, in einer der Sektionen der Internationalen Patentklassifikation außer Sektion H eingeordnete Tätigkeit, für ein Verfahren, ein Gerät, einen Gegenstand oder Artikel eigentümliche elektrische Teil stets in der Unterklasse für diese Tätigkeit, das Verfahren, das Gerät, den Gegenstand oder Artikel eingeordnet oder, wenn gemeinsame Baueinheiten gleicher Art betreffende Besonderheiten in der Klassenbezeichnung betroffen sind, werden sie in Verbindung mit der Tätigkeit, dem Verfahren, dem Gerät, Gegenstand oder Artikel in der Unterklasse eingeordnet, die eindeutig die allgemeine elektrische Anwendungen der in Frage stehenden Baueinheiten umfasst;
    2. Solche Anwendungen von elektrischen Einrichtungen allgemein oder im besonderen umfassen:
      1. therapeutische Verfahren und Geräte in A61;
      2. elektrische Verfahren und Geräte, die in verschiedenen Laboratoriums- oder industriellen Arbeitsabläufen entsprechend B01, B03 und B23K angewendet werden;
      3. elektrische Stromversorgung, elektrische Antriebe und elektrische Beleuchtung von Fahrzeugen allgemein und von Spezialfahrzeugen in der Untersektion "Transport" der Sektion B;
      4. elektrische Zündsysteme von Brennkraftmaschinen in F02P und von Verbrennungseinrichtungen allgemein in F23Q;
      5. den gesamten elektrischen Teil der Sektion G, nämlich die Messeinrichtungen einschließlich der Geräte zum Messen von elektrischen Veränderlichen, zum Prüfen, zum Signalgeben und zum Rechnen. Die Elektrizität wird in dieser Sektion allgemein als ein Hilfsmittel und nicht als Gegenstand selbst angesehen,
    3. Alle Anwendungen elektrischer Einrichtungen allgemeiner und spezieller Art gehen davon aus, dass der "grundsätzlich elektrische" Gesichtspunkt in Sektion H (siehe I (a)) behandelt wird, soweit die umfassten elektrischen "Grundbauelemente" betroffen sind. Diese Regel gilt auch für angewandte Elektrotechnik, siehe I (c), die in Sektion H selbst behandelt wird.
  4. III. In dieser Sektion treten die folgenden Sonderfälle auf:
    1. Von den allgemeinen Anwendungen, die von anderen Sektionen als der Sektion H umfasst werden, soll besonders erwähnt werden, dass elektrisches Heizen allgemein von den Unterklassen F24D oder F24H oder der Klasse F27 umfasst wird und dass elektrisches Beleuchten allgemein teilweise von der Klasse F21 umfasst wird, weil in Sektion H (siehe I (c)) Stellen in der Unterklasse H05B vorhanden sind, die dieselben technischen Gegenstände umfassen;
    2. In obigen beiden Fällen umfassen die Unterklassen der Sektion F, die die entsprechenden Gegenstände betreffen, im wesentlichen an erster Stelle sämtliche mechanischen Besonderheiten der Geräte oder Vorrichtungen, deren elektrischer Gesichtspunkt an sich von der Unterklasse H05B umfasst wird;
    3. Im Falle des Sachgebietes "Beleuchtung" soll unter einer mechanischen Besonderheit auch die materielle Anordnung der verschiedenen elektrischen Elemente, d.h. ihre geometrische oder physikalische Lage in Bezug zueinander, verstanden werden; dies wird von der Unterklasse F21V umfasst, doch ist für die Bauteile selbst und die grundsätzlichen Schaltungen die Sektion H zuständig. Das gleiche gilt für die elektrischen Lichtquellen, wenn diese mit Lichtquellen verschiedener Art kombiniert sind. Diese sind in H05B untergebracht, wogegen die räumliche Anordnung ihrer Kombinationselemente von den verschiedenen Unterklassen von F21 umfasst wird;
    4. Was das Sachgebiet "Heizen" anbelangt, sind nicht nur die elektrischen Bauteile und die Schaltpläne als solche von der Unterklasse H05B umfasst, sondern auch die elektrischen Besonderheiten ihrer Anordnung, sofern diese Fälle allgemeine Anwendung betreffen; die elektrischen Öfen sind dagegen gesondert zu betrachten. Die räumliche Zuordnung der elektrischen Bauteile in Öfen wird von der Sektion F umfasst. Bei einem Vergleich mit den Schaltungen für elektrisches Schweißen, die von der Unterklasse B23K in Verbindung mit dem Schweißen umfasst werden, zeigt sich, dass das elektrische Heizen durch die allgemeine Regel unter II nicht als umfasst angesehen werden kann.
enable hierarchy mode: H01H01Grundlegende elektrische Bauteile
Anmerkung:
  1. Verfahren, die nur ein technisches Gebiet umfassen, z.B. Trocknen, Überziehen, wofür besondere Vorkehrung getroffen ist, werden in der entsprechenden Klasse für dieses Gebiet klassifiziert.
  2. Es sind die den Titeln der Klasse B81 und der Unterklasse B81B folgenden Anmerkungen bezüglich "Mikrostrukturbauelemente" und "Mikrostruktursysteme" zu beachten. [7]
enable hierarchy mode: H01LLink to definition of IPC symbol: H01LH01LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Fördersysteme für Halbleiter-Wafer B65G 49/07Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01Einzelheiten von Geräten für rastersondenmikroskopische Methoden [scanning-probe techniques] allgemein G12B 21/00Widerstände allgemein H01CMagnete, Induktoren, Umformer H01FKondensatoren allgemein H01Gelektrolytische Bauelemente H01G 9/00Batterien, Akkumulatoren H01MWellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01PLeitungsverbinder, Stromabnehmer H01RBauelemente mit stimulierter Emission H01Selektromechanische Resonatoren H03HLautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04Relektrische Lichtquellen allgemein H05Bgedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05KVerwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
Anmerkung:
  1. Diese Unterklasse umfasst:
    • elektrische Festkörperbauelemente und Einzelheiten hiervon, soweit nicht von irgendeiner anderen Unterklasse umfasst, und schließt ein: Halbleiterbauelemente zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung; auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, die von thermoelektrischen, supraleitenden, piezoelektrischen, elektrostriktiven, magnetostriktiven oder galvanomagnetischen Effekten oder von einem durch einen Volumen-Effekt bedingten negativen Widerstand Gebrauch machen, und integrierte Schaltungsanordnungen; [2]
    • Fotowiderstände, magnetfeldabhängige Widerstände, Feldeffekt-Widerstände, Kondensatoren mit einer Potenzialsprung-Sperrschicht, Widerstände mit einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder einer Oberflächensperrschicht, inkohärentes Licht emittierende Dioden und Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungen; [2]
    • Verfahren oder Vorrichtungen, die geeignet sind für die Herstellung oder Behandlung derartiger Bauelemente, ausgenommen solche Verfahren, bei denen sich das Verfahren auf einen einzigen Verfahrensschritt bezieht, der an anderer Stelle aufgeführt ist. [2]
  2. In dieser Unterklasse werden die folgenden Begriffe oder Ausdrücke mit den angegebenen Bedeutungen verwendet:
    • "Wafer" bedeutet ein scheibenförmiges Substrat aus halbleitendem oder kristallinem Material, das durch Diffusion von Fremdstoffen (Dotierung), Ionenimplantation oder Epitaxie modifiziert sein kann, und in dessen aktiver Oberfläche eine Vielzahl von diskreten Bauelementen oder integrierten Schaltungen (IC) ausgebildet werden kann; [2006.01]
    • "Festkörper" bedeutet einen Materialkörper, in dem oder an dessen Oberfläche die für das Bauelement charakteristischen physikalischen Vorgänge stattfinden. Bei thermoelektrischen Bauelementen umfasst er alle Materialien im Stromweg. Andere in oder auf dem Bauelementkörper vorhandene und sich von ihm unterscheidende Bereiche, die den Festkörper elektrisch beeinflussen, sollen unabhängig davon, ob an ihnen ein äußerer elektrischer Anschluss angebracht ist oder nicht, als "Elektroden" angesehen werden. Eine Elektrode kann mehrere Teile umfassen, wobei der Begriff sowohl Metallbereiche, die den Festkörper durch einen Isolationsbereich hindurch beeinflussen (z.B. kapazitive Kopplung), als auch Einrichtungen am Bauelementkörper zur induktiven Kopplung einschließt. Der dielektrische Bereich einer kapazitiven Einrichtung soll als Teil der Elektrode angesehen werden. Bei Einrichtungen, die mehrere Teile umfassen, sollen nur diejenigen Teile als zur Elektrode gehörend angesehen werden, die den Festkörper infolge ihrer Gestalt, Größe oder Anordnung oder des Materials, aus dem sie bestehen, beeinflussen. Die anderen Teile sollen als "Einrichtungen, die den elektrischen Strom dem Festkörper zuführen oder von dem Festkörper abführen", d.h. als Zu- oder Ableitungen oder als "Verbindungen zwischen integrierten Schaltungselementen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat gebildet sind", d.h. als Verbindungsleitungen, angesehen werden; [2]
    • "Bauelement" bedeutet ein Schaltungselement eines elektrischen Stromkreises. Wenn ein Schaltungselement eines von einer Mehrzahl von Schaltungselementen ist, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat gebildet sind, soll es als "integriertes Schaltungselement" bezeichnet werden; [2]
    • "vollständiges Bauelement" bezieht sich auf ein Bauelement in seinem vollständig zusammengebauten Zustand, das unter Umständen eine weitere Behandlung, z.B. Elektroformierung, erfordern kann, bevor es gebrauchsfertig ist, das aber keine Hinzufügung weiterer baulicher Bestandteile erfordert; [2]
    • "Teile" schließt alle baulichen Bestandteile ein, die ein vollständiges Bauelement umfasst; [2]
    • "Gehäuse" ist eine Umhüllung, die einen Teil des vollständigen Bauelements bildet, und ist im wesentlichen ein festes Konstruktionsteil, in dem der Bauelementkörper angeordnet ist oder das einen Bauelementkörper allseitig umgibt, ohne eine ihn eng berührende Schicht zu bilden. Eine Umhüllung, die aus einer oder mehreren auf dem Bauelementkörper und in enger Berührung mit ihm gebildeten Schichten besteht, soll als "Einkapselung" bezeichnet werden; [2]
    • "integrierte Schaltung" ist ein Bauelement, bei dem alle integrierten Schaltungselemente, z.B. Dioden, Widerstände, in oder auf einem gemeinsamen Substrat aufgebaut sind und das Bauelement, einschließlich der Verbindungen zwischen den integrierten Schaltungselementen, bilden; [2]
    • "Zusammenbau" eines Bauelements ist der Aufbau des Bauelements aus seinen Konstruktionsbestandteilen und schließt eine eventuelle Gehäusefüllung ein. [2]
  3. In dieser Unterklasse soll sowohl nach den Bauelementen selbst als auch nach den Verfahren oder Geräten zu ihrer Herstellung oder Behandlung klassifiziert werden, soweit Sachverhalte in beiden Bereichen relevant sind. [6]
Sachverzeichnis der Unterklasse
Halbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente, ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, zur Schwingungserzeugung oder zum SchaltenH01L 29/00
Halbleiterbauelemente, die auf Strahlung ansprechen oder die Strahlung aussendenH01L 31/00, H01L 33/00
Festkörperbauelemente, die organische Materialien aufweisenH01L 51/00
Andere Festkörperbauelemente
Thermoelektrische oder thermomagnetische FestkörperbauelementeH01L 35/00, H01L 37/00
Supraleitende oder hyperleitende FestkörperbauelementeH01L 39/00
Piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Festkörperbauelemente allgemeinH01L 41/00
Galvanomagnetische FestkörperbauelementeH01L 43/00
Festkörperbauelemente ohne Potenzialsprung- oder Oberflächensperrschicht; Volumeneffekt-Festkörperbauelemente mit negativem Widerstand; Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehenH01L 45/00-H01L 49/00
Baugruppen aus Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
Baugruppen aus diskreten BauelementenH01L 25/00
Integrierte SchaltungsanordnungenH01L 27/00
EinzelheitenH01L 23/00
HerstellungH01L 21/00
enable hierarchy mode: H01L 21/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/00H01L 21/00Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon (Verfahren oder Geräte besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, die in den Gruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehen sind oder von deren Teilen, siehe diese Gruppen; einzelne Verfahrensstufen, die von anderen Unterklassen umfasst werden, siehe die entsprechenden Unterklassen, z.B. C23C , C30Bfotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, Materialien oder Kopiervorlagen dafür, Vorrichtungen speziell dafür ausgebildet, allgemein G03F) [1, 2006.01]
Anmerkung:
  1. Die Gruppen H01L 21/70-H01L 21/98 haben Vorrang vor den Gruppen H01L 21/02-H01L 21/67. [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/02H01L 21/02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 6, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/027Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/027H01L 21/027
. . Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfasst [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/033Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/033H01L 21/033
. . . aus anorganischen Schichten [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/04H01L 21/04
. . Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/06H01L 21/06
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/08H01L 21/08
. . . . Vorbereitung der Grundplatte [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/10H01L 21/10
. . . . Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/103Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/103H01L 21/103
. . . . . Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/105Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/105H01L 21/105
. . . . . Behandlung der Oberfläche der Selen- oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/108Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/108H01L 21/108
. . . . . Einbau diskreter isolierender Schichten, d.h. nichtgenetischer Sperrschichten [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/12H01L 21/12
. . . . Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selen- oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/14Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/14H01L 21/14
. . . . Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/145Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/145H01L 21/145
. . . . . Alterung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/16H01L 21/16
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Iodid [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/18H01L 21/18
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7]
Anmerkung:
  1. Diese Gruppe umfasst auch Verfahren und Geräte, die aufgrund ihrer zu Grunde liegenden Technologie offensichtlich für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen mit Halbleiterkörpern der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen vorgesehen sind, selbst wenn das Halbleitermaterial nicht ausdrücklich genannt ist. [7]
enable hierarchy mode: H01L 21/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/20H01L 21/20
. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/203Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/203H01L 21/203
. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/205Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/205H01L 21/205
. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/208Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/208H01L 21/208
. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/22Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/22H01L 21/22
. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/223Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/223H01L 21/223
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/225Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/225H01L 21/225
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/228Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/228H01L 21/228
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/24Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/24H01L 21/24
. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/26Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/26H01L 21/26
. . . . Beschuss mit Wellen- oder Korpuskularstrahlung (thermische Behandlung H01L 21/324) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/261Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/261H01L 21/261
. . . . . um durch Kernumwandlung transmutierte chemische Elemente zu erzeugen [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/263Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/263H01L 21/263
. . . . . mit hochenergetischer Strahlung (H01L 21/261 hat Vorrang) [2, 6]
enable hierarchy mode: H01L 21/265Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/265H01L 21/265
. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird (Ionenstrahlröhren für örtliche Behandlung H01J 37/30) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/266Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/266H01L 21/266
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/268Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/268H01L 21/268
. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/28Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/28H01L 21/28
. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/283Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/283H01L 21/283
. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/285Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/285H01L 21/285
. . . . . . aus der Gas- oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/288Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/288H01L 21/288
. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/30Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/30H01L 21/30
. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/301Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/301H01L 21/301
. . . . . zur Unterteilung eines Halbleiterkörpers in Einzelelemente (Sägen, Schneiden H01L 21/304) [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/302Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/302H01L 21/302
. . . . . zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/304Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/304H01L 21/304
. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/306Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/306H01L 21/306
. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31Nachbehandlung isoliernder Schichten H01L 21/3105) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/3063Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/3063H01L 21/3063
. . . . . . . Elektrolytisches Ätzen [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/3065Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/3065H01L 21/3065
. . . . . . . Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/308Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/308H01L 21/308
. . . . . . . unter Verwendung von Masken (H01L 21/3063 , H01L 21/3065 haben Vorrang) [2, 6]
enable hierarchy mode: H01L 21/31Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/31H01L 21/31
. . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Elektroden bildende Schichten H01L 21/28Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/3105Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/3105H01L 21/3105
. . . . . . Nachbehandlung [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/311Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/311H01L 21/311
. . . . . . . Ätzen isolierender Schichten [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/3115Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/3115H01L 21/3115
. . . . . . . Dotieren isolierender Schichten [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/312Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/312H01L 21/312
. . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/314Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/314H01L 21/314
. . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/316Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/316H01L 21/316
. . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/318Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/318H01L 21/318
. . . . . . . zusammengesetzt aus Nitriden [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/32Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/32H01L 21/32
. . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/3205Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/3205H01L 21/3205
. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten (Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des Bauelements H01L 23/52); Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/321Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/321H01L 21/321
. . . . . . . Nachbehandlung [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/3213Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/3213H01L 21/3213
. . . . . . . . Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/3215Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/3215H01L 21/3215
. . . . . . . . Dotieren der Schichten [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/322Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/322H01L 21/322
. . . . . zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/324Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/324H01L 21/324
. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/322 haben Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/326Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/326H01L 21/326
. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/324 haben Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/328Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/328H01L 21/328
. . . . Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/329Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/329H01L 21/329
. . . . . bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/33Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/33H01L 21/33
. . . . . bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/331Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/331H01L 21/331
. . . . . . Transistoren [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/332Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/332H01L 21/332
. . . . . . Thyristoren [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/334Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/334H01L 21/334
. . . . Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/335Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/335H01L 21/335
. . . . . Feldeffekt-Transistoren [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/336Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/336H01L 21/336
. . . . . . mit einem isolierten Gate [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/337Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/337H01L 21/337
. . . . . . mit einem PN-Sperrschicht- Gate [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/338Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/338H01L 21/338
. . . . . . mit einem Schottky-Gate [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/339Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/339H01L 21/339
. . . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [5, 6]
enable hierarchy mode: H01L 21/34Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/34H01L 21/34
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfasst, mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/36Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/36H01L 21/36
. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/363Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/363H01L 21/363
. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/365Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/365H01L 21/365
. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/368Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/368H01L 21/368
. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/38Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/38H01L 21/38
. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/383Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/383H01L 21/383
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/385Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/385H01L 21/385
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/388Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/388H01L 21/388
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/40Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/40H01L 21/40
. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/42Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/42H01L 21/42
