G	Sektion G — Physik	SECTION G — PHYSICS
	G11	Informationsspeicherung	INFORMATION STORAGE
	G11C	Statische Speicher (Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler G11B; Halbleiterbauelemente zur Speicherung H01L , z.B. H01L 27/108-H01L 27/115; Impulstechnik allgemein H03K , z.B. elektronische Schalter H03K 17/00)	STATIC STORES (information storage based on relative movement between record carrier and transducer G11B; semiconductor devices for storage H01L, e.g. H01L 27/108-H01L 27/115; pulse technique in general H03K, e.g. electronic switches H03K 17/00)
	G11C 5/00	Einzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C 11/00 umfasst sind	Details of stores covered by group G11C 11/00
	G11C 5/02	.  Räumliche Anordnungen von Speicherelementen, z.B. in der Form einer Matrix	.  Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
	G11C 5/04	. .  Halterungen für Speicherelemente; Anbringen oder Befestigen von Speicherelementen an diesen Halterungen	. .  Supports for storage elements; Mounting or fixing of storage elements on such supports
	G11C 5/05	. . .  Halterung der Kerne in der Matrix [2]	. . .  Supporting of cores in matrix [2]
	G11C 5/06	.  Anordnungen zur elektrischen Verbindung von Speicherelementen, z.B. durch Verdrahtung	.  Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
	G11C 5/08	. .  zur gegenseitigen Verbindung von magnetischen Elementen, z.B. von Ringkernen	. .  for interconnecting magnetic elements, e.g. toroidal cores
	G11C 5/10	. .  zur gegenseitigen Verbindung von Kondensatoren	. .  for interconnecting capacitors
	G11C 5/12	.  Geräte oder Verfahren zur gegenseitigen Verbindung von Speicherelementen, z.B. zum Einfädeln von Magnetkernen	.  Apparatus or processes for interconnecting storage elements, e.g. for threading magnetic cores
	G11C 5/14	.  Anordnungen zur Spannungsversorgung (Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193; allgemein G05F , H02J , H02M) [5, 7]	.  Power supply arrangements (auxiliary circuits for stores using semiconductor devices G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193; in general G05F, H02J, H02M) [5, 7]
	G11C 7/00	Anordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher (G11C 5/00 hat Vorrang; Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5]	Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store (G11C 5/00 takes precedence; auxiliary circuits for stores using semiconductor devices G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193) [2, 5]
	G11C 7/02	.  unter Vermeidung von Störsignalen	.  with means for avoiding parasitic signals
	G11C 7/04	.  unter Vermeidung von Störungen durch Temperatureinflüsse	.  with means for avoiding disturbances due to temperature effects
	G11C 7/06	.  Leseverstärker; zugehörige Schaltungen (Verstärker an sich H03F , H03K) [1, 7]	.  Sense amplifiers; Associated circuits (amplifiers per seH03F, H03K) [1, 7]
	G11C 7/08	. .  Steuerungen hierfür [7]	. .  Control thereof [7]
	G11C 7/10	.  Eingabe/Ausgabe [I/O]-Datenschnittstellenanordnungen, z.B. I/O-Datensteuerungen, I/O-Datenpuffer (Pegelumsetzer allgemein H03K 19/0175) [7]	.  Input/output (I/O) data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers (level conversion circuits in general H03K 19/0175) [7]
	G11C 7/12	.  Bitleitungssteuerungen, z.B. Treiber, Verstärker, Pull-up-Schaltungen, Pull-down-Schaltungen, Voraufladungsschaltungen, Entzerrerschaltungen für Bitleitungen [7]	.  Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines [7]
	G11C 7/14	.  Dummyzellenverwaltung; Lesevergleichsspannungserzeuger [7]	.  Dummy cell management; Sense reference voltage generators [7]
	G11C 7/16	.  Speichern von Analogsignalen in digitalen Speichern unter Verwendung von Anordnungen, die Analog/Digital [A/D]-Wandler, digitale Speicher und Digital/Analog [D/A]-Wandler umfassen [7]	.  Storage of analogue signals in digital stores using an arrangement comprising analogue/digital (A/D) converters, digital memories and digital/analogue (D/A) converters [7]
	G11C 7/18	.  Organisation der Bitleitungen; Layout der Bitleitungen [7]	.  Bit line organisation; Bit line lay-out [7]
	G11C 7/20	.  Initialisierungsschaltungen für Speicherzellen, z.B. während des Ein- oder Ausschaltens, Löschen des Speichers, latenter Bildspeicher [7]	.  Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory [7]
