G	Sektion G — Physik	SECTION G — PHYSICS
	G11	Informationsspeicherung	INFORMATION STORAGE
	G11C	Statische Speicher (Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler G11B; Halbleiterbauelemente zur Speicherung H01L , z.B. H01L 27/108-H01L 27/115; Impulstechnik allgemein H03K , z.B. elektronische Schalter H03K 17/00)	STATIC STORES (information storage based on relative movement between record carrier and transducer G11B; semiconductor devices for storage H01L, e.g. H01L 27/108-H01L 27/115; pulse technique in general H03K, e.g. electronic switches H03K 17/00)
	G11C 17/00	Nur einmal programmierbare Festwertspeicher; Halbfestwertspeicher, z.B. mit manuell auswechselbaren Informationsträgerkarten (löschbare programmierbare Festwertspeicher G11C 16/00; Codieren, Decodieren oder Codeumsetzung allgemein H03M) [2, 5]	Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards (erasable programmable read-only memories G11C 16/00; coding, decoding or code conversion, in general H03M) [2, 5]
	G11C 17/08	.  mit Halbleiterbauelementen, z.B. bipolaren Bauelementen (G11C 17/06 , G11C 17/14 haben Vorrang) [5]	.  using semiconductor devices, e.g. bipolar elements (G11C 17/06, G11C 17/14 take precedence) [5]
	G11C 17/10	. .  in denen der Speicherinhalt während des Herstellungsvorgangs durch eine vorher festgelegte Anordnung von Koppelelementen bestimmt wird, z.B. maskenprogrammierbarer Festwertspeicher [ROM] [5]	. .  in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM [5]
	G11C 17/12	. . .  mit Feldeffekt-Bauelementen [5]	. . .  using field-effect devices [5]