| H | Sektion H — Elektrotechnik |
| | Anmerkung:- Grundprinzipien und allgemeine Anweisung für die Benutzung der Einteilung der Sektion H.
- I. Die Sektion H umfasst:
- Grundlegende elektrische Bauteile umfasst alle elektrischen Baueinheiten und den allgemeinen mechanischen Aufbau von Geräten und Stromkreisen, einschließlich des Zusammenbaus verschiedener Grundbauteile zu gedruckten Schaltungen und umfasst auch die Herstellung dieser Grundbauteile, soweit diese nicht anderweitig vorgesehen ist;
- Die Erzeugung von Elektrizität umfasst die Erzeugung, Umwandlung und Verteilung von Elektrizität in Verbindung mit der Steuerung der entsprechenden Einrichtungen;
- Angewandte Elektrotechnik umfasst:
- allgemeine Anwendungen, z.B. elektrisches Heizen und Stromkreise für elektrische Beleuchtung;
- einige spezielle Anwendungen, entweder elektrische oder elektronische Anwendungen im eigentlichen Sinne, soweit sie nicht von anderen Sektionen der IPC umfasst sind. Sie schließen ein:
- elektrische Lichtquellen, auch Laser;
- Röntgentechnik;
- elektrische Plasmatechnik sowie die Erzeugung und Beschleunigung von elektrisch geladenen Teilchen oder Neutronen;
- Grundlegende elektronische Schaltkreise und deren Steuerung oder Regelung;
- Rundfunkübertragung und elektrische Nachrichtentechnik, einschließlich der elektromechanischen Umformer allgemein;
- Gruppen betreffend die Verwendung eines bestimmten Werkstoffes zur Herstellung eines beschriebenen Gegenstandes oder Bauteiles. In diesem Zusammenhang sollten die Abschnitte 56 bis 58 der Einführung in die Internationale Patentklassifikation beachtet werden.
- II. In dieser Sektion finden die folgenden allgemeinen Regeln Anwendung:
- Von den Ausnahmen unter I (c) abgesehen, wird jede elektrische Besonderheit oder jede für eine bestimmte, in einer der Sektionen der Internationalen Patentklassifikation außer Sektion H eingeordnete Tätigkeit, für ein Verfahren, ein Gerät, einen Gegenstand oder Artikel eigentümliche elektrische Teil stets in der Unterklasse für diese Tätigkeit, das Verfahren, das Gerät, den Gegenstand oder Artikel eingeordnet oder, wenn gemeinsame Baueinheiten gleicher Art betreffende Besonderheiten in der Klassenbezeichnung betroffen sind, werden sie in Verbindung mit der Tätigkeit, dem Verfahren, dem Gerät, Gegenstand oder Artikel in der Unterklasse eingeordnet, die eindeutig die allgemeine elektrische Anwendungen der in Frage stehenden Baueinheiten umfasst;
- Solche Anwendungen von elektrischen Einrichtungen allgemein oder im besonderen umfassen:
- therapeutische Verfahren und Geräte in A61;
- elektrische Verfahren und Geräte, die in verschiedenen Laboratoriums- oder industriellen Arbeitsabläufen entsprechend B01, B03 und B23K angewendet werden;
- elektrische Stromversorgung, elektrische Antriebe und elektrische Beleuchtung von Fahrzeugen allgemein und von Spezialfahrzeugen in der Untersektion "Transport" der Sektion B;
- elektrische Zündsysteme von Brennkraftmaschinen in F02P und von Verbrennungseinrichtungen allgemein in F23Q;
- den gesamten elektrischen Teil der Sektion G, nämlich die Messeinrichtungen einschließlich der Geräte zum Messen von elektrischen Veränderlichen, zum Prüfen, zum Signalgeben und zum Rechnen. Die Elektrizität wird in dieser Sektion allgemein als ein Hilfsmittel und nicht als Gegenstand selbst angesehen,
- Alle Anwendungen elektrischer Einrichtungen allgemeiner und spezieller Art gehen davon aus, dass der "grundsätzlich elektrische" Gesichtspunkt in Sektion H (siehe I (a)) behandelt wird, soweit die umfassten elektrischen "Grundbauelemente" betroffen sind. Diese Regel gilt auch für angewandte Elektrotechnik, siehe I (c), die in Sektion H selbst behandelt wird.
- III. In dieser Sektion treten die folgenden Sonderfälle auf:
- Von den allgemeinen Anwendungen, die von anderen Sektionen als der Sektion H umfasst werden, soll besonders erwähnt werden, dass elektrisches Heizen allgemein von den Unterklassen F24D oder F24H oder der Klasse F27 umfasst wird und dass elektrisches Beleuchten allgemein teilweise von der Klasse F21 umfasst wird, weil in Sektion H (siehe I (c)) Stellen in der Unterklasse H05B vorhanden sind, die dieselben technischen Gegenstände umfassen;
- In obigen beiden Fällen umfassen die Unterklassen der Sektion F, die die entsprechenden Gegenstände betreffen, im wesentlichen an erster Stelle sämtliche mechanischen Besonderheiten der Geräte oder Vorrichtungen, deren elektrischer Gesichtspunkt an sich von der Unterklasse H05B umfasst wird;
- Im Falle des Sachgebietes "Beleuchtung" soll unter einer mechanischen Besonderheit auch die materielle Anordnung der verschiedenen elektrischen Elemente, d.h. ihre geometrische oder physikalische Lage in Bezug zueinander, verstanden werden; dies wird von der Unterklasse F21V umfasst, doch ist für die Bauteile selbst und die grundsätzlichen Schaltungen die Sektion H zuständig. Das gleiche gilt für die elektrischen Lichtquellen, wenn diese mit Lichtquellen verschiedener Art kombiniert sind. Diese sind in H05B untergebracht, wogegen die räumliche Anordnung ihrer Kombinationselemente von den verschiedenen Unterklassen von F21 umfasst wird;
- Was das Sachgebiet "Heizen" anbelangt, sind nicht nur die elektrischen Bauteile und die Schaltpläne als solche von der Unterklasse H05B umfasst, sondern auch die elektrischen Besonderheiten ihrer Anordnung, sofern diese Fälle allgemeine Anwendung betreffen; die elektrischen Öfen sind dagegen gesondert zu betrachten. Die räumliche Zuordnung der elektrischen Bauteile in Öfen wird von der Sektion F umfasst. Bei einem Vergleich mit den Schaltungen für elektrisches Schweißen, die von der Unterklasse B23K in Verbindung mit dem Schweißen umfasst werden, zeigt sich, dass das elektrische Heizen durch die allgemeine Regel unter II nicht als umfasst angesehen werden kann.
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 | H01 | Grundlegende elektrische Bauteile |
| | Anmerkung:- Verfahren, die nur ein technisches Gebiet umfassen, z.B. Trocknen, Überziehen, wofür besondere Vorkehrung getroffen ist, werden in der entsprechenden Klasse für dieses Gebiet klassifiziert.