	G11C 7/22	.  Lese-/Schreib [R/W]-Zeitsteuerungs- oder Taktschaltungen; Erzeugung oder Verwaltung von Lese-/Schreib [R/W]-Steuersignalen [7]	.  Read-write (R-W) timing or clocking circuits; Read-write (R-W) control signal generators or management [7]
	G11C 7/24	.  Sicherheits- oder Schutzschaltungen für Speicherzellen, z.B. Anordnungen zur Verhinderung unbeabsichtigten Lesens oder Schreibens; Statuszellen; Testzellen [7]	.  Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells [7]
	G11C 8/00	Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher (für Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5]	Arrangements for selecting an address in a digital store (auxiliary circuits for stores using semiconductor devices G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193) [2, 5]
	G11C 8/02	.  unter Verwendung einer Auswahlmatrix [2]	.  using selecting matrix [2]
	G11C 8/04	.  mit sequenziell adressierender Einrichtung, z.B. Schieberegister, Zähler (Verwendung von FIFO-Registern zur Veränderung der Geschwindigkeit des digitalen Datenflusses G06F 5/06; Verwendung von LIFO-Registern zur Verarbeitung digitaler Daten durch Eingriff in deren Reihenfolge G06F 7/00) [5]	.  using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter (using first in first out (FIFO) registers for changing speed of digital data flow G06F 5/06; using last in first out (LIFO) registers for processing digital data by operating upon their order G06F 7/00) [5]
	G11C 8/06	.  Adressier-Schnittstellenanordnungen, z.B. Adressenpuffer (Pegelumwandlungsschaltungen allgemein H03K 19/0175) [7]	.  Address interface arrangements, e.g. address buffers (level conversion circuits in general H03K 19/0175) [7]
	G11C 8/08	.  Steuerungsschaltungen für Wortleitungen, z.B. Treiber, Verstärker, Pull-up-Schaltungen, Pull-down-Schaltungen, Voraufladungsschaltungen für Wortleitungen [7]	.  Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines [7]
	G11C 8/10	.  Decoder [7]	.  Decoders [7]
	G11C 8/12	.  Gruppenauswahlschaltungen, z.B. zur Speicherblockauswahl, Chipauswahl, Matrixauswahl [7]	.  Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection [7]
	G11C 8/14	.  Organisation der Wortleitungen; Layout der Wortleitungen [7]	.  Word line organisation; Word line lay-out [7]
	G11C 8/16	.  Speichermatrix mit Mehrfachzugriff, z.B. Adressieren eines Speicherelements über mindestens zwei unabhängige Adressleitungsgruppen [7]	.  Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups [7]
	G11C 8/18	.  Adressen-Zeitsteuerungs- oder Taktschaltungen; Erzeugung oder Verwaltung von Adressensteuersignalen, z.B. für Zeilenadresstakt-Signale [RAS] oder Spaltenadresstakt-Signale [CAS] [7]	.  Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe (RAS) or column address strobe (CAS) signals [7]
	G11C 8/20	.  Sicherheits- oder Schutzschaltungen für Adressen, d.h. Anordnungen zur Verhinderung unberechtigter oder unbeabsichtigter Zugriffe [7]	.  Address safety or protection circuits, i.e. arrangements for preventing unauthorized or accidental access [7]
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [5]	Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor (G11C 14/00-G11C 21/00 take precedence) [5]
	G11C 11/02	.  mit magnetischen Elementen	.  using magnetic elements
	G11C 11/04	. .  mit zylinderförmigen Speicherelementen, z.B. Stab, Draht (G11C 11/12 , G11C 11/14 haben Vorrang) [2]	. .  using storage elements having cylindrical form, e.g. rod, wire (G11C 11/12, G11C 11/14 take precedence) [2]
	G11C 11/06	. .  mit Speicherlementen mit einer einzigen Öffnung, z.B. Ringkern; mit Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet	. .  using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
	G11C 11/061	. . .  mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen gelöscht wird [2]	. . .  using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for destructive read-out [2]
	G11C 11/063	. . . .  bit-organisiert, z.B. 2L/2D-, 3D-Organisation, d.h. organisiert zur Auswahl eines Elements mit wenigstens zwei koinzidenten Teilströmen sowohl zum Auslesen als auch zum Einschreiben [2]	. . . .  bit-organized, such as, 2L/2D-, 3D-organization, i.e. for selection of an element by means of at least two coincident partial currents both for reading and for writing [2]
