G	Sektion G — Physik	SECTION G — PHYSICS
	G11	Informationsspeicherung	INFORMATION STORAGE
	G11C	Statische Speicher (Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler G11B; Halbleiterbauelemente zur Speicherung H01L , z.B. H01L 27/108-H01L 27/115; Impulstechnik allgemein H03K , z.B. elektronische Schalter H03K 17/00)	STATIC STORES (information storage based on relative movement between record carrier and transducer G11B; semiconductor devices for storage H01L, e.g. H01L 27/108-H01L 27/115; pulse technique in general H03K, e.g. electronic switches H03K 17/00)
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [5]	Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor (G11C 14/00-G11C 21/00 take precedence) [5]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2]	.  using electric elements [2]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [2]	. .  using semiconductor devices [2]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [2]	. . .  using transistors [2]
	G11C 11/41	. . . .  bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger [5]	. . . .  forming cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger [5]
	G11C 11/412	. . . . .  nur mit Feldeffekttransistoren [5]	. . . . .  using field-effect transistors only [5]