- Es sind die den Titeln der Klasse B81 und der Unterklasse B81B folgenden Anmerkungen bezüglich "Mikrostrukturbauelemente" und "Mikrostruktursysteme" zu beachten. [7]
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 | H01L | Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Fördersysteme für Halbleiter-Wafer B65G 49/07; Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Einzelheiten von Geräten für rastersondenmikroskopische Methoden [scanning-probe techniques] allgemein G12B 21/00; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Verwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2] |
| | Anmerkung:- Diese Unterklasse umfasst:
- elektrische Festkörperbauelemente und Einzelheiten hiervon, soweit nicht von irgendeiner anderen Unterklasse umfasst, und schließt ein: Halbleiterbauelemente zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung; auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, die von thermoelektrischen, supraleitenden, piezoelektrischen, elektrostriktiven, magnetostriktiven oder galvanomagnetischen Effekten oder von einem durch einen Volumen-Effekt bedingten negativen Widerstand Gebrauch machen, und integrierte Schaltungsanordnungen; [2]
- Fotowiderstände, magnetfeldabhängige Widerstände, Feldeffekt-Widerstände, Kondensatoren mit einer Potenzialsprung-Sperrschicht, Widerstände mit einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder einer Oberflächensperrschicht, inkohärentes Licht emittierende Dioden und Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungen; [2]
- Verfahren oder Vorrichtungen, die geeignet sind für die Herstellung oder Behandlung derartiger Bauelemente, ausgenommen solche Verfahren, bei denen sich das Verfahren auf einen einzigen Verfahrensschritt bezieht, der an anderer Stelle aufgeführt ist. [2]
- In dieser Unterklasse werden die folgenden Begriffe oder Ausdrücke mit den angegebenen Bedeutungen verwendet:
- "Wafer" bedeutet ein scheibenförmiges Substrat aus halbleitendem oder kristallinem Material, das durch Diffusion von Fremdstoffen (Dotierung), Ionenimplantation oder Epitaxie modifiziert sein kann, und in dessen aktiver Oberfläche eine Vielzahl von diskreten Bauelementen oder integrierten Schaltungen (IC) ausgebildet werden kann; [2006.01]
- "Festkörper" bedeutet einen Materialkörper, in dem oder an dessen Oberfläche die für das Bauelement charakteristischen physikalischen Vorgänge stattfinden. Bei thermoelektrischen Bauelementen umfasst er alle Materialien im Stromweg. Andere in oder auf dem Bauelementkörper vorhandene und sich von ihm unterscheidende Bereiche, die den Festkörper elektrisch beeinflussen, sollen unabhängig davon, ob an ihnen ein äußerer elektrischer Anschluss angebracht ist oder nicht, als "Elektroden" angesehen werden. Eine Elektrode kann mehrere Teile umfassen, wobei der Begriff sowohl Metallbereiche, die den Festkörper durch einen Isolationsbereich hindurch beeinflussen (z.B. kapazitive Kopplung), als auch Einrichtungen am Bauelementkörper zur induktiven Kopplung einschließt. Der dielektrische Bereich einer kapazitiven Einrichtung soll als Teil der Elektrode angesehen werden. Bei Einrichtungen, die mehrere Teile umfassen, sollen nur diejenigen Teile als zur Elektrode gehörend angesehen werden, die den Festkörper infolge ihrer Gestalt, Größe oder Anordnung oder des Materials, aus dem sie bestehen, beeinflussen. Die anderen Teile sollen als "Einrichtungen, die den elektrischen Strom dem Festkörper zuführen oder von dem Festkörper abführen", d.h. als Zu- oder Ableitungen oder als "Verbindungen zwischen integrierten Schaltungselementen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat gebildet sind", d.h. als Verbindungsleitungen, angesehen werden; [2]
- "Bauelement" bedeutet ein Schaltungselement eines elektrischen Stromkreises. Wenn ein Schaltungselement eines von einer Mehrzahl von Schaltungselementen ist, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat gebildet sind, soll es als "integriertes Schaltungselement" bezeichnet werden; [2]
- "vollständiges Bauelement" bezieht sich auf ein Bauelement in seinem vollständig zusammengebauten Zustand, das unter Umständen eine weitere Behandlung, z.B. Elektroformierung, erfordern kann, bevor es gebrauchsfertig ist, das aber keine Hinzufügung weiterer baulicher Bestandteile erfordert; [2]
- "Teile" schließt alle baulichen Bestandteile ein, die ein vollständiges Bauelement umfasst; [2]
- "Gehäuse" ist eine Umhüllung, die einen Teil des vollständigen Bauelements bildet, und ist im wesentlichen ein festes Konstruktionsteil, in dem der Bauelementkörper angeordnet ist oder das einen Bauelementkörper allseitig umgibt, ohne eine ihn eng berührende Schicht zu bilden. Eine Umhüllung, die aus einer oder mehreren auf dem Bauelementkörper und in enger Berührung mit ihm gebildeten Schichten besteht, soll als "Einkapselung" bezeichnet werden; [2]
- "integrierte Schaltung" ist ein Bauelement, bei dem alle integrierten Schaltungselemente, z.B. Dioden, Widerstände, in oder auf einem gemeinsamen Substrat aufgebaut sind und das Bauelement, einschließlich der Verbindungen zwischen den integrierten Schaltungselementen, bilden; [2]
- "Zusammenbau" eines Bauelements ist der Aufbau des Bauelements aus seinen Konstruktionsbestandteilen und schließt eine eventuelle Gehäusefüllung ein. [2]
- In dieser Unterklasse soll sowohl nach den Bauelementen selbst als auch nach den Verfahren oder Geräten zu ihrer Herstellung oder Behandlung klassifiziert werden, soweit Sachverhalte in beiden Bereichen relevant sind. [6]
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| | Sachverzeichnis der Unterklasse| Halbleiterbauelemente | | | Halbleiterbauelemente, ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, zur Schwingungserzeugung oder zum Schalten | H01L 29/00 | | Halbleiterbauelemente, die auf Strahlung ansprechen oder die Strahlung aussenden | H01L 31/00, H01L 33/00 | | Festkörperbauelemente, die organische Materialien aufweisen | H01L 51/00 | | Andere Festkörperbauelemente | | | Thermoelektrische oder thermomagnetische Festkörperbauelemente | H01L 35/00, H01L 37/00 | | Supraleitende oder hyperleitende Festkörperbauelemente | H01L 39/00 | | Piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Festkörperbauelemente allgemein | H01L 41/00 | | Galvanomagnetische Festkörperbauelemente | H01L 43/00 | | Festkörperbauelemente ohne Potenzialsprung- oder Oberflächensperrschicht; Volumeneffekt-Festkörperbauelemente mit negativem Widerstand; Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen | H01L 45/00-H01L 49/00 | | Baugruppen aus Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen | | | Baugruppen aus diskreten Bauelementen | H01L 25/00 | | Integrierte Schaltungsanordnungen | H01L 27/00 | | Einzelheiten | H01L 23/00 | | Herstellung | H01L 21/00 |
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 | H01L 21/00 | Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon (Verfahren oder Geräte besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, die in den Gruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehen sind oder von deren Teilen, siehe diese Gruppen; einzelne Verfahrensstufen, die von anderen Unterklassen umfasst werden, siehe die entsprechenden Unterklassen, z.B. C23C , C30B; fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, Materialien oder Kopiervorlagen dafür, Vorrichtungen speziell dafür ausgebildet, allgemein G03F) [1, 2006.01] |
| | Anmerkung:- Die Gruppen H01L 21/70-H01L 21/98 haben Vorrang vor den Gruppen H01L 21/02-H01L 21/67. [2]
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| H01L 21/02 | | . | Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 6, 2006.01] |
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| H01L 21/027 | | . . | Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfasst [5] |
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| H01L 21/033 | | . . . | aus anorganischen Schichten [5] |
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| H01L 21/04 | | . . | Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht [2] |
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| H01L 21/06 | | . . . | Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2] |
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| H01L 21/08 | | . . . . | Vorbereitung der Grundplatte [2] |
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| H01L 21/10 | | . . . . | Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2] |
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| H01L 21/103 | | . . . . . | Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2] |
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| H01L 21/105 | | . . . . . | Behandlung der Oberfläche der Selen- oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2] |
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| H01L 21/108 | | . . . . . | Einbau diskreter isolierender Schichten, d.h. nichtgenetischer Sperrschichten [2] |
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| H01L 21/12 | | . . . . | Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selen- oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2] |
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| H01L 21/14 | | . . . . | Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2] |
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| H01L 21/145 | |
| H01L 21/16 | | . . . | Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Iodid [2] |
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| H01L 21/18 | | . . . | Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7] |
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| | Anmerkung:- Diese Gruppe umfasst auch Verfahren und Geräte, die aufgrund ihrer zu Grunde liegenden Technologie offensichtlich für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen mit Halbleiterkörpern der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen vorgesehen sind, selbst wenn das Halbleitermaterial nicht ausdrücklich genannt ist. [7]
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| H01L 21/20 | | . . . . | Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2] |
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| H01L 21/203 | | . . . . . | durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2] |
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| H01L 21/205 | | . . . . . | durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2] |
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| H01L 21/208 | | . . . . . | durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2] |
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| H01L 21/22 | | . . . . | Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen [2] |