	G11C 11/065	. . . .  wort-organisiert, z.B. mit 2D-Organisation oder lineare Auswahl, d.h. organisiert zur Auswahl aller Elemente eines Wortes mittels eines einzigen Vollstroms beim Auslesen [2]	. . . .  word-organized, such as 2D-organization, or linear selection, i.e. for selection of all the elements of a word by means of a single full current for reading [2]
	G11C 11/067	. . .  mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen nicht gelöscht wird [2]	. . .  using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for non-destructive read-out [2]
	G11C 11/08	. .  mit Speicherelementen mit mehreren Öffnungen, z.B. Transfluxoren; mit Platten, die verschiedene, jeweils mit mehreren Öffnungen versehene Speicherelemente bilden (G11C 11/10 hat Vorrang; Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet G11C 11/06) [2]	. .  using multi-aperture storage elements, e.g. using transfluxors; using plates incorporating several individual multi-aperture storage elements (G11C 11/10 takes precedence; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element G11C 11/06) [2]
	G11C 11/10	. .  mit mehraxialen Speicherelementen	. .  using multi-axial storage elements
	G11C 11/12	. .  mit Tensoren; mit Twistoren, d.h. mit Elementen, in denen eine Achse der Magnetisierung gedreht ist	. .  using tensors; using twistors, i.e. elements in which one axis of magnetisation is twisted
	G11C 11/14	. .  mit Dünnschichtelementen	. .  using thin-film elements
	G11C 11/15	. . .  mit mehreren magnetischen Schichten (G11C 11/155 hat Vorrang) [2]	. . .  using multiple magnetic layers (G11C 11/155 takes precedence) [2]
	G11C 11/155	. . .  mit zylindrischer Konfiguration [2]	. . .  with cylindrical configuration [2]
	G11C 11/16	. .  mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht	. .  using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
	G11C 11/18	.  mit Halleffekt-Elementen	.  using Hall-effect devices
	G11C 11/19	.  mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2]	.  using non-linear reactive devices in resonant circuits [2]
	G11C 11/20	. .  mit Parametrons [2]	. .  using parametrons [2]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2]	.  using electric elements [2]
	G11C 11/22	. .  mit ferroelektrischen Elementen [2]	. .  using ferroelectric elements [2]
	G11C 11/23	. .  mit elektrostatischer Speicherung auf einer gemeinsamen Schicht, z.B. Forrester-Haeff-Röhren (G11C 11/22 hat Vorrang) [2]	. .  using electrostatic storage on a common layer, e.g. Forrester-Haeff tubes (G11C 11/22 takes precedence) [2]
	G11C 11/24	. .  mit Kondensatoren (G11C 11/22 hat Vorrang; in Kombination mit Halbleitern und Kondensatoren G11C 11/34 , z.B. G11C 11/40) [2, 5]	. .  using capacitors (G11C 11/22 takes precedence; using a combination of semiconductor devices and capacitors G11C 11/34, e.g. G11C 11/40) [2, 5]
	G11C 11/26	. .  mit Entladungsröhren [2]	. .  using discharge tubes [2]
	G11C 11/28	. . .  mit gasgefüllten Röhren [2]	. . .  using gas-filled tubes [2]
	G11C 11/30	. . .  mit Hochvakuumröhren (G11C 11/23 hat Vorrang) [2]	. . .  using vacuum tubes (G11C 11/23 takes precedence) [2]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [2]	. .  using semiconductor devices [2]
	G11C 11/35	. . .  mit Ladungsspeicherung in einer Verarmungsschicht, z.B. ladungsgekoppelte Bauelemente [Charge Coupled Devices = CCD] [7]	. . .  with charge storage in a depletion layer, e.g. charge coupled devices [7]
	G11C 11/36	. . .  mit Dioden, z.B. als Schwellwertelemente [2]	. . .  using diodes, e.g. as threshold elements [2]
	G11C 11/38	. . . .  mit Tunneldioden [2]	. . . .  using tunnel diodes [2]
	G11C 11/39	. . .  mit Thyristoren [5]	. . .  using thyristors [5]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [2]	. . .  using transistors [2]
	G11C 11/401	. . . .  bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5]	. . . .  forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells [5]
	G11C 11/402	. . . . .  mit Ladungsregeneration für jede einzelne Speicherzelle, d.h. interne Auffrischung [5]	. . . . .  with charge regeneration individual to each memory cell, i.e. internal refresh [5]
	G11C 11/403	. . . . .  mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5]	. . . . .  with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh [5]
	G11C 11/404	. . . . . .  mit einer Ladungstransferstrecke pro Zelle, z.B. MOS-Transistor [5]	. . . . . .  with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell [5]