. . . . Beschuss mit Strahlung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/423Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/423H01L 21/423
. . . . . mit hochenergetischer Strahlung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/425Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/425H01L 21/425
. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird (Ionenstrahlröhren für örtliche Behandlung H01J 37/30) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/426Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/426H01L 21/426
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/428Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/428H01L 21/428
. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/44Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/44H01L 21/44
. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/441Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/441H01L 21/441
. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/443Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/443H01L 21/443
. . . . . . aus der Gas- oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/445Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/445H01L 21/445
. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/447Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/447H01L 21/447
. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/449Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/449H01L 21/449
. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/46Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/46H01L 21/46
. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/461Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/461H01L 21/461
. . . . . zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z.B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/463Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/463H01L 21/463
. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/465Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/465H01L 21/465
. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/467Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/467H01L 21/467
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/469Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/469H01L 21/469
. . . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Elektroden bildende Schichten H01L 21/44Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/47Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/47H01L 21/47
. . . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/471Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/471H01L 21/471
. . . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/473Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/473H01L 21/473
. . . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/475Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/475H01L 21/475
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 21/4757Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/4757H01L 21/4757
. . . . . . . Nachbehandlung [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/4763Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/4763H01L 21/4763
. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5]
enable hierarchy mode: H01L 21/477Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/477H01L 21/477
. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/475 haben Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/479Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/479H01L 21/479
. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/477 haben Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/48Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/48H01L 21/48
. . . Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind (Gehäuse, Einkapselungen, Füllungen, Montagesockel an sich H01L 23/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/50Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/50H01L 21/50
. . . Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/52Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/52H01L 21/52
. . . . Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/54Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/54H01L 21/54
. . . . Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z.B. Gasfüllungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/56Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/56H01L 21/56
. . . . Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/58Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/58H01L 21/58
. . . . Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/60Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/60H01L 21/60
. . . . Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/603Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/603H01L 21/603
. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/607Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/607H01L 21/607
. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/62Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/62H01L 21/62
. . Bauelemente ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/64Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/64H01L 21/64
Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen davon, die nicht in einer der Gruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehenen sind [2, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/66Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/66H01L 21/66
Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung (nach der Herstellung G01R 31/26) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/67Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/67H01L 21/67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/673Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/673H01L 21/673
. . unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/677Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/677H01L 21/677
. . zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/68Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/68H01L 21/68
. . zum Positionieren, Orientieren oder Justieren (zum Transportieren H01L 21/677) [2, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/683Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/683H01L 21/683
. . zum Aufnehmen oder Greifen (zum Transportieren H01L 21/677 , zum Positionieren, Orientieren oder Justieren H01L 21/68) [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/687Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/687H01L 21/687
. . . mit mechanischen Mitteln, z.B. Halte-, Klemm- oder Pressvorrichtungen [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 21/70Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/70H01L 21/70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/71Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/71H01L 21/71
. . Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L 21/70 definierten Bauelementanordnungen (H01L 21/28 , H01L 21/44 , H01L 21/48 haben Vorrang) [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/74Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/74H01L 21/74
. . . Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z.B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/76Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/76H01L 21/76
. . . Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/761Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/761H01L 21/761
. . . . PN-Übergänge [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/762Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/762H01L 21/762
. . . . Dielektrische Bereiche [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/763Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/763H01L 21/763
. . . . Polykristalline Halbleiterbereiche [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/764Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/764H01L 21/764
. . . . Luftspalte [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/765Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/765H01L 21/765
. . . . durch Feldeffekt isolierende Bereiche [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/768Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/768H01L 21/768
. . . Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/77Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/77H01L 21/77
. . Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/78Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/78H01L 21/78
. . . mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6]
enable hierarchy mode: H01L 21/782Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/782H01L 21/782
. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die aus einem einzelnen Schaltungselement bestehen (H01L 21/82 hat Vorrang) [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/784Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/784H01L 21/784
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiterkörper ist [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/786Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/786H01L 21/786
. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper, z.B. ein Isolierkörper, ist [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/82Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/82H01L 21/82
. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/822Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/822H01L 21/822
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8222Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8222H01L 21/8222
. . . . . . Bipolar-Technologie [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8224Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8224H01L 21/8224
. . . . . . . Kombination von Vertikal- und Lateraltransistoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8226Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8226H01L 21/8226
. . . . . . . MTL-Logik [Merged Transistor Logic] oder J2 L-Logik [Integrierte Injektionslogik] [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8228Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8228H01L 21/8228
. . . . . . . Komplementäre Bauelemente, z.B. komplementäre Transistoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8229Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8229H01L 21/8229
. . . . . . . Speicher-Strukturen [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8232Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8232H01L 21/8232
. . . . . . Feldeffekt-Technologie [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8234Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8234H01L 21/8234
. . . . . . . MIS-Technologie [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8236Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8236H01L 21/8236
. . . . . . . . Kombination von Transistoren vom Anreicherungs- und Verarmungstyp [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8238Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8238H01L 21/8238
. . . . . . . . Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8239Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8239H01L 21/8239
. . . . . . . . Speicher-Strukturen [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8242Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8242H01L 21/8242
. . . . . . . . . Strukturen für dynamische RAM-Speicher [DRAM] [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8244Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8244H01L 21/8244
. . . . . . . . . Strukturen für statische RAM-Speicher [SRAM] [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8246Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8246H01L 21/8246
. . . . . . . . . Strukturen für ROM-Speicher [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8247Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8247H01L 21/8247
. . . . . . . . . . elektrisch programmierbare [EPROM] [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8248Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8248H01L 21/8248