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| H01L 21/223 | | . . . . . | durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2] |
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| H01L 21/225 | | . . . . . | durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2] |
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| H01L 21/228 | | . . . . . | durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2] |
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| H01L 21/24 | | . . . . | Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2] |
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| H01L 21/26 | | . . . . | Beschuss mit Wellen- oder Korpuskularstrahlung (thermische Behandlung H01L 21/324) [2] |
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| H01L 21/261 | | . . . . . | um durch Kernumwandlung transmutierte chemische Elemente zu erzeugen [6] |
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| H01L 21/263 | | . . . . . | mit hochenergetischer Strahlung (H01L 21/261 hat Vorrang) [2, 6] |
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| H01L 21/265 | | . . . . . . | wobei Ionenimplantation erzeugt wird (Ionenstrahlröhren für örtliche Behandlung H01J 37/30) [2] |
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| H01L 21/266 | | . . . . . . . | unter Verwendung von Masken [5] |
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| H01L 21/268 | | . . . . . . | mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2] |
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| H01L 21/28 | | . . . . | Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2] |
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| H01L 21/283 | | . . . . . | Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2] |
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| H01L 21/285 | | . . . . . . | aus der Gas- oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2] |
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| H01L 21/288 | | . . . . . . | aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2] |
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| H01L 21/30 | | . . . . | Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2] |
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| H01L 21/301 | | . . . . . | zur Unterteilung eines Halbleiterkörpers in Einzelelemente (Sägen, Schneiden H01L 21/304) [6] |
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| H01L 21/302 | | . . . . . | zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden [2] |
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| H01L 21/304 | | . . . . . . | Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden [2] |
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| H01L 21/306 | | . . . . . . | Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31; Nachbehandlung isoliernder Schichten H01L 21/3105) [2] |
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| H01L 21/3063 | | . . . . . . . | Elektrolytisches Ätzen [6] |
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| H01L 21/3065 | | . . . . . . . | Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen [6] |
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| H01L 21/308 | |
| H01L 21/31 | | . . . . . | zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Elektroden bildende Schichten H01L 21/28; Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5] |
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| H01L 21/3105 | | . . . . . . | Nachbehandlung [5] |
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| H01L 21/311 | | . . . . . . . | Ätzen isolierender Schichten [5] |
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| H01L 21/3115 | | . . . . . . . | Dotieren isolierender Schichten [5] |
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| H01L 21/312 | |
| H01L 21/314 | |
| H01L 21/316 | | . . . . . . . | zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2] |
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| H01L 21/318 | | . . . . . . . | zusammengesetzt aus Nitriden [2] |
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| H01L 21/32 | | . . . . . . | unter Verwendung von Masken [2, 5] |
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| H01L 21/3205 | | . . . . . . | Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten (Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des Bauelements H01L 23/52); Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5] |
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| H01L 21/321 | | . . . . . . . | Nachbehandlung [5] |
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| H01L 21/3213 | | . . . . . . . . | Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen [6] |
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| H01L 21/3215 | | . . . . . . . . | Dotieren der Schichten [5] |
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| H01L 21/322 | | . . . . . | zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2] |
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| H01L 21/324 | |
| H01L 21/326 | |
| H01L 21/328 | | . . . . | Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5] |
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| H01L 21/329 | | . . . . . | bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5] |
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| H01L 21/33 | | . . . . . | bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5] |
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| H01L 21/331 | | . . . . . . | Transistoren [5] |
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| H01L 21/332 | | . . . . . . | Thyristoren [5] |
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| H01L 21/334 | | . . . . | Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5] |
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| H01L 21/335 | | . . . . . | Feldeffekt-Transistoren [5] |
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| H01L 21/336 | | . . . . . . | mit einem isolierten Gate [5] |
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| H01L 21/337 | | . . . . . . | mit einem PN-Sperrschicht- Gate [5] |
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| H01L 21/338 | | . . . . . . | mit einem Schottky-Gate [5] |
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| H01L 21/339 | | . . . . . | Bauelemente mit Ladungsübertragung [5, 6] |
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| H01L 21/34 | | . . . | Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfasst, mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2] |
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| H01L 21/36 | | . . . . | Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2] |
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| H01L 21/363 | | . . . . . | durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2] |
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| H01L 21/365 | | . . . . . | durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2] |
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| H01L 21/368 | | . . . . . | durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2] |
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| H01L 21/38 | | . . . . | Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2] |
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| H01L 21/383 | | . . . . . | durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2] |
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| H01L 21/385 | | . . . . . | durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2] |
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| H01L 21/388 | | . . . . . | durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2] |
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| H01L 21/40 | | . . . . | Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2] |
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| H01L 21/42 | | . . . . | Beschuss mit Strahlung [2] |
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| H01L 21/423 | | . . . . . | mit hochenergetischer Strahlung [2] |
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| H01L 21/425 | | . . . . . . | wobei Ionenimplantation erzeugt wird (Ionenstrahlröhren für örtliche Behandlung H01J 37/30) [2] |
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| H01L 21/426 | | . . . . . . . | unter Verwendung von Masken [5] |
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| H01L 21/428 | | . . . . . . | mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2] |
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| H01L 21/44 | | . . . . | Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2] |
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| H01L 21/441 | | . . . . . | Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2] |
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| H01L 21/443 | | . . . . . . | aus der Gas- oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2] |
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| H01L 21/445 | | . . . . . . | aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2] |
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| H01L 21/447 | | . . . . . | unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2] |
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| H01L 21/449 | | . . . . . | unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2] |
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| H01L 21/46 | | . . . . | Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2] |
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| H01L 21/461 | | . . . . . | zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z.B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2] |
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| H01L 21/463 | | . . . . . . | Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2] |
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| H01L 21/465 | | . . . . . . | Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2] |
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| H01L 21/467 | | . . . . . . . | unter Verwendung von Masken [2] |
|
| H01L 21/469 | | . . . . . . | zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Elektroden bildende Schichten H01L 21/44; Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5] |
|
| H01L 21/47 | |
| H01L 21/471 | |
| H01L 21/473 | | . . . . . . . . | zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2] |
|
| H01L 21/475 | | . . . . . . . | unter Verwendung von Masken [2, 5] |
|
| H01L 21/4757 | | . . . . . . . | Nachbehandlung [5] |
|
| H01L 21/4763 | | . . . . . . | Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5] |
|
| H01L 21/477 | |
| H01L 21/479 | |