	G11C 11/405	. . . . . .  mit drei Ladungstransferstrecken pro Zelle, z.B. MOS- Transistoren [5]	. . . . . .  with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell [5]
	G11C 11/406	. . . . .  Überwachung oder Regelung der Auffrisch- oder Ladungsregenerationszyklen [5]	. . . . .  Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles [5]
	G11C 11/4063	. . . . .  Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung [7]	. . . . .  Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing [7]
	G11C 11/4067	. . . . . .  für bipolare Speicherzellen [7]	. . . . . .  for memory cells of the bipolar type [7]
	G11C 11/407	. . . . . .  Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen [5]	. . . . . .  for memory cells of the field-effect type [5]
	G11C 11/4072	. . . . . . .  Schaltungen zum Initialisieren, zum Einschalten, zum Abschalten in den Ruhezustand, zum Löschen des Speichers oder zum Voreinstellen [7]	. . . . . . .  Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting [7]
	G11C 11/4074	. . . . . . .  Schaltungen zur Stromversorgung oder zur Spannungserzeugung, z.B. Vorspannungserzeuger, Substratspannungserzeuger, Reservestromversorgung, Stromversorgungssteuerung [7]	. . . . . . .  Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits [7]
	G11C 11/4076	. . . . . . .  Zeitsteuerungen (zur Überwachung der Regeneration G11C 11/406) [7]	. . . . . . .  Timing circuits (for regeneration management G11C 11/406) [7]
	G11C 11/4078	. . . . . . .  Sicherheits- oder Schutzschaltungen, z.B. zum Verhindern des versehentlichen oder unberechtigten Lesens oder Schreibens; Zustandszellen; Prüfzellen (Schutz des Speicherinhalts während des Prüfens oder Testens G11C 29/52) [7]	. . . . . . .  Safety or protection circuits, e.g. for preventing inadvertent or unauthorised reading or writing; Status cells; Test cells (protection of memory contents during checking or testing G11C 29/52) [7]
	G11C 11/408	. . . . . . .  Adressierschaltungen [5]	. . . . . . .  Address circuits [5]
	G11C 11/409	. . . . . . .  Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]	. . . . . . .  Read-write (R-W) circuits [5]
	G11C 11/4091	. . . . . . . .  Abtast- oder Abtast/Refresh-Verstärker oder verwandte Abtastschaltungen, z.B. gekoppeltes Vorladen, Ausgleichen oder Isolieren der Bitleitungen [7]	. . . . . . . .  Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating [7]
	G11C 11/4093	. . . . . . . .  Anordnungen für Dateneingabe-/Datenausgabe[I/O]-Schnittstellen, z.B. Datenpuffer (Pegelumsetzer allgemein H03K 19/0175) [7]	. . . . . . . .  Input/output (I/O) data interface arrangements, e.g. data buffers (level conversion circuits in general H03K 19/0175) [7]
	G11C 11/4094	. . . . . . . .  Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Bitleitungen [7]	. . . . . . . .  Bit-line management or control circuits [7]
	G11C 11/4096	. . . . . . . .  Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Dateneingabe/-ausgabe [I/O], z.B. Lese- oder Schreibschaltungen, I/O-Treiber, Bitleitungsschalter [7]	. . . . . . . .  Input/output (I/O) data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers, bit-line switches [7]
	G11C 11/4097	. . . . . . . .  Bitleitungsorganisation, z. B. bit-line layout, folded bit-lines [7]	. . . . . . . .  Bit-line organisation, e.g. bit-line layout, folded bit lines [7]
	G11C 11/4099	. . . . . . . .  Behandlung von Leerzellen; Referenzspannungserzeuger [7]	. . . . . . . .  Dummy cell treatment; Reference voltage generators [7]
	G11C 11/41	. . . .  bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger [5]	. . . .  forming cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger [5]
	G11C 11/411	. . . . .  nur mit Bipolartransistoren [5]	. . . . .  using bipolar transistors only [5]
	G11C 11/412	. . . . .  nur mit Feldeffekttransistoren [5]	. . . . .  using field-effect transistors only [5]
	G11C 11/413	. . . . .  Zusatzschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung oder Leistungsreduzierung [5]	. . . . .  Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction [5]
	G11C 11/414	. . . . . .  für bipolare Speicherzellen [5]	. . . . . .  for memory cells of the bipolar type [5]
	G11C 11/415	. . . . . . .  Adressierschaltungen [5]	. . . . . . .  Address circuits [5]
	G11C 11/416	. . . . . . .  Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]	. . . . . . .  Read-write (R-W) circuits [5]
