H	Sektion H — Elektrotechnik	SECTION H — ELECTRICITY
	H01	Grundlegende elektrische Bauteile	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
	H01L	Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR (use of semiconductor devices for measuring G01; resistors in general H01C; magnets, inductors, transformers H01F; capacitors in general H01G; electrolytic devices H01G 9/00; batteries, accumulators H01M; waveguides, resonators, or lines of the waveguide type H01P; line connectors, current collectors H01R; stimulated-emission devices H01S; electromechanical resonators H03H; loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R; electric light sources in general H05B; printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K; use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2]
	H01L 21/00	Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon [1, 2006.01]	Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof [2, 2006.01]
	H01L 21/02	.  Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 6, 2006.01]	.  Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof [2, 2006.01]
	H01L 21/04	. .  Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht [2]	. .  the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer [2]
	H01L 21/18	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7]	. . .  the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials [2, 6, 7]
	H01L 21/30	. . . .  Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2]	. . . .  Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/26 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/28) [2]
	H01L 21/31	. . . . .  zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5]	. . . . .  to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers [2, 5]
	H01L 21/314	. . . . . .  Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5]	. . . . . .  Inorganic layers (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2, 5]
	H01L 21/316	. . . . . . .  zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2]	. . . . . . .  composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2]