| H01L 21/48 | | . . . | Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind (Gehäuse, Einkapselungen, Füllungen, Montagesockel an sich H01L 23/00) [2] |
|
| H01L 21/50 | | . . . | Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2] |
|
| H01L 21/52 | | . . . . | Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2] |
|
| H01L 21/54 | | . . . . | Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z.B. Gasfüllungen [2] |
|
| H01L 21/56 | | . . . . | Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge [2] |
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| H01L 21/58 | | . . . . | Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2] |
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| H01L 21/60 | | . . . . | Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2] |
|
| H01L 21/603 | | . . . . . | unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2] |
|
| H01L 21/607 | | . . . . . | unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2] |
|
| H01L 21/62 | | . . | Bauelemente ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2] |
|
| H01L 21/64 | | . | Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen davon, die nicht in einer der Gruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehenen sind [2, 2006.01] |
|
| H01L 21/66 | | . | Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung (nach der Herstellung G01R 31/26) [2] |
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| H01L 21/67 | | . | Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen [2006.01] |
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| H01L 21/673 | | . . | unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme [2006.01] |
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| H01L 21/677 | | . . | zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen [2006.01] |
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| H01L 21/68 | | . . | zum Positionieren, Orientieren oder Justieren (zum Transportieren H01L 21/677) [2, 2006.01] |
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| H01L 21/683 | | . . | zum Aufnehmen oder Greifen (zum Transportieren H01L 21/677 , zum Positionieren, Orientieren oder Justieren H01L 21/68) [2006.01] |
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| H01L 21/687 | | . . . | mit mechanischen Mitteln, z.B. Halte-, Klemm- oder Pressvorrichtungen [2006.01] |
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| H01L 21/70 | | . | Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2] |
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| H01L 21/71 | |
| H01L 21/74 | | . . . | Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z.B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2] |
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| H01L 21/76 | | . . . | Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen [2] |
|
| H01L 21/761 | |
| H01L 21/762 | | . . . . | Dielektrische Bereiche [6] |
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| H01L 21/763 | | . . . . | Polykristalline Halbleiterbereiche [6] |
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| H01L 21/764 | |
| H01L 21/765 | | . . . . | durch Feldeffekt isolierende Bereiche [6] |
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| H01L 21/768 | | . . . | Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen [6] |
|
| H01L 21/77 | | . . | Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind [6] |
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| H01L 21/78 | | . . . | mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6] |
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| H01L 21/782 | | . . . . | zur Herstellung von Bauelementen, die aus einem einzelnen Schaltungselement bestehen (H01L 21/82 hat Vorrang) [6] |
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| H01L 21/784 | | . . . . . | wobei das Substrat ein Halbleiterkörper ist [6] |
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| H01L 21/786 | | . . . . . | wobei das Substrat kein Halbleiterkörper, z.B. ein Isolierkörper, ist [6] |
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| H01L 21/82 | | . . . . | zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2] |
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| H01L 21/822 | | . . . . . | wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6] |
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| H01L 21/8222 | | . . . . . . | Bipolar-Technologie [6] |
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| H01L 21/8224 | | . . . . . . . | Kombination von Vertikal- und Lateraltransistoren [6] |
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| H01L 21/8226 | | . . . . . . . | MTL-Logik [Merged Transistor Logic] oder J2 L-Logik [Integrierte Injektionslogik] [6] |
|
| H01L 21/8228 | | . . . . . . . | Komplementäre Bauelemente, z.B. komplementäre Transistoren [6] |
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| H01L 21/8229 | | . . . . . . . | Speicher-Strukturen [6] |
|
| H01L 21/8232 | | . . . . . . | Feldeffekt-Technologie [6] |
|
| H01L 21/8234 | | . . . . . . . | MIS-Technologie [6] |
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| H01L 21/8236 | | . . . . . . . . | Kombination von Transistoren vom Anreicherungs- und Verarmungstyp [6] |
|
| H01L 21/8238 | | . . . . . . . . | Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6] |
|
| H01L 21/8239 | | . . . . . . . . | Speicher-Strukturen [6] |
|
| H01L 21/8242 | | . . . . . . . . . | Strukturen für dynamische RAM-Speicher [DRAM] [6] |
|
| H01L 21/8244 | | . . . . . . . . . | Strukturen für statische RAM-Speicher [SRAM] [6] |
|
| H01L 21/8246 | | . . . . . . . . . | Strukturen für ROM-Speicher [6] |
|
| H01L 21/8247 | | . . . . . . . . . . | elektrisch programmierbare [EPROM] [6] |
|
| H01L 21/8248 | | . . . . . . | Kombination von Bipolar- und Feldeffekt-Technologie [6] |
|
| H01L 21/8249 | | . . . . . . . | Bipolar- und MOS-Technologie [6] |
|
| H01L 21/8252 | | . . . . . | wobei das Substrat ein Halbleiter ist und III-V-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6] |
|
| H01L 21/8254 | | . . . . . | wobei das Substrat ein Halbleiter ist und II-VI-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6] |
|
| H01L 21/8256 | |
| H01L 21/8258 | |
| H01L 21/84 | | . . . . . | wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht [2] |
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| H01L 21/86 | | . . . . . . | wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z.B. eine Struktur Silicium auf Saphir, d.h. SOS [2] |
|
| H01L 21/98 | | . . | Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen; Zusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang; Zusammenbau von Baugruppen H01L 25/00) [2, 5] |
|
| H01L 23/00 | Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) |
| | Anmerkung:- Diese Gruppe umfasst nicht:
- Einzelheiten der Halbleiterkörper oder Elektroden von Bauelementen, die in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen sind, diese Einzelheiten werden von Gruppe H01L 29/00 mit umfasst;
- charakteristische Einzelheiten von Bauelementen, die in einer der Hauptgruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, diese Einzelheiten werden von den betreffenden Gruppen mit umfasst. [5]
|
| H01L 23/02 | |
| H01L 23/04 | | . . | gekennzeichnet durch die Form [2] |
|
| H01L 23/043 | | . . . | Gehäuse mit einem Hohlraum und einer leitenden Grundplatte, die als Montagesockel und als Zuleitung für den Halbleiterkörper dient [5] |
|
| H01L 23/045 | | . . . . | wobei die anderen Zuleitungen isolierte Durchführungen durch die Grundplatte aufweisen [5] |
|
| H01L 23/047 | | . . . . | wobei die anderen Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5] |
|
| H01L 23/049 | | . . . . | wobei die anderen Zuleitungen senkrecht zur Grundplatte angeordnet sind [5] |
|
| H01L 23/051 | | . . . . | wobei eine andere Zuleitung aus einer parallel zur Grundplatte angeordneter Deckplatte besteht, z.B. Sandwich-Typ [5] |
|
| H01L 23/053 | | . . . | Gehäuse mit einem Hohlraum und mit einer isolierenden Grundplatte als Montagesockel für den Halbleiterkörper [5] |
|
| H01L 23/055 | | . . . . | wobei dei Zuleitungen durch die Grundplatte gehen [5] |
|
| H01L 23/057 | | . . . . | wobei die Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5] |
|
| H01L 23/06 | | . . | gekennzeichnet durch das Material des Gehäuses oder dessen elektrische Eigenschaften [2] |
|
| H01L 23/08 | | . . . | wobei das Material ein elektrischer Isolator ist, z.B. Glas [2] |
|
| H01L 23/10 | | . . | gekennzeichnet durch das Material oder die Anordnung der Abdichtung zwischen Teilen, z.B. zwischen den Gehäusekappen und der Grundplatte oder zwischen den Leitern und den Gehäusewänden |
|
| H01L 23/12 | | . | Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate [2] |
|
| H01L 23/13 | | . . | gekennzeichnet durch die Form [5] |
|
| H01L 23/14 | | . . | gekennzeichnet durch das Material oder dessen elektrische Eigenschaften [2] |
|
| H01L 23/15 | | . . . | Substrate aus Keramik oder Glas [5] |
|
| H01L 23/16 | | . | Füllungen oder Hilfsmittel im Gehäuse, z.B. Zentrierringe (H01L 23/42 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5] |
|
| H01L 23/18 | | . . | Füllungen gekennzeichnet durch das Material oder dessen physikalische oder chemische Eigenschaften oder dessen Anordnung innerhalb des vollständigen Bauelements [2] |
|
| | Anmerkung:- Die Gruppe H01L 23/26 hat Vorrang vor den Gruppen H01L 23/20-H01L 23/24. [2]
|
| H01L 23/20 | | . . . | gasförmig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2] |
|
| H01L 23/22 | | . . . | flüssig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2] |
|
| H01L 23/24 | | . . . | fest oder gelartig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2] |
|
| H01L 23/26 | | . . . | mit Materialien, die Feuchtigkeit oder andere unerwünschte Substanzen absorbieren oder mit ihnen reagieren [2] |
|
| H01L 23/28 | | . | Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge (H01L 23/552 hat Vorrang) [2, 5] |
|
| H01L 23/29 | | . . | gekennzeichnet durch das Material [5] |
|
| H01L 23/31 | | . . | gekennzeichnet durch die Anordnung [5] |
|
| H01L 23/32 | | . | Befestigungsvorrichtungen zur Halterung des vollständigen Bauelements beim Betrieb, z.B. lösbare Befestigungen (H01L 23/40 hat Vorrang; Anschlüsse allgemein H01R; für gedruckte Schaltungen H05K) [2, 5] |
|
| H01L 23/34 | | . | Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [2, 5] |
|
| H01L 23/36 | | . . | Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken [2] |
|
| H01L 23/367 | | . . . | wobei die Kühlung durch die Form des Bauelements bewirkt wird [5] |
|
| H01L 23/373 | | . . . | wobei die Kühlung durch das gewählte Material des Bauelements bewirkt wird [5] |
|
| H01L 23/38 | | . . | Kühleinrichtungen, die vom Peltier-Effekt Gebrauch machen [2] |