	G11C 11/417	. . . . . .  für Feldeffekt-Speicherzellen [5]	. . . . . .  for memory cells of the field-effect type [5]
	G11C 11/418	. . . . . . .  Adressierschaltungen [5]	. . . . . . .  Address circuits [5]
	G11C 11/419	. . . . . . .  Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]	. . . . . . .  Read-write (R-W) circuits [5]
	G11C 11/4193	. . .  für spezielle Halbleiterspeicherbauelemente typische Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Treiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung, Stromversorgung, Signalausbreitung (G11C 11/4063 , G11C 11/413 haben Vorrang) [7]	. . .  Auxiliary circuits specific to particular types of semiconductor storage devices, e.g. for addressing, driving, sensing, timing, power supply, signal propagation (G11C 11/4063, G11C 11/413 take precedence) [7]
	G11C 11/4195	. . . .  Adressierschaltungen [7]	. . . .  Address circuits [7]
	G11C 11/4197	. . . .  Schreib-/Lese[R/W]-Schaltungen [7]	. . . .  Read-write (R-W) circuits [7]
	G11C 11/42	. .  mit optoelektrischen Bauelementen, d.h. elektrisch oder optisch gekoppelten lichtemittierenden und fotoelektrischen Bauelementen	. .  using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
	G11C 11/44	. .  mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotron [2]	. .  using super-conductive elements, e.g. cryotron [2]
	G11C 11/46	.  mit thermoplastischen Elementen	.  using thermoplastic elements
	G11C 11/48	.  mit verschiebbaren Koppelelementen, z.B. mit ferromagnetischen Kernen, zum Kippen zwischen verschiedenen Zuständen einer induktiven Kopplung oder Selbstinduktion	.  using displaceable coupling elements, e.g. ferromagnetic cores, to produce change between different states of mutual or self-inductance
	G11C 11/50	.  mit elektrischen Kontakten zur Speicherung von Informationen (mechanische Speicher G11C 23/00; Schalter, mit denen durch eine einzige manuelle Betätigung des Betätigungsteiles eine ausgewählte Anzahl von aufeinanderfolgenden Schaltvorgängen bewirkt wird H01H 41/00)	.  using actuation of electric contacts to store the information (mechanical stores G11C 23/00; switches providing a selected number of consecutive operations of the contacts by a single manual actuation of the operating part H01H 41/00)
	G11C 11/52	. .  mit elektromagnetischen Relais	. .  using electromagnetic relays
	G11C 11/54	.  mit Elementen zur Simulierung von biologischen Zellen, z.B. Neuronen	.  using elements simulating biological cells, e.g. neuron
	G11C 11/56	.  mit Speicherelementen mit mehr als zwei stabilen Zuständen, die durch Stufen, z.B. von Spannung, Strom, Phase, Frequenz repräsentiert sind (Zählanordnungen, die multistabile Elemente dieser Art aufweisen H03K 25/00 , H03K 29/00) [2]	.  using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency (counting arrangements comprising multi-stable elements of this type H03K 25/00, H03K 29/00) [2]
	G11C 13/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C 11/00 , G11C 23/00 oder G11C 25/00 umfasst sind	Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C 11/00, G11C 23/00, or G11C 25/00
	G11C 13/02	.  mit Elementen, deren Wirkungsweise auf chemischen Änderungen beruht (Verwendung elektrochemischer Ladung G11C 11/00)	.  using elements whose operation depends upon chemical change (using electrochemical charge G11C 11/00)
	G11C 13/04	.  mit optischen Elementen	.  using optical elements
	G11C 13/06	. .  mit magnetooptischen Elementen (Magnetooptik allgemein G02F) [2]	. .  using magneto-optical elements (magneto-optics in general G02F) [2]
	G11C 14/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch Speicherzellenanordnungen mit flüchtigem und nichtflüchtigem Speicherverhalten zum Informationserhalt bei ausgefallener Spannung [5]	Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down [5]
	G11C 15/00	Digitale Speicher, in denen eine mit einem oder mehreren charakteristischen Teilen versehene Information eingeschrieben und dadurch ausgelesen wird, dass der oder die charakteristischen Teile aufgesucht werden, d.h. assoziative oder inhaltsadressierte Speicher (Speicher, in denen Informationen an einen bestimmten Speicherplatz gebunden sind G11C 11/00) [2]	Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores (in which information is addressed to a specific location G11C 11/00) [2]