. . . . . . Kombination von Bipolar- und Feldeffekt-Technologie [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8249Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8249H01L 21/8249
. . . . . . . Bipolar- und MOS-Technologie [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8252Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8252H01L 21/8252
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und III-V-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8254Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8254H01L 21/8254
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und II-VI-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8256Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8256H01L 21/8256
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Technologien verwendet werden, die nicht von einer der Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 oder H01L 21/8254 umfasst werden (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/8258Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8258H01L 21/8258
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und eine Kombination von Technologien aus den Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 , H01L 21/8254 oder H01L 21/8256 verwendet wird [6]
enable hierarchy mode: H01L 21/84Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/84H01L 21/84
. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/86Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/86H01L 21/86
. . . . . . wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z.B. eine Struktur Silicium auf Saphir, d.h. SOS [2]
enable hierarchy mode: H01L 21/98Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/98H01L 21/98
. . Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen; Zusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang; Zusammenbau von Baugruppen H01L 25/00) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/00H01L 23/00Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang)
Anmerkung:
  1. Diese Gruppe umfasst nicht:
    • Einzelheiten der Halbleiterkörper oder Elektroden von Bauelementen, die in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen sind, diese Einzelheiten werden von Gruppe H01L 29/00 mit umfasst;
    • charakteristische Einzelheiten von Bauelementen, die in einer der Hauptgruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, diese Einzelheiten werden von den betreffenden Gruppen mit umfasst. [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/02H01L 23/02
Gehäuse; Abdichtungen (H01L 23/12 , H01L 23/34 , H01L 23/48 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/04H01L 23/04
. . gekennzeichnet durch die Form [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/043Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/043H01L 23/043
. . . Gehäuse mit einem Hohlraum und einer leitenden Grundplatte, die als Montagesockel und als Zuleitung für den Halbleiterkörper dient [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/045Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/045H01L 23/045
. . . . wobei die anderen Zuleitungen isolierte Durchführungen durch die Grundplatte aufweisen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/047Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/047H01L 23/047
. . . . wobei die anderen Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/049Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/049H01L 23/049
. . . . wobei die anderen Zuleitungen senkrecht zur Grundplatte angeordnet sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/051Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/051H01L 23/051
. . . . wobei eine andere Zuleitung aus einer parallel zur Grundplatte angeordneter Deckplatte besteht, z.B. Sandwich-Typ [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/053Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/053H01L 23/053
. . . Gehäuse mit einem Hohlraum und mit einer isolierenden Grundplatte als Montagesockel für den Halbleiterkörper [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/055Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/055H01L 23/055
. . . . wobei dei Zuleitungen durch die Grundplatte gehen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/057Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/057H01L 23/057
. . . . wobei die Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/06H01L 23/06
. . gekennzeichnet durch das Material des Gehäuses oder dessen elektrische Eigenschaften [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/08H01L 23/08
. . . wobei das Material ein elektrischer Isolator ist, z.B. Glas [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/10H01L 23/10
. . gekennzeichnet durch das Material oder die Anordnung der Abdichtung zwischen Teilen, z.B. zwischen den Gehäusekappen und der Grundplatte oder zwischen den Leitern und den Gehäusewänden
enable hierarchy mode: H01L 23/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/12H01L 23/12
Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/13Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/13H01L 23/13
. . gekennzeichnet durch die Form [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/14Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/14H01L 23/14
. . gekennzeichnet durch das Material oder dessen elektrische Eigenschaften [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/15Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/15H01L 23/15
. . . Substrate aus Keramik oder Glas [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/16H01L 23/16
Füllungen oder Hilfsmittel im Gehäuse, z.B. Zentrierringe (H01L 23/42 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/18H01L 23/18
. . Füllungen gekennzeichnet durch das Material oder dessen physikalische oder chemische Eigenschaften oder dessen Anordnung innerhalb des vollständigen Bauelements [2]
Anmerkung:
  1. Die Gruppe H01L 23/26 hat Vorrang vor den Gruppen H01L 23/20-H01L 23/24. [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/20H01L 23/20
. . . gasförmig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/22Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/22H01L 23/22
. . . flüssig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/24Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/24H01L 23/24
. . . fest oder gelartig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/26Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/26H01L 23/26
. . . mit Materialien, die Feuchtigkeit oder andere unerwünschte Substanzen absorbieren oder mit ihnen reagieren [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/28Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/28H01L 23/28
Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge (H01L 23/552 hat Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/29Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/29H01L 23/29
. . gekennzeichnet durch das Material [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/31Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/31H01L 23/31
. . gekennzeichnet durch die Anordnung [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/32Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/32H01L 23/32
Befestigungsvorrichtungen zur Halterung des vollständigen Bauelements beim Betrieb, z.B. lösbare Befestigungen (H01L 23/40 hat Vorrang; Anschlüsse allgemein H01Rfür gedruckte Schaltungen H05K) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/34Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/34H01L 23/34
Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/36Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/36H01L 23/36
. . Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/367Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/367H01L 23/367
. . . wobei die Kühlung durch die Form des Bauelements bewirkt wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/373Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/373H01L 23/373
. . . wobei die Kühlung durch das gewählte Material des Bauelements bewirkt wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/38Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/38H01L 23/38
. . Kühleinrichtungen, die vom Peltier-Effekt Gebrauch machen [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/40Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/40H01L 23/40
. . Montage- oder Befestigungsmittel für lösbare Kühl- oder Heizeinrichtungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/42Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/42H01L 23/42
. . Füllungen oder Hilfsmittel in den Gehäusen, die so ausgewählt oder angeordnet sind, dass sie die Heiz- oder Kühlwirkung erhöhen (gekennzeichnet durch das gewählte Material des Bauelements H01L 23/373) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/427Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/427H01L 23/427
. . . Kühlung durch Zustandsänderung, z.B. Verwendung von Wärmerohren [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/433Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/433H01L 23/433
. . . Hilfsmittel, gekennzeichnet durch ihre Form, z.B. Kolben [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/44Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/44H01L 23/44
. . das vollständige Bauelement ist ganz in ein Gas oder eine Flüssigkeit - außer Luft - eingetaucht (H01L 23/427 hat Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/46Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/46H01L 23/46
. . unter Ausnützung der Wärmeübertragung durch strömende Gase oder Flüssigkeiten (H01L 23/42 , H01L 23/44 haben Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/467Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/467H01L 23/467
. . . durch strömende Gase, z.B. Luft [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/473Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/473H01L 23/473
. . . durch strömende Flüssigkeiten [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/48Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/48H01L 23/48
Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen, Anschlüsse (allgemein H01R) [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/482Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/482H01L 23/482
. . bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/485Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/485H01L 23/485
. . . die schichtweise aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut sind, z.B. Planar- Kontakte [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/488Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/488H01L 23/488
. . bestehend aus gelöteten oder gebondeten Anordnungen [5, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 23/49Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/49H01L 23/49
. . . drahtförmig [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/492Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/492H01L 23/492
. . . Träger oder Platten [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/495Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/495H01L 23/495
. . . Leiterrahmen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/498Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/498H01L 23/498
. . . Leiter auf isolierenden Substraten [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/50Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/50H01L 23/50
. . für integrierte Schaltungsanordnungen (H01L 23/482-H01L 23/498 haben Vorrang) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 23/52Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/52H01L 23/52
Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen [2]
enable hierarchy mode: H01L 23/522Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/522H01L 23/522
. . einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/525Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/525H01L 23/525
. . . mit anpassbaren Verbindungsleitungen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/528Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/528H01L 23/528
. . . Topografie der Verbindungsleitungen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/532Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/532H01L 23/532