|
| H01L 23/40 | | . . | Montage- oder Befestigungsmittel für lösbare Kühl- oder Heizeinrichtungen [2] |
|
| H01L 23/42 | | . . | Füllungen oder Hilfsmittel in den Gehäusen, die so ausgewählt oder angeordnet sind, dass sie die Heiz- oder Kühlwirkung erhöhen (gekennzeichnet durch das gewählte Material des Bauelements H01L 23/373) [2, 5] |
|
| H01L 23/427 | | . . . | Kühlung durch Zustandsänderung, z.B. Verwendung von Wärmerohren [5] |
|
| H01L 23/433 | | . . . | Hilfsmittel, gekennzeichnet durch ihre Form, z.B. Kolben [5] |
|
| H01L 23/44 | | . . | das vollständige Bauelement ist ganz in ein Gas oder eine Flüssigkeit - außer Luft - eingetaucht (H01L 23/427 hat Vorrang) [2, 5] |
|
| H01L 23/46 | | . . | unter Ausnützung der Wärmeübertragung durch strömende Gase oder Flüssigkeiten (H01L 23/42 , H01L 23/44 haben Vorrang) [2] |
|
| H01L 23/467 | | . . . | durch strömende Gase, z.B. Luft [5] |
|
| H01L 23/473 | | . . . | durch strömende Flüssigkeiten [5] |
|
| H01L 23/48 | | . | Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen, Anschlüsse (allgemein H01R) [2] |
|
| H01L 23/482 | | . . | bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind [5] |
|
| H01L 23/485 | | . . . | die schichtweise aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut sind, z.B. Planar- Kontakte [5] |
|
| H01L 23/488 | | . . | bestehend aus gelöteten oder gebondeten Anordnungen [5, 2006.01] |
|
| H01L 23/49 | |
| H01L 23/492 | | . . . | Träger oder Platten [5] |
|
| H01L 23/495 | |
| H01L 23/498 | | . . . | Leiter auf isolierenden Substraten [5] |
|
| H01L 23/50 | |
| H01L 23/52 | | . | Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen [2] |
|
| H01L 23/522 | | . . | einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind [5] |
|
| H01L 23/525 | | . . . | mit anpassbaren Verbindungsleitungen [5] |
|
| H01L 23/528 | | . . . | Topografie der Verbindungsleitungen [5] |
|
| H01L 23/532 | | . . . | gekennzeichnet durch die Materialien [5] |
|
| H01L 23/535 | | . . | einschließlich interner Verbindungsleitungen, z.B. Unterkreuzungen [5] |
|
| H01L 23/538 | | . . | wobei die Verbindungsleitungen zwischen mehreren Halbleiterbauelementen auf oder in isolierenden Substraten angeordnet sind (Montagesockel H01L 23/12) [5] |
|
| H01L 23/544 | | . | Markierungen auf Halbleiterbauelementen, z.B. Markierungen zu Kennzeichnungszwecken, Teststrukturen [5] |
|
| H01L 23/552 | | . | Schutz gegen Strahlung, z.B. Licht [5] |
|
| H01L 23/556 | | . . | gegen Alpha-Strahlung [5] |
|
| H01L 23/58 | | . | Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [5] |
|
| H01L 23/60 | | . . | Schutz gegen elektrostatische Auf- oder Entladung, z.B. Faraday-Käfig (allgemein H05F) [5] |
|
| H01L 23/62 | | . . | Schutz gegen Überstrom oder Überlastung, z.B. Sicherungen, Nebenschlüsse [5] |
|
| H01L 23/64 | | . . | Impedanz-Anpassung [5] |
|
| H01L 23/66 | | . . . | Hochfrequenz-Anpassung [5] |
|
| H01L 25/00 | Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Baugruppen aus fotoelektrischen Zellen H01L 31/042; Generatoren mit Solarzellen oder Solarzellentafeln H02N 6/00; Einzelheiten von vollständigen zusammengesetzten Schaltungen, soweit diese von anderen Unterklassen umfasst sind, z.B. Einzelheiten von Fernsehempfängern, siehe die betreffende Unterklasse, z.B. H04N; Einzelheiten von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2, 5] |
| H01L 25/03 | | . | wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Baugruppen aus Gleichrichter-Dioden [5, 2006.01] |
|
| H01L 25/04 | | . . | wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen [2] |
|
| H01L 25/065 | | . . . | wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 27/00 vorgesehen ist [5] |
|
| H01L 25/07 | | . . . | wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5] |
|
| H01L 25/075 | | . . . | wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5] |
|
| H01L 25/10 | | . . | wobei die Bauelemente gesonderte Gehäuse besitzen [2] |
|
| H01L 25/11 | | . . . | wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5] |
|
| H01L 25/13 | | . . . | wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5] |
|
| H01L 25/16 | | . | wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in zwei oder mehr der Hauptgruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Hybrid- Schaltkreise [2, 2006.01] |
|
| H01L 25/18 | | . | wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind [5, 2006.01] |
|
| H01L 27/00 | Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörper- schaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (Verfahren und Vorrichtungen, besonders angepasst für die Herstellung oder Behandlung solcher Bauelemente oder Teilen davon H01L 21/70 , H01L 31/00-H01L 51/00; deren Einzelheiten H01L 23/00 , H01L 29/00-H01L 51/00; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00; Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2, 2006.01] |
| | Anmerkung:- In dieser Gruppe ist, solange ein gegenteiliger Hinweis fehlt, an der letzten geeigneten Stelle zu klassifizieren. [2]
|
| H01L 27/01 | | . | nur mit passiven Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselementen, die auf einem gemeinsamen isolierenden Substrat ausgebildet sind [3] |
|
| H01L 27/02 | | . | mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2] |
|
| H01L 27/04 | | . . | wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2] |
|
| H01L 27/06 | | . . . | mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration [2] |
|
| H01L 27/07 | | . . . . | wobei die Schaltungselemente einen gemeinsamen aktiven Bereich haben [5] |
|
| H01L 27/08 | | . . . | ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art [2] |
|
| H01L 27/082 | | . . . . | ausschließlich mit bipolaren Schaltungselementen [5] |
|
| H01L 27/085 | | . . . . | ausschließlich mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5] |
|
| H01L 27/088 | | . . . . . | wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate sind [5] |
|
| H01L 27/092 | | . . . . . . | Komplementäre MIS- Feldeffekt-Transistoren [5] |
|
| H01L 27/095 | | . . . . . | wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem Schottky-Gate sind [5] |
|
| H01L 27/098 | | . . . . . | wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem PN-Sperrschicht-Gate sind [5] |
|
| H01L 27/10 | | . . . | mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration [2] |
|
| H01L 27/102 | | . . . . | mit bipolaren Schaltungselementen [5] |
|
| H01L 27/105 | | . . . . | mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5] |
|
| H01L 27/108 | | . . . . . | Strukturen für dynamische RAM-Speicher [5] |
|
| H01L 27/11 | | . . . . . | Strukturen für statische RAM-Speicher [5] |
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| H01L 27/112 | | . . . . . | Strukturen für ROM-Speicher [5] |
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| H01L 27/115 | | . . . . . . | EPROM-Speicher [5] |
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| H01L 27/118 | | . . . . | integrierte Masterslice- Schaltungen [5] |
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| H01L 27/12 | | . . | wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper [2] |
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| H01L 27/13 | | . . . | kombiniert mit passiven Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselementen [3] |
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| H01L 27/14 | | . | mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung (strahlungsempfindliche Schaltungselemente, die nur mit einer oder mehreren Lichtquellen baulich verbunden sind H01L 31/14; Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42) [2] |
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| H01L 27/142 | | . . | Bauelemente zur Energie-Umwandlung [5] |
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| H01L 27/144 | | . . | Strahlungsgesteuerte Bauelemente [5] |
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| H01L 27/146 | | . . . | Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten [5] |
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| H01L 27/148 | | . . . . | Ladungsgekoppelte Bildaufnahmeeinheiten [5] |
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| H01L 27/15 | | . | mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission [2] |
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| H01L 27/16 | | . | mit thermoelektrischen Schaltungselementen mit oder ohne Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; mit thermomagnetischen Schaltungselementen (unter Ausnutzung des Peltier-Effektes nur zum Kühlen von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen H01L 23/38) [2] |
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| H01L 27/18 | | . | mit Schaltungselementen, die Supraleitung zeigen [2] |
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| H01L 27/20 | | . | mit piezoelektrischen Schaltungselementen; mit elektrostriktiven Schaltungselementen; mit magnetostriktiven Schaltungselementen [2, 7] |
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| H01L 27/22 | | . | mit Schaltungselementen, die galvanomagnetische Effekte, z.B. den Hall-Effekt, ausnutzen; die ähnliche Magnetfeld-Effekte ausnutzen [2] |
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| H01L 27/24 | | . | mit Festkörperschaltungselementen zum Gleichrichten, Verstärken oder Schalten ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2] |
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| H01L 27/26 | | . | mit Schaltungselementen, die einen durch einen Volumen-Effekt bedingten negativen Widerstand zeigen [2] |
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| H01L 27/28 | | . | mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen [2006.01] |
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| H01L 27/30 | | . . | mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01] |
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| H01L 27/32 | | . . | mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Flachbildschirme mit organischen LED [2006.01] |
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| H01L 29/00 | Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 , H01L 51/05 haben Vorrang; Verfahren oder Vorrichtungen zur Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon H01L 21/00; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Widerstände allgemein H01C; Kondensatoren allgemein H01G) [2, 6] |
| | Anmerkung:- In dieser Hauptgruppe wird in alle Gruppen der H01L 29/02, H01L 29/40 und H01L 29/66 klassifiziert, sofern alle diese Gruppen relevant sind [2, 6]
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| H01L 29/02 | |