	G11C 15/02	.  mit magnetischen Elementen [2]	.  using magnetic elements [2]
	G11C 15/04	.  mit Halbleiterelementen [2]	.  using semiconductor elements [2]
	G11C 15/06	.  mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotrons [2]	.  using cryogenic elements [2]
	G11C 16/00	Löschbare, programmierbare Festwertspeicher (G11C 14/00 hat Vorrang) [5]	Erasable programmable read-only memories (G11C 14/00 takes precedence) [5]
	G11C 16/02	.  elektrisch programmierbar [5]	.  electrically programmable [5]
	G11C 16/04	. .  unter Verwendung von Transistoren mit variablem Schwellenwert, z.B. FAMOS [5]	. .  using variable threshold transistors, e.g. FAMOS [5]
	G11C 16/06	. .  Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher (allgemein G11C 7/00) [5]	. .  Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory (in general G11C 7/00) [5]
	G11C 16/08	. . .  Adressierschaltungen; Decoder; Steuerschaltungen für Wortleitungen [7]	. . .  Address circuits; Decoders; Word-line control circuits [7]
	G11C 16/10	. . .  Programmier- oder Dateneingabeschaltungen [7]	. . .  Programming or data input circuits [7]
	G11C 16/12	. . . .  Programmierspannungsschaltungen [7]	. . . .  Programming voltage switching circuits [7]
	G11C 16/14	. . . .  elektrische Löschschaltungen, z.B. Löschspannungsschaltungen [7]	. . . .  Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits [7]
	G11C 16/16	. . . . .  zum Löschen von Blöcken, z.B. Arrays, Wörter, Gruppen [7]	. . . . .  for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups [7]
	G11C 16/18	. . . .  Optische Löschschaltungen [7]	. . . .  Circuits for erasing optically [7]
	G11C 16/20	. . . .  Initialisierung; Datenvoreinstellung; Chipidentifizierung [7]	. . . .  Initialising; Data preset; Chip identification [7]
	G11C 16/22	. . .  Sicherheits- oder Schutzschaltungen zur Verhinderung des unerlaubten oder zufälligen Zugriffs auf Speicherzellen [7]	. . .  Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells [7]
	G11C 16/24	. . .  Bitleitungskontrollschaltungen [7]	. . .  Bit-line control circuits [7]
	G11C 16/26	. . .  Abtast- oder Leseschaltungen; Datenausgabeschaltungen [7]	. . .  Sensing or reading circuits; Data output circuits [7]
	G11C 16/28	. . . .  mit differenzieller Abtastung oder mit Referenzzellen, z.B. Leerzellen [7]	. . . .  using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells [7]
	G11C 16/30	. . .  Spannungsversorgungsschaltungen [7]	. . .  Power supply circuits [7]
	G11C 16/32	. . .  Zeitgeberschaltungen [7]	. . .  Timing circuits [7]
	G11C 16/34	. . .  Ermitteln des Programmierzustands, z.B. Schwellenspannung, Über- oder Unterprogrammierung, Datenhaltung [7]	. . .  Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention [7]
	G11C 17/00	Nur einmal programmierbare Festwertspeicher; Halbfestwertspeicher, z.B. mit manuell auswechselbaren Informationsträgerkarten (löschbare programmierbare Festwertspeicher G11C 16/00; Codieren, Decodieren oder Codeumsetzung allgemein H03M) [2, 5]	Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards (erasable programmable read-only memories G11C 16/00; coding, decoding or code conversion, in general H03M) [2, 5]
	G11C 17/02	.  mit magnetischen oder induktiven Elementen oder mit magnetischer oder induktiver Kopplung (G11C 17/14 hat Vorrang) [2, 5]	.  using magnetic or inductive elements (G11C 17/14 takes precedence) [2, 5]
	G11C 17/04	.  mit kapazitiven Elementen oder kapazitiver Kopplung (G11C 17/06 , G11C 17/14 haben Vorrang) [2, 5]	.  using capacitive elements (G11C 17/06, G11C 17/14 take precedence) [2, 5]
	G11C 17/06	.  mit Dioden oder mit Dioden-Kopplung (G11C 17/14 hat Vorrang) [2, 5]	.  using diode elements (G11C 17/14 takes precedence) [2, 5]
	G11C 17/08	.  mit Halbleiterbauelementen, z.B. bipolaren Bauelementen (G11C 17/06 , G11C 17/14 haben Vorrang) [5]	.  using semiconductor devices, e.g. bipolar elements (G11C 17/06, G11C 17/14 take precedence) [5]
	G11C 17/10	. .  in denen der Speicherinhalt während des Herstellungsvorgangs durch eine vorher festgelegte Anordnung von Koppelelementen bestimmt wird, z.B. maskenprogrammierbarer Festwertspeicher [ROM] [5]	. .  in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM [5]
	G11C 17/12	. . .  mit Feldeffekt-Bauelementen [5]	. . .  using field-effect devices [5]