. . . gekennzeichnet durch die Materialien [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/535Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/535H01L 23/535
. . einschließlich interner Verbindungsleitungen, z.B. Unterkreuzungen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/538Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/538H01L 23/538
. . wobei die Verbindungsleitungen zwischen mehreren Halbleiterbauelementen auf oder in isolierenden Substraten angeordnet sind (Montagesockel H01L 23/12) [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/544Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/544H01L 23/544
Markierungen auf Halbleiterbauelementen, z.B. Markierungen zu Kennzeichnungszwecken, Teststrukturen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/552Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/552H01L 23/552
Schutz gegen Strahlung, z.B. Licht [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/556Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/556H01L 23/556
. . gegen Alpha-Strahlung [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/58Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/58H01L 23/58
Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/60Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/60H01L 23/60
. . Schutz gegen elektrostatische Auf- oder Entladung, z.B. Faraday-Käfig (allgemein H05F) [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/62Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/62H01L 23/62
. . Schutz gegen Überstrom oder Überlastung, z.B. Sicherungen, Nebenschlüsse [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/64Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/64H01L 23/64
. . Impedanz-Anpassung [5]
enable hierarchy mode: H01L 23/66Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 23/66H01L 23/66
. . . Hochfrequenz-Anpassung [5]
enable hierarchy mode: H01L 25/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/00H01L 25/00Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00Baugruppen aus fotoelektrischen Zellen H01L 31/042Generatoren mit Solarzellen oder Solarzellentafeln H02N 6/00Einzelheiten von vollständigen zusammengesetzten Schaltungen, soweit diese von anderen Unterklassen umfasst sind, z.B. Einzelheiten von Fernsehempfängern, siehe die betreffende Unterklasse, z.B. H04NEinzelheiten von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 25/03Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/03H01L 25/03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Baugruppen aus Gleichrichter-Dioden [5, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 25/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/04H01L 25/04
. . wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen [2]
enable hierarchy mode: H01L 25/065Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/065H01L 25/065
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 27/00 vorgesehen ist [5]
enable hierarchy mode: H01L 25/07Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/07H01L 25/07
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5]
enable hierarchy mode: H01L 25/075Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/075H01L 25/075
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5]
enable hierarchy mode: H01L 25/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/10H01L 25/10
. . wobei die Bauelemente gesonderte Gehäuse besitzen [2]
enable hierarchy mode: H01L 25/11Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/11H01L 25/11
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5]
enable hierarchy mode: H01L 25/13Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/13H01L 25/13
. . . wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5]
enable hierarchy mode: H01L 25/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/16H01L 25/16
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in zwei oder mehr der Hauptgruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Hybrid- Schaltkreise [2, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 25/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 25/18H01L 25/18
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind [5, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 27/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/00H01L 27/00Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörper- schaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (Verfahren und Vorrichtungen, besonders angepasst für die Herstellung oder Behandlung solcher Bauelemente oder Teilen davon H01L 21/70 , H01L 31/00-H01L 51/00deren Einzelheiten H01L 23/00 , H01L 29/00-H01L 51/00Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2, 2006.01]
Anmerkung:
  1. In dieser Gruppe ist, solange ein gegenteiliger Hinweis fehlt, an der letzten geeigneten Stelle zu klassifizieren. [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/01Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/01H01L 27/01
nur mit passiven Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselementen, die auf einem gemeinsamen isolierenden Substrat ausgebildet sind [3]
enable hierarchy mode: H01L 27/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/02H01L 27/02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/04H01L 27/04
. . wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/06H01L 27/06
. . . mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/07Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/07H01L 27/07
. . . . wobei die Schaltungselemente einen gemeinsamen aktiven Bereich haben [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/08H01L 27/08
. . . ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/082Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/082H01L 27/082
. . . . ausschließlich mit bipolaren Schaltungselementen [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/085Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/085H01L 27/085
. . . . ausschließlich mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/088Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/088H01L 27/088
. . . . . wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/092Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/092H01L 27/092
. . . . . . Komplementäre MIS- Feldeffekt-Transistoren [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/095Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/095H01L 27/095
. . . . . wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem Schottky-Gate sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/098Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/098H01L 27/098
. . . . . wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem PN-Sperrschicht-Gate sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/10H01L 27/10
. . . mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/102Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/102H01L 27/102
. . . . mit bipolaren Schaltungselementen [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/105Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/105H01L 27/105
. . . . mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/108Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/108H01L 27/108
. . . . . Strukturen für dynamische RAM-Speicher [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/11Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/11H01L 27/11
. . . . . Strukturen für statische RAM-Speicher [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/112Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/112H01L 27/112
. . . . . Strukturen für ROM-Speicher [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/115Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/115H01L 27/115
. . . . . . EPROM-Speicher [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/118Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/118H01L 27/118
. . . . integrierte Masterslice- Schaltungen [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/12H01L 27/12
. . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/13Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/13H01L 27/13
. . . kombiniert mit passiven Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselementen [3]
enable hierarchy mode: H01L 27/14Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/14H01L 27/14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung (strahlungsempfindliche Schaltungselemente, die nur mit einer oder mehreren Lichtquellen baulich verbunden sind H01L 31/14Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42) [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/142Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/142H01L 27/142
. . Bauelemente zur Energie-Umwandlung [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/144Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/144H01L 27/144
. . Strahlungsgesteuerte Bauelemente [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/146Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/146H01L 27/146
. . . Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/148Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/148H01L 27/148
. . . . Ladungsgekoppelte Bildaufnahmeeinheiten [5]
enable hierarchy mode: H01L 27/15Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/15H01L 27/15
mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/16H01L 27/16
mit thermoelektrischen Schaltungselementen mit oder ohne Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; mit thermomagnetischen Schaltungselementen (unter Ausnutzung des Peltier-Effektes nur zum Kühlen von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen H01L 23/38) [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/18H01L 27/18
mit Schaltungselementen, die Supraleitung zeigen [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/20H01L 27/20
mit piezoelektrischen Schaltungselementen; mit elektrostriktiven Schaltungselementen; mit magnetostriktiven Schaltungselementen [2, 7]
enable hierarchy mode: H01L 27/22Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/22H01L 27/22
mit Schaltungselementen, die galvanomagnetische Effekte, z.B. den Hall-Effekt, ausnutzen; die ähnliche Magnetfeld-Effekte ausnutzen [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/24Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/24H01L 27/24
mit Festkörperschaltungselementen zum Gleichrichten, Verstärken oder Schalten ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/26Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/26H01L 27/26
mit Schaltungselementen, die einen durch einen Volumen-Effekt bedingten negativen Widerstand zeigen [2]
enable hierarchy mode: H01L 27/28Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/28H01L 27/28
mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 27/30Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/30H01L 27/30
. . mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 27/32Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 27/32H01L 27/32
. . mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Flachbildschirme mit organischen LED [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 29/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/00H01L 29/00Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 , H01L 51/05 haben Vorrang; Verfahren oder Vorrichtungen zur Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon H01L 21/00andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00Widerstände allgemein H01CKondensatoren allgemein H01G) [2, 6]
Anmerkung:
  1. In dieser Hauptgruppe wird in alle Gruppen der H01L 29/02, H01L 29/40 und H01L 29/66 klassifiziert, sofern alle diese Gruppen relevant sind [2, 6]
enable hierarchy mode: H01L 29/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/02H01L 29/02
Halbleiterkörper [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/04H01L 29/04
. . gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch, besondere Orientierung von Kristallflächen (Gitterfehler H01L 29/30) [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/06H01L 29/06
. . gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/08H01L 29/08
. . . mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/10H01L 29/10
. . . mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/12H01L 29/12
. . gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/15Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/15H01L 29/15
. . . Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6]
Anmerkung:
  1. Die Gruppe H01L 29/15 hat Vorrang vor den Gruppen H01L 29/16-H01L 29/26 [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/16H01L 29/16
. . . nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/161Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/161H01L 29/161
. . . . mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/165Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/165H01L 29/165
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/167Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/167H01L 29/167
. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/18H01L 29/18
. . . nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/20H01L 29/20
. . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6]
enable hierarchy mode: H01L 29/201Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/201H01L 29/201
. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/205Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/205H01L 29/205
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/207Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/207H01L 29/207
. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/22Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/22H01L 29/22
. . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/221Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/221H01L 29/221
. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/225Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/225H01L 29/225
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/227Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/227H01L 29/227
. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/24Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/24H01L 29/24
. . . nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen (nur mit organischen Materialien H01L 51/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/26Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/26H01L 29/26
. . . nur mit Elementen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/24 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/267Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/267H01L 29/267
. . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/30Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/30H01L 29/30
. . gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler; mit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/32Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/32H01L 29/32
. . . mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/34Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/34H01L 29/34
. . . mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/36Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/36H01L 29/36
. . gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/38Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/38H01L 29/38
. . gekennzeichnet durch die Kombination von Merkmalen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/04 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/30 , H01L 29/36 vorgesehen sind [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/40Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/40H01L 29/40
Elektroden [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/41Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/41H01L 29/41
. . gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/417Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/417H01L 29/417
. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/423Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/423H01L 29/423
. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/43Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/43H01L 29/43
. . gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/45Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/45H01L 29/45
. . . Ohm'sche Elektroden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/47Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/47H01L 29/47
. . . Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/49Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/49H01L 29/49
. . . Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/51Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/51H01L 29/51
. . . . zugeordnete isolierende Materialien [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/66Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/66H01L 29/66
Typen von Halbleiterbauelementen [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/68Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/68H01L 29/68
. . steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/70Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/70H01L 29/70
. . . Bipolare Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/72Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/72H01L 29/72
. . . . Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/73Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/73H01L 29/73
. . . . . Bipolare Transistoren [5]
enable hierarchy mode: H01L 29/732Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/732H01L 29/732
. . . . . . Vertikal-Transistoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/735Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/735H01L 29/735
. . . . . . Lateral-Transistoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/737Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/737H01L 29/737
. . . . . . Hetero-Bipolar-Transistoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/739Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/739H01L 29/739
. . . . . gesteuert durch Feldeffekt [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/74Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/74H01L 29/74
. . . . Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/744Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/744H01L 29/744
. . . . . GTO-Thyristoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/745Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/745H01L 29/745
. . . . . . abschaltbar durch Feldeffekt [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/747Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/747H01L 29/747
. . . . . Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/749Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/749H01L 29/749
. . . . . einschaltbar durch Feldeffekt [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/76Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/76H01L 29/76
. . . Unipolar-Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/762Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/762H01L 29/762
. . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/765Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/765H01L 29/765
. . . . . Ladungsgekoppelte Bauelemente [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/768Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/768H01L 29/768
. . . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/772Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/772H01L 29/772
. . . . Feldeffekt-Transistoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/775Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/775H01L 29/775
. . . . . mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/778Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/778H01L 29/778
. . . . . mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/78Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/78H01L 29/78
. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/786Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/786H01L 29/786
. . . . . . Dünnfilm-Transistoren [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/788Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/788H01L 29/788
. . . . . . mit schwebendem Gate [5]
enable hierarchy mode: H01L 29/792Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/792H01L 29/792
. . . . . . mit Ladungseinfang im Gate- Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5]
enable hierarchy mode: H01L 29/80Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/80H01L 29/80
. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/808Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/808H01L 29/808
. . . . . . mit PN-Sperrschicht-Gate [5]
enable hierarchy mode: H01L 29/812Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/812H01L 29/812
. . . . . . mit Schottky-Gate [5]
enable hierarchy mode: H01L 29/82Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/82H01L 29/82
. . steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6]
enable hierarchy mode: H01L 29/84Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/84H01L 29/84
. . steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6]
enable hierarchy mode: H01L 29/86Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/86H01L 29/86
. . steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/8605Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/8605H01L 29/8605
. . . Widerstände mit PN-Übergang [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/861Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/861H01L 29/861
. . . Dioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/862Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/862H01L 29/862
. . . . Spitzendioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/864Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/864H01L 29/864
. . . . Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/866Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/866H01L 29/866
. . . . Zener-Dioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/868Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/868H01L 29/868
. . . . PIN-Dioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/87Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/87H01L 29/87
. . . . Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/872Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/872H01L 29/872
. . . . Schottky-Dioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/88Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/88H01L 29/88
. . . . Tunnel-Dioden [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/885Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/885H01L 29/885
. . . . . Esaki-Dioden [6]
enable hierarchy mode: H01L 29/92Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/92H01L 29/92
. . . Kondensatoren mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/93Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/93H01L 29/93
. . . . Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/94Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/94H01L 29/94
. . . . Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2]
enable hierarchy mode: H01L 29/96Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 29/96H01L 29/96
. . von einem Typ, der von mehr als einer der Gruppen H01L 29/68 , H01L 29/82 , H01L 29/84 oder H01L 29/86 umfasst wird [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/00H01L 31/00Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/42 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00Sonnenkollektoren, soweit die Dacheindeckung betroffen ist E04D 13/18Erzeugung von Wärme unter Verwendung von Sonnenwärme F24J 2/00Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Halbleiterdetektoren G01T 1/24 , mit Widerstandsdetektoren G01T 1/26Messen von Neutronenstrahlung mit Halbleiter-Detektoren G01T 3/08Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2, 6, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 31/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/02H01L 31/02
Einzelheiten [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/0203Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0203H01L 31/0203
. . Gehäuse; Einkapselungen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0216Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0216H01L 31/0216
. . Beschichtungen, Überzüge [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0224Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0224H01L 31/0224