| H01L 29/04 | | . . | gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch, besondere Orientierung von Kristallflächen (Gitterfehler H01L 29/30) [2] |
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| H01L 29/06 | | . . | gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2] |
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| H01L 29/08 | | . . . | mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2] |
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| H01L 29/10 | | . . . | mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2] |
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| H01L 29/12 | | . . | gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2] |
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| H01L 29/15 | | . . . | Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6] |
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| | Anmerkung:- Die Gruppe H01L 29/15 hat Vorrang vor den Gruppen H01L 29/16-H01L 29/26 [6]
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| H01L 29/16 | | . . . | nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2] |
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| H01L 29/161 | | . . . . | mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2] |
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| H01L 29/165 | | . . . . . | in verschiedenen Halbleiterbereichen [2] |
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| H01L 29/167 | | . . . . | ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2] |
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| H01L 29/18 | | . . . | nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2] |
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| H01L 29/20 | | . . . | nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6] |
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| H01L 29/201 | | . . . . | mit zwei oder mehr Verbindungen [2] |
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| H01L 29/205 | | . . . . . | in verschiedenen Halbleiterbereichen [2] |
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| H01L 29/207 | | . . . . | ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2] |
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| H01L 29/22 | | . . . | nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2] |
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| H01L 29/221 | | . . . . | mit zwei oder mehr Verbindungen [2] |
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| H01L 29/225 | | . . . . . | in verschiedenen Halbleiterbereichen [2] |
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| H01L 29/227 | | . . . . | ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2] |
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| H01L 29/24 | | . . . | nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen (nur mit organischen Materialien H01L 51/00) [2] |
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| H01L 29/26 | |
| H01L 29/267 | | . . . . | in verschiedenen Halbleiterbereichen [2] |
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| H01L 29/30 | | . . | gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler; mit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2] |
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| H01L 29/32 | | . . . | mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2] |
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| H01L 29/34 | | . . . | mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2] |
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| H01L 29/36 | | . . | gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2] |
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| H01L 29/38 | |
| H01L 29/40 | |
| H01L 29/41 | | . . | gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6] |
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| H01L 29/417 | | . . . | wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6] |
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| H01L 29/423 | | . . . | wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6] |
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| H01L 29/43 | | . . | gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6] |
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| H01L 29/45 | | . . . | Ohm'sche Elektroden [6] |
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| H01L 29/47 | | . . . | Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6] |
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| H01L 29/49 | | . . . | Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6] |
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| H01L 29/51 | | . . . . | zugeordnete isolierende Materialien [6] |
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| H01L 29/66 | | . | Typen von Halbleiterbauelementen [2] |
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| H01L 29/68 | | . . | steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2] |
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| H01L 29/70 | | . . . | Bipolare Bauelemente [2] |
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| H01L 29/72 | | . . . . | Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2] |
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| H01L 29/73 | | . . . . . | Bipolare Transistoren [5] |
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| H01L 29/732 | | . . . . . . | Vertikal-Transistoren [6] |
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| H01L 29/735 | | . . . . . . | Lateral-Transistoren [6] |
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| H01L 29/737 | | . . . . . . | Hetero-Bipolar-Transistoren [6] |
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| H01L 29/739 | | . . . . . | gesteuert durch Feldeffekt [6] |
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| H01L 29/74 | | . . . . | Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2] |
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| H01L 29/744 | | . . . . . | GTO-Thyristoren [6] |
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| H01L 29/745 | | . . . . . . | abschaltbar durch Feldeffekt [6] |
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| H01L 29/747 | | . . . . . | Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2] |
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| H01L 29/749 | | . . . . . | einschaltbar durch Feldeffekt [6] |
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| H01L 29/76 | | . . . | Unipolar-Bauelemente [2] |
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| H01L 29/762 | | . . . . | Bauelemente mit Ladungsübertragung [6] |
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| H01L 29/765 | | . . . . . | Ladungsgekoppelte Bauelemente [6] |
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| H01L 29/768 | | . . . . . . | mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6] |
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| H01L 29/772 | | . . . . | Feldeffekt-Transistoren [6] |
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| H01L 29/775 | | . . . . . | mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6] |
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| H01L 29/778 | | . . . . . | mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6] |
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| H01L 29/78 | | . . . . . | mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2] |
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| H01L 29/786 | | . . . . . . | Dünnfilm-Transistoren [6] |
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| H01L 29/788 | | . . . . . . | mit schwebendem Gate [5] |
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| H01L 29/792 | | . . . . . . | mit Ladungseinfang im Gate- Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5] |
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| H01L 29/80 | | . . . . . | mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2] |
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| H01L 29/808 | | . . . . . . | mit PN-Sperrschicht-Gate [5] |
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| H01L 29/812 | | . . . . . . | mit Schottky-Gate [5] |
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| H01L 29/82 | | . . | steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6] |
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| H01L 29/84 | | . . | steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6] |
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| H01L 29/86 | | . . | steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2] |
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| H01L 29/8605 | | . . . | Widerstände mit PN-Übergang [6] |
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| H01L 29/861 | |
| H01L 29/862 | | . . . . | Spitzendioden [6] |
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| H01L 29/864 | | . . . . | Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6] |
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| H01L 29/866 | |
| H01L 29/868 | |
| H01L 29/87 | | . . . . | Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6] |
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| H01L 29/872 | | . . . . | Schottky-Dioden [6] |
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| H01L 29/88 | | . . . . | Tunnel-Dioden [2] |
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| H01L 29/885 | | . . . . . | Esaki-Dioden [6] |
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| H01L 29/92 | | . . . | Kondensatoren mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2] |
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| H01L 29/93 | | . . . . | Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2] |
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| H01L 29/94 | | . . . . | Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2] |
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| H01L 29/96 | |
| H01L 31/00 | Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/42 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00; Sonnenkollektoren, soweit die Dacheindeckung betroffen ist E04D 13/18; Erzeugung von Wärme unter Verwendung von Sonnenwärme F24J 2/00; Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Halbleiterdetektoren G01T 1/24 , mit Widerstandsdetektoren G01T 1/26; Messen von Neutronenstrahlung mit Halbleiter-Detektoren G01T 3/08; Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42; Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2, 6, 2006.01] |
| H01L 31/02 | |
| H01L 31/0203 | | . . | Gehäuse; Einkapselungen [5] |
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| H01L 31/0216 | | . . | Beschichtungen, Überzüge [5] |
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| H01L 31/0224 | |