	G11C 17/14	.  in denen der Speicherinhalt durch selektives Herstellen, Unterbrechen oder Ändern von Verbindungsstellen durch bleibende Änderung des Zustands von Koppelelementen bestimmt wird, z.B. PROM [5]	.  in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM [5]
	G11C 17/16	. .  mit Koppelelementen, die die Funktion einer elektrischen Sicherung aufweisen [5]	. .  using electrically-fusible links [5]
	G11C 17/18	. .  Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher (allgemein G11C 7/00) [5]	. .  Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory (in general G11C 7/00) [5]
	G11C 19/00	Digitale Speicher, in denen die Information schrittweise bewegt wird, z.B. Schieberegister (Zählketten H03K 23/00)	Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers (counting chains H03K 23/00)
	G11C 19/02	.  mit magnetischen Elementen (G11C 19/14 hat Vorrang) [2]	.  using magnetic elements (G11C 19/14 takes precedence) [2]
	G11C 19/04	. .  mit Kernen mit einer Öffnung oder einem Magnetkreis [2]	. .  using cores with one aperture or magnetic loop [2]
	G11C 19/06	. .  mit mehreren Öffnungen oder Magnetkreisen, z.B. Transfluxoren [2]	. .  using structures with a number of apertures or magnetic loops, e.g. transfluxors [2]
	G11C 19/08	. .  mit dünnen Filmen in ebener Anordnung [2]	. .  using thin films in plane structure [2]
	G11C 19/10	. .  mit dünnen Filmen auf Stäben; mit Twistoren [2]	. .  using thin films on rods; with twistors [2]
	G11C 19/12	.  mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2]	.  using non-linear reactive devices in resonant circuits [2]
	G11C 19/14	.  mit magnetischen Elementen in Kombination mit aktiven Elementen, z.B. mit Entladungsröhren, mit Halbleiterbauelementen (G11C 19/34 hat Vorrang) [2, 7]	.  using magnetic elements in combination with active elements, e.g. discharge tubes, semiconductor elements (G11C 19/34 takes precedence) [2, 7]
	G11C 19/18	.  mit Kondensatoren als Hauptelemente der Stufen [2]	.  using capacitors as main elements of the stages [2]
	G11C 19/20	.  mit Entladungsröhren (G11C 19/14 hat Vorrang) [2]	.  using discharge tubes (G11C 19/14 takes precedence) [2]
	G11C 19/28	.  mit Halbleiterbauelementen (G11C 19/14 , G11C 19/36 haben Vorrang) [2, 7]	.  using semiconductor elements (G11C 19/14, G11C 19/36 take precedence) [2, 7]
	G11C 19/30	.  mit optoelektronischen Anordnungen, d.h. lichtemittierenden und fotoelektrischen Anordnungen, die elektrisch oder optisch gekoppelt sind [2]	.  using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled [2]
	G11C 19/32	.  mit supraleitenden Elementen [2]	.  using super-conductive elements [2]
	G11C 19/34	.  mit Speicherelementen, die mehr als zwei stabile, durch Stufen verkörperte Zustände aufweisen, z.B. Spannung, Strom, Phase, Frequenz [7]	.  using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency [7]
	G11C 19/36	. .  mit Halbleiterbauelementen [7]	. .  using semiconductor elements [7]
	G11C 19/38	.  zweidimensional, z.B. horizontale und vertikale Schieberegister [7]	.  two-dimensional, e.g. horizontal and vertical shift registers [7]
	G11C 21/00	Digitale Speicher, in denen die Information zirkuliert (schrittweise G11C 19/00)	Digital stores in which the information circulates (stepwise G11C 19/00)
	G11C 21/02	.  mit elektromechanischen Verzögerungsleitungen, z.B. mit Quecksilber-Behälter	.  using electromechanical delay lines, e.g. using a mercury tank
	G11C 23/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Bewegung mechanischer Teile zur Herstellung eines Speichereffektes, z.B. Kugeln; Speicherelemente hierfür (Speicherung durch Betätigen von Kontakten G11C 11/48)	Digital stores characterised by movement of mechanical parts to effect storage, e.g. using balls; Storage elements therefor (storing by actuating contacts G11C 11/48)
	G11C 25/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung fließfähiger Medien; Speicherelemente hierfür	Digital stores characterised by the use of flowing media; Storage elements therefor
	G11C 27/00	Elektrische Analogspeicher, z.B. zur Speicherung von Augenblickswerten	Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
	G11C 27/02	.  Abtast- und Speicheranordnungen (G11C 27/04 hat Vorrang; Abtasten elektrischer Signale allgemein H03K) [2, 4]	.  Sample-and-hold arrangements (G11C 27/04 takes precedence; sampling electrical signals, in general H03K) [2, 4]