. . Elektroden [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0232Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0232H01L 31/0232
. . Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0236Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0236H01L 31/0236
. . besondere Oberflächen-Texturen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/024Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/024H01L 31/024
. . Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0248Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0248H01L 31/0248
gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0256Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0256H01L 31/0256
. . gekennzeichnet durch das Material [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0264Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0264H01L 31/0264
. . . Anorganische Materialien [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0272Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0272H01L 31/0272
. . . . Selen oder Tellur [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/028Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/028H01L 31/028
. . . . nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0288Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0288H01L 31/0288
. . . . . gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0296Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0296H01L 31/0296
. . . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0304Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0304H01L 31/0304
. . . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0312Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0312H01L 31/0312
. . . . nur mit AIVBIV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/032Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/032H01L 31/032
. . . . nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0328Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0328H01L 31/0328
. . . . nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0336Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0336H01L 31/0336
. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der sechsten Gruppe des Periodensystems ist [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0352Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0352H01L 31/0352
. . gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/036Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/036H01L 31/036
. . gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0368Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0368H01L 31/0368
. . . mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0376Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0376H01L 31/0376
. . . mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0384Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0384H01L 31/0384
. . . mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/0392Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/0392H01L 31/0392
. . . mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/04H01L 31/04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/042Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/042H01L 31/042
. . mit einer Tafel [einem Panel] oder einer Anordnung von fotoelektrischen Zellen, z.B. Solarzellen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/045Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/045H01L 31/045
. . . zusammenlegbar oder faltbar [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/048Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/048H01L 31/048
. . . eingekapselt oder mit einem Gehäuse [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/05Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/05H01L 31/05
. . . gekennzeichnet durch spezielle Verbindungsteile [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/052Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/052H01L 31/052
. . . mit Mitteln zur Kühlung, Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/055Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/055H01L 31/055
. . . . wobei Licht von einem Konzentrator absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/058Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/058H01L 31/058
. . . mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, z.B. Hybridsysteme, oder einer zusätzlichen elektrischen Energiequelle (Nutzung der solaren Wärmeenergie allgemein F24J 2/00) [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/06H01L 31/06
. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/062Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/062H01L 31/062
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/065Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/065H01L 31/065
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/068Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/068H01L 31/068
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/07Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/07H01L 31/07
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/072Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/072H01L 31/072
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/075Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/075H01L 31/075
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/078Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/078H01L 31/078
. . . mit Sperrschichten, die in zwei oder mehr Gruppen H01L 31/062-H01L 31/075 vorgesehen sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/08H01L 31/08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/09Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/09H01L 31/09
. . Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/10H01L 31/10
. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/101Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/101H01L 31/101
. . . Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/102Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/102H01L 31/102
. . . . gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/103Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/103H01L 31/103
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/105Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/105H01L 31/105
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/107Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/107H01L 31/107
. . . . . wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/108Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/108H01L 31/108
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/109Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/109H01L 31/109
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/11Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/11H01L 31/11
. . . . gekennzeichnet durch zwei Potenzialsprung-Sperrschichten oder Oberflächensperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistor [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/111Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/111H01L 31/111
. . . . gekennzeichnet durch wenigstens drei Sperrschichten, z.B. Fotothyristor [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/112Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/112H01L 31/112
. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/113Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/113H01L 31/113
. . . . . mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/115Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/115H01L 31/115
. . . Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/117Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/117H01L 31/117
. . . . mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/118Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/118H01L 31/118
. . . . mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/119Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/119H01L 31/119
. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/12H01L 31/12
baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission H01L 33/00Verstärker mit elektrolumineszierendem Bauelement und Fotozelle H03F 17/00elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5]
enable hierarchy mode: H01L 31/14Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/14H01L 31/14
. . mit Steuerung der Lichtquelle oder -quellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler, Bildverstärker, Bildspeicher [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/147Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/147H01L 31/147
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/153Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/153H01L 31/153
. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/16H01L 31/16
. . mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/167Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/167H01L 31/167
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/173Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/173H01L 31/173
. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
enable hierarchy mode: H01L 31/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/18H01L 31/18
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 31/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 31/20H01L 31/20
. . Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5]
enable hierarchy mode: H01L 33/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 33/00H01L 33/00Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Infrarot; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltelementen bestehen H01L 27/00Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42Halbleiterlaser H01S 5/00elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 35/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/00H01L 35/00Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer Effekte; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00Kältemaschinen mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Effekten F25B 21/00Temperaturmessung mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/02H01L 35/02
Einzelheiten [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/04H01L 35/04
. . Bauliche Einzelheiten der Kontaktstelle; Anschlüsse der Zuleitungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/06H01L 35/06
. . . trennbar, z.B. unter Verwendung einer Feder [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/08H01L 35/08
. . . nicht trennbar, z.B. geklebt, gesintert, gelötet [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/10H01L 35/10
. . . Anschlüsse der Zuleitungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/12H01L 35/12
Auswahl des Materials für die Schenkel an der Kontaktstelle [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/14Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/14H01L 35/14
. . unter Verwendung von anorganischen Materialien [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/16H01L 35/16
. . . mit Tellur oder Selen oder Schwefel [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/18H01L 35/18
. . . mit Arsen oder Antimon oder Bismut (H01L 35/16 hat Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/20H01L 35/20
. . . nur mit Metallen (H01L 35/16 , H01L 35/18 haben Vorrang) [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/22Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/22H01L 35/22
. . . mit Bor, Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff enthaltenden Verbindungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/24Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/24H01L 35/24
. . unter Verwendung von organischen Verbindungen [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/26Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/26H01L 35/26
. . unter Verwendung von Materialien, die sich kontinuierlich oder diskontinuierlich innerhalb des Schenkels ändern [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/28Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/28H01L 35/28
nur mit Peltier- oder Seebeckeffekt arbeitend [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/30Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/30H01L 35/30