| H01L 31/0232 | | . . | Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind [5] |
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| H01L 31/0236 | | . . | besondere Oberflächen-Texturen [5] |
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| H01L 31/024 | | . . | Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [5] |
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| H01L 31/0248 | | . | gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5] |
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| H01L 31/0256 | | . . | gekennzeichnet durch das Material [5] |
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| H01L 31/0264 | | . . . | Anorganische Materialien [5] |
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| H01L 31/0272 | | . . . . | Selen oder Tellur [5] |
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| H01L 31/028 | | . . . . | nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5] |
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| H01L 31/0288 | | . . . . . | gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5] |
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| H01L 31/0296 | | . . . . | nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5] |
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| H01L 31/0304 | | . . . . | nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5] |
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| H01L 31/0312 | | . . . . | nur mit AIVBIV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5] |
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| H01L 31/032 | | . . . . | nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5] |
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| H01L 31/0328 | | . . . . | nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5] |
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| H01L 31/0336 | | . . . . . | in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der sechsten Gruppe des Periodensystems ist [5] |
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| H01L 31/0352 | | . . | gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5] |
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| H01L 31/036 | | . . | gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5] |
|
| H01L 31/0368 | | . . . | mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5] |
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| H01L 31/0376 | | . . . | mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5] |
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| H01L 31/0384 | | . . . | mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5] |
|
| H01L 31/0392 | | . . . | mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5] |
|
| H01L 31/04 | | . | die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind [2] |
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| H01L 31/042 | | . . | mit einer Tafel [einem Panel] oder einer Anordnung von fotoelektrischen Zellen, z.B. Solarzellen [5] |
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| H01L 31/045 | | . . . | zusammenlegbar oder faltbar [5] |
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| H01L 31/048 | | . . . | eingekapselt oder mit einem Gehäuse [5] |
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| H01L 31/05 | | . . . | gekennzeichnet durch spezielle Verbindungsteile [5] |
|
| H01L 31/052 | | . . . | mit Mitteln zur Kühlung, Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [5] |
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| H01L 31/055 | | . . . . | wobei Licht von einem Konzentrator absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien [5] |
|
| H01L 31/058 | | . . . | mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, z.B. Hybridsysteme, oder einer zusätzlichen elektrischen Energiequelle (Nutzung der solaren Wärmeenergie allgemein F24J 2/00) [5] |
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| H01L 31/06 | | . . | gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2] |
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| H01L 31/062 | | . . . | wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5] |
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| H01L 31/065 | | . . . | wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5] |
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| H01L 31/068 | | . . . | wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5] |
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| H01L 31/07 | | . . . | wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5] |
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| H01L 31/072 | | . . . | wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5] |
|
| H01L 31/075 | | . . . | wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5] |
|
| H01L 31/078 | |
| H01L 31/08 | | . | in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2] |
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| H01L 31/09 | | . . | Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5] |
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| H01L 31/10 | | . . | gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren [2] |
|
| H01L 31/101 | | . . . | Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5] |
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| H01L 31/102 | | . . . . | gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [5] |
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| H01L 31/103 | | . . . . . | wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5] |
|
| H01L 31/105 | | . . . . . | wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5] |
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| H01L 31/107 | | . . . . . | wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode [5] |
|
| H01L 31/108 | | . . . . . | wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5] |
|
| H01L 31/109 | | . . . . . | wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5] |
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| H01L 31/11 | | . . . . | gekennzeichnet durch zwei Potenzialsprung-Sperrschichten oder Oberflächensperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistor [5] |
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| H01L 31/111 | | . . . . | gekennzeichnet durch wenigstens drei Sperrschichten, z.B. Fotothyristor [5] |
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| H01L 31/112 | | . . . . | gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5] |
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| H01L 31/113 | | . . . . . | mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5] |
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| H01L 31/115 | | . . . | Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5] |
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| H01L 31/117 | | . . . . | mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5] |
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| H01L 31/118 | | . . . . | mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5] |
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| H01L 31/119 | | . . . . | gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5] |
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| H01L 31/12 | | . | baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission H01L 33/00; Verstärker mit elektrolumineszierendem Bauelement und Fotozelle H03F 17/00; elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5] |
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| H01L 31/14 | | . . | mit Steuerung der Lichtquelle oder -quellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler, Bildverstärker, Bildspeicher [2] |
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| H01L 31/147 | | . . . | wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5] |
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| H01L 31/153 | | . . . . | ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5] |
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| H01L 31/16 | | . . | mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2] |
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| H01L 31/167 | | . . . | wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5] |
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| H01L 31/173 | | . . . . | ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5] |
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| H01L 31/18 | | . | Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2] |
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| H01L 31/20 | | . . | Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5] |
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| H01L 33/00 | Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Infrarot; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltelementen bestehen H01L 27/00; Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42; Halbleiterlaser H01S 5/00; elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 2006.01] |
| H01L 35/00 | Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer Effekte; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Kältemaschinen mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Effekten F25B 21/00; Temperaturmessung mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00; Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2] |
| H01L 35/02 | |
| H01L 35/04 | | . . | Bauliche Einzelheiten der Kontaktstelle; Anschlüsse der Zuleitungen [2] |
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| H01L 35/06 | | . . . | trennbar, z.B. unter Verwendung einer Feder [2] |
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| H01L 35/08 | | . . . | nicht trennbar, z.B. geklebt, gesintert, gelötet [2] |
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| H01L 35/10 | | . . . | Anschlüsse der Zuleitungen [2] |
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| H01L 35/12 | | . | Auswahl des Materials für die Schenkel an der Kontaktstelle [2] |
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| H01L 35/14 | | . . | unter Verwendung von anorganischen Materialien [2] |
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| H01L 35/16 | | . . . | mit Tellur oder Selen oder Schwefel [2] |
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| H01L 35/18 | | . . . | mit Arsen oder Antimon oder Bismut (H01L 35/16 hat Vorrang) [2] |
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| H01L 35/20 | |
| H01L 35/22 | | . . . | mit Bor, Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff enthaltenden Verbindungen [2] |
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| H01L 35/24 | | . . | unter Verwendung von organischen Verbindungen [2] |
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| H01L 35/26 | | . . | unter Verwendung von Materialien, die sich kontinuierlich oder diskontinuierlich innerhalb des Schenkels ändern [2] |
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| H01L 35/28 | | . | nur mit Peltier- oder Seebeckeffekt arbeitend [2] |
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| H01L 35/30 | | . . | gekennzeichnet durch die wärmeaustauschenden Mittel an der Kontaktstelle [2] |
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| H01L 35/32 | | . . | gekennzeichnet durch den Aufbau oder die Gestaltung der Zelle oder des Thermoelements, die das Bauelement bilden [2] |
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| H01L 35/34 | | . | Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperteilen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2] |
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| H01L 37/00 | Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; thermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-Effekts; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Temperaturmessung mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00; Auswahl von Materialien für die Magnetografie, z.B. für Curiepunkt-Schreiben, G03G 5/00) [2] |
| H01L 37/02 | | . | unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante, z.B. Arbeiten über und unter dem Curiepunkt [2] |
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| H01L 37/04 | | . | unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der magnetischen Permeabilität, z.B. über und unter dem Curiepunkt [2] |
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| H01L 39/00 | Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungen bestehen H01L 27/00; Supraleiter, gekennzeichnet durch die Technik der Formgebung der keramischen Gegenstände oder die keramische Zusammensetzung C04B 35/00; supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00; supraleitende Spulen oder Wicklungen H01F; Verstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4] |
| H01L 39/02 | |
| H01L 39/04 | | . . | Gehäuse; Montagesockel [2] |
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| H01L 39/06 | | . . | gekennzeichnet durch den Stromweg [2] |
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| H01L 39/08 | | . . | gekennzeichnet durch die Form des Elements [2] |
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| H01L 39/10 | | . . | gekennzeichnet durch die Vorrichtungen zum Schalten [2] |
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| H01L 39/12 | | . . | gekennzeichnet durch das Material [2] |
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| H01L 39/14 | | . | Dauernd supraleitende Bauelemente [2] |
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| H01L 39/16 | | . | Bauelemente, die zwischen supraleitenden und normalleitenden Zuständen schaltbar sind [2] |
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| H01L 39/18 | |
| H01L 39/20 | | . . . | Hochleistungskryotrone [2] |
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| H01L 39/22 | | . | Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, z.B. Josephson-Effekt-Bauelemente [2] |
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| H01L 39/24 | | . | Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, soweit diese in H01L 39/00 vorgesehen sind, oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00); magnetische Trennung von supraleitenden Materialien von anderen Materialien, z.B. mit Hilfe des Meissner-Effekts, B03C 1/00 [2] |
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| H01L 41/00 | Piezoelektrische Bauelemente allgemein; Elektrostriktive Bauelemente allgemein; Magnetostriktive Bauelemente allgemein; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2] |
| | Anmerkung:- Diese Gruppe umfasst nicht Ausbildungen für besondere Anwendungen, die von den zuständigen Stellen umfasst sind. [6]
- Folgende Stellen sind zu beachten: [6]
- B06B Ausbildung zum Erzeugen oder Übertragen mechanischer Schwingungen [6]
- G01 Wandler als Sensorelemente zum Messen [6]
- G04C, G04F Wandler, ausgebildet für Uhren oder Zeitmessgeräte [6]
- G10K Wandler zum Erzeugen oder Übertragen von Schall [6]
- H02N Ausbildung derartiger Bauelemente in elektrischen Maschinen [6]
- H03H 9/00 Netzwerke, die elektromechanische oder elektroakustische Bauelemente enthalten, z.B. Resonatorschaltungen [6]
- H04R Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche Wandler. [6]
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| H01L 41/02 | |
| H01L 41/04 | | . . | von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Bauelementen [2] |
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| H01L 41/047 | |
| H01L 41/053 | | . . . | Träger, Halter, Umhüllungen oder Gehäuse [6] |
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| H01L 41/06 | | . . | von magnetostriktiven Bauelementen [2] |
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| H01L 41/08 | | . | Piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2] |
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| H01L 41/083 | | . . | stapelförmig oder mehrschichtig aufgebaut [6] |
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| H01L 41/087 | | . . | wie koaxiale Kabel gestaltet [6] |
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| | Anmerkung:- Die Gruppen H01L 41/083 und H01L 41/087 haben Vorrang vor den Gruppen H01L 41/09-H01L 41/113. [6]
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| H01L 41/09 | | . . | mit elektrischer Eingangsgröße und mechanischer Ausgangsgröße [5] |
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| H01L 41/107 | | . . | mit elektrischer Eingangs- und Ausgangsgröße [5] |
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| H01L 41/113 | | . . | mit mechanischer Eingangsgröße und elektrischer Ausgangsgröße [5] |
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| H01L 41/12 | | . | Magnetostriktive Bauelemente [2] |
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| H01L 41/16 | | . | Auswahl von Materialien [2] |
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| H01L 41/18 | | . . | für piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2] |
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| H01L 41/187 | | . . . | Keramische Zusammensetzungen [5] |
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| H01L 41/193 | | . . . | Makromolekulare Zusammensetzungen [5] |
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| H01L 41/20 | | . . | für magnetostriktive Bauelemente [2] |
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| H01L 41/22 | | . | Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2] |
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| H01L 41/24 | | . . | von Bauelementen aus keramischen Materialien [5] |
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| H01L 41/26 | | . . | von Bauelementen aus makromolekularen Materialien [5] |
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| H01L 43/00 | Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Bauelemente mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, die durch Veränderung eines Magnetfeldes steuerbar sind H01L 29/82) [2] |
| H01L 43/02 | |
| H01L 43/04 | | . . | von Hall-Effekt-Bauelementen [2] |
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| H01L 43/06 | | . | Hall-Effekt-Bauelemente [2] |
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| H01L 43/08 | | . | durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände [2] |
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| H01L 43/10 | | . | Auswahl von Materialien [2] |
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| H01L 43/12 | | . | Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon im Allgemeinen H01L 21/00) [2] |
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| H01L 43/14 | | . . | für Hall-Effekt-Bauelemente [2] |
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| H01L 45/00 | Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00; piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00; Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2] |
| H01L 45/02 | | . | Festkörper-Wanderfeldbauelemente [2] |
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| H01L 47/00 | Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z.B. Gunn-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2] |
| H01L 47/02 | | . | Gunn-Effekt-Bauelemente [2] |
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| H01L 49/00 | Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und H01L 51/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehen; Verfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperbauelementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01] |
| H01L 49/02 | | . | Dünnfilm- oder Dickfilmschaltungselemente [2] |
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| H01L 51/00 | Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen bestehen H01L 27/28; thermoelektrische Bauelemente mit organischem Material H01L 35/00 , H01L 37/00; piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Bauelemente mit organischem Material H01L 41/00) [6, 2006.01] |
| H01L 51/05 | | . | besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2006.01] |
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| H01L 51/10 | | . . | Einzelheiten der Bauelemente [6, 2006.01] |
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| H01L 51/30 | | . . | Materialauswahl [6, 2006.01] |
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| H01L 51/40 | | . . | Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [6, 2006.01] |
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| H01L 51/42 | | . | besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01] |
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| H01L 51/44 | | . . | Einzelheiten der Bauelemente [2006.01] |
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| H01L 51/46 | | . . | Materialauswahl [2006.01] |
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| H01L 51/48 | | . . | Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01] |
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| H01L 51/50 | | . | besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED) (organische Halbleiterlaser H01S 5/36) [2006.01] |
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| H01L 51/52 | | . . | Einzelheiten der Bauelemente [2006.01] |
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| H01L 51/54 | | . . | Materialauswahl (organische lumineszierende Materialien C09K 11/06) [2006.01] |
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| H01L 51/56 | | . . | Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01] |
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