. . gekennzeichnet durch die wärmeaustauschenden Mittel an der Kontaktstelle [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/32Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/32H01L 35/32
. . gekennzeichnet durch den Aufbau oder die Gestaltung der Zelle oder des Thermoelements, die das Bauelement bilden [2]
enable hierarchy mode: H01L 35/34Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 35/34H01L 35/34
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperteilen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 37/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 37/00H01L 37/00Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; thermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-Effekts; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00Temperaturmessung mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00Auswahl von Materialien für die Magnetografie, z.B. für Curiepunkt-Schreiben, G03G 5/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 37/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 37/02H01L 37/02
unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante, z.B. Arbeiten über und unter dem Curiepunkt [2]
enable hierarchy mode: H01L 37/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 37/04H01L 37/04
unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der magnetischen Permeabilität, z.B. über und unter dem Curiepunkt [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/00H01L 39/00Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungen bestehen H01L 27/00Supraleiter, gekennzeichnet durch die Technik der Formgebung der keramischen Gegenstände oder die keramische Zusammensetzung C04B 35/00supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00supraleitende Spulen oder Wicklungen H01FVerstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4]
enable hierarchy mode: H01L 39/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/02H01L 39/02
Einzelheiten [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/04H01L 39/04
. . Gehäuse; Montagesockel [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/06H01L 39/06
. . gekennzeichnet durch den Stromweg [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/08H01L 39/08
. . gekennzeichnet durch die Form des Elements [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/10H01L 39/10
. . gekennzeichnet durch die Vorrichtungen zum Schalten [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/12H01L 39/12
. . gekennzeichnet durch das Material [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/14Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/14H01L 39/14
Dauernd supraleitende Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/16H01L 39/16
Bauelemente, die zwischen supraleitenden und normalleitenden Zuständen schaltbar sind [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/18H01L 39/18
. . Kryotrone [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/20H01L 39/20
. . . Hochleistungskryotrone [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/22Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/22H01L 39/22
Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, z.B. Josephson-Effekt-Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 39/24Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 39/24H01L 39/24
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, soweit diese in H01L 39/00 vorgesehen sind, oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00); magnetische Trennung von supraleitenden Materialien von anderen Materialien, z.B. mit Hilfe des Meissner-Effekts, B03C 1/00 [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/00H01L 41/00Piezoelektrische Bauelemente allgemein; Elektrostriktive Bauelemente allgemein; Magnetostriktive Bauelemente allgemein; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
Anmerkung:
  1. Diese Gruppe umfasst nicht Ausbildungen für besondere Anwendungen, die von den zuständigen Stellen umfasst sind. [6]
  2. Folgende Stellen sind zu beachten: [6]
    • B06B Ausbildung zum Erzeugen oder Übertragen mechanischer Schwingungen [6]
    • G01 Wandler als Sensorelemente zum Messen [6]
    • G04C, G04F Wandler, ausgebildet für Uhren oder Zeitmessgeräte [6]
    • G10K Wandler zum Erzeugen oder Übertragen von Schall [6]
    • H02N Ausbildung derartiger Bauelemente in elektrischen Maschinen [6]
    • H03H 9/00 Netzwerke, die elektromechanische oder elektroakustische Bauelemente enthalten, z.B. Resonatorschaltungen [6]
    • H04R Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche Wandler. [6]
enable hierarchy mode: H01L 41/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/02H01L 41/02
Einzelheiten [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/04H01L 41/04
. . von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Bauelementen [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/047Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/047H01L 41/047
. . . Elektroden [6]
enable hierarchy mode: H01L 41/053Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/053H01L 41/053
. . . Träger, Halter, Umhüllungen oder Gehäuse [6]
enable hierarchy mode: H01L 41/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/06H01L 41/06
. . von magnetostriktiven Bauelementen [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/08H01L 41/08
Piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/083Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/083H01L 41/083
. . stapelförmig oder mehrschichtig aufgebaut [6]
enable hierarchy mode: H01L 41/087Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/087H01L 41/087
. . wie koaxiale Kabel gestaltet [6]
Anmerkung:
  1. Die Gruppen H01L 41/083 und H01L 41/087 haben Vorrang vor den Gruppen H01L 41/09-H01L 41/113. [6]
enable hierarchy mode: H01L 41/09Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/09H01L 41/09
. . mit elektrischer Eingangsgröße und mechanischer Ausgangsgröße [5]
enable hierarchy mode: H01L 41/107Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/107H01L 41/107
. . mit elektrischer Eingangs- und Ausgangsgröße [5]
enable hierarchy mode: H01L 41/113Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/113H01L 41/113
. . mit mechanischer Eingangsgröße und elektrischer Ausgangsgröße [5]
enable hierarchy mode: H01L 41/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/12H01L 41/12
Magnetostriktive Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/16Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/16H01L 41/16
Auswahl von Materialien [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/18Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/18H01L 41/18
. . für piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/187Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/187H01L 41/187
. . . Keramische Zusammensetzungen [5]
enable hierarchy mode: H01L 41/193Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/193H01L 41/193
. . . Makromolekulare Zusammensetzungen [5]
enable hierarchy mode: H01L 41/20Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/20H01L 41/20
. . für magnetostriktive Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/22Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/22H01L 41/22
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 41/24Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/24H01L 41/24
. . von Bauelementen aus keramischen Materialien [5]
enable hierarchy mode: H01L 41/26Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 41/26H01L 41/26
. . von Bauelementen aus makromolekularen Materialien [5]
enable hierarchy mode: H01L 43/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/00H01L 43/00Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00Bauelemente mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, die durch Veränderung eines Magnetfeldes steuerbar sind H01L 29/82) [2]
enable hierarchy mode: H01L 43/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/02H01L 43/02
Einzelheiten [2]
enable hierarchy mode: H01L 43/04Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/04H01L 43/04
. . von Hall-Effekt-Bauelementen [2]
enable hierarchy mode: H01L 43/06Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/06H01L 43/06
Hall-Effekt-Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 43/08Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/08H01L 43/08
durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände [2]
enable hierarchy mode: H01L 43/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/10H01L 43/10
Auswahl von Materialien [2]
enable hierarchy mode: H01L 43/12Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/12H01L 43/12
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 43/14Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 43/14H01L 43/14
. . für Hall-Effekt-Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 45/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 45/00H01L 45/00Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 45/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 45/02H01L 45/02
Festkörper-Wanderfeldbauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 47/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 47/00H01L 47/00Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z.B. Gunn-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
enable hierarchy mode: H01L 47/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 47/02H01L 47/02
Gunn-Effekt-Bauelemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 49/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 49/00H01L 49/00Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und H01L 51/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehen; Verfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperbauelementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 49/02Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 49/02H01L 49/02
Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselemente [2]
enable hierarchy mode: H01L 51/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/00H01L 51/00Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen bestehen H01L 27/28thermoelektrische Bauelemente mit organischem Material H01L 35/00 , H01L 37/00piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Bauelemente mit organischem Material H01L 41/00) [6, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/05Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/05H01L 51/05
besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/10Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/10H01L 51/10
. . Einzelheiten der Bauelemente [6, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/30Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/30H01L 51/30
. . Materialauswahl [6, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/40Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/40H01L 51/40
. . Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [6, 2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/42Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/42H01L 51/42
besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/44Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/44H01L 51/44
. . Einzelheiten der Bauelemente [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/46Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/46H01L 51/46
. . Materialauswahl [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/48Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/48H01L 51/48
. . Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/50Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/50H01L 51/50
besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED) (organische Halbleiterlaser H01S 5/36) [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/52Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/52H01L 51/52
. . Einzelheiten der Bauelemente [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/54Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/54H01L 51/54
. . Materialauswahl (organische lumineszierende Materialien C09K 11/06) [2006.01]
enable hierarchy mode: H01L 51/56Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 51/56H01L 51/56
. . Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01]