	G11C 27/04	.  Schieberegister (ladungsgekoppelte Bauelemente an sich H01L 29/76) [4]	.  Shift registers (charge coupled devices per seH01L 29/76) [4]
	G11C 29/00	Prüfen von Speichern auf richtige Arbeitsweise; Testen von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs [1, 2006.01]	Checking stores for correct operation; Testing stores during standby or offline operation [1, 2006.01]
	G11C 29/02	.  Ermitteln oder Lokalisieren defekter Hilfsschaltungen, z.B. defekter Refresh- Zähler [2006.01]	.  Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters [2006.01]
	G11C 29/04	.  Ermitteln oder Lokalisieren defekter Speicherelemente [2006.01]	.  Detection or location of defective memory elements [2006.01]
	G11C 29/06	. .  zeitraffende Prüfung [2006.01]	. .  Acceleration testing [2006.01]
	G11C 29/08	. .  Funktionsprüfung, z.B. Prüfung während einer Auffrischung, Einschalt-Selbsttest [ power- on self testing (POST)] oder verteilter Prüfung [2006.01]	. .  Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing (POST) or distributed testing [2006.01]
	G11C 29/10	. . .  Prüfalgorithmen, z.B. Speicher- Scan- Algorithmen (MScan); Prüfmuster, z.B. Schachbrettmuster [2006.01]	. . .  Test algorithms, e.g. memory scan (MScan) algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns [2006.01]
	G11C 29/12	. . .  eingebaute Prüfanordnungen, z.B. eingebauter Selbsttest (BIST) [2006.01]	. . .  Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing (BIST) [2006.01]
	G11C 29/14	. . . .  Implementierung von Steuerlogik, z.B. Testmodusdecoder [2006.01]	. . . .  Implementation of control logic, e.g. test mode decoders [2006.01]
	G11C 29/16	. . . . .  unter Verwendung mikroprogrammierter Einheiten, z.B. Zustandsmaschinen [2006.01]	. . . . .  using microprogrammed units, e.g. state machines [2006.01]
	G11C 29/18	. . . .  Adressengeneratoren; Einrichtungen für Speicherzugriff, z.B. Einzelheiten von Adressierschaltungen [2006.01]	. . . .  Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits [2006.01]
	G11C 29/20	. . . . .  unter Verwendung von Zählern oder Schieberegistern mit linearer Rückkopplung (LFSR) [2006.01]	. . . . .  using counters or linear-feedback shift registers (LFSR) [2006.01]
	G11C 29/22	. . . . .  Zugriff auf serielle Speicher [2006.01]	. . . . .  Accessing serial memories [2006.01]
	G11C 29/24	. . . . .  Zugriff auf Zusatzzellen, z.B. Dummy-Zellen oder redundante Zellen [2006.01]	. . . . .  Accessing extra cells, e.g. dummy cells or redundant cells [2006.01]
	G11C 29/26	. . . . .  Zugriff auf Mehrfach-Arrays (G11C 29/24 hat Vorrang) [2006.01]	. . . . .  Accessing multiple arrays (G11C 29/24 takes precedence) [2006.01]
	G11C 29/28	. . . . . .  Abhängige Mehrfach-Arrays, z.B. Multibit-Arrays [2006.01]	. . . . . .  Dependent multiple arrays, e.g. multi-bit arrays [2006.01]
	G11C 29/30	. . . . .  Zugriff auf Einfach-Arrays [2006.01]	. . . . .  Accessing single arrays [2006.01]
	G11C 29/32	. . . . . .  serieller Zugriff; Scan- Test [2006.01]	. . . . . .  Serial access; Scan testing [2006.01]
	G11C 29/34	. . . . . .  simultaner Zugriff auf mehrere Bits [2006.01]	. . . . . .  Accessing multiple bits simultaneously [2006.01]
	G11C 29/36	. . . .  Bauelemente zur Datenerzeugung, z.B. Dateninverter [2006.01]	. . . .  Data generation devices, e.g. data inverters [2006.01]
	G11C 29/38	. . . .  Bauelemente zur Überprüfung der Antwort [2006.01]	. . . .  Response verification devices [2006.01]
	G11C 29/40	. . . . .  Unter Verwendung von Kompressionstechniken [2006.01]	. . . . .  using compression techniques [2006.01]
	G11C 29/42	. . . . .  Unter Verwendung von Fehlerkorrekturcodes (ECC) oder Paritätsprüfung [2006.01]	. . . . .  using error correcting codes (ECC) or parity check [2006.01]
	G11C 29/44	. . . .  Anzeige oder Feststellung von Fehlern, z.B. zur Reparatur [2006.01]	. . . .  Indication or identification of errors, e.g. for repair [2006.01]
	G11C 29/46	. . . .  Testauslöselogik [2006.01]	. . . .  Test trigger logic [2006.01]
	G11C 29/48	. . .  Anordnungen in statischen Speichern speziell angepasst an die Prüfung mit Mitteln außerhalb des Speichers, z.B. unter Verwendung von direktem Speicherzugriff (DMA) oder unter Verwendung externer Zugriffspfade (externe Prüfsysteme G11C 29/56) [2006.01]	. . .  Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access (DMA) or using auxiliary access paths (external testing equipment G11C 29/56) [2006.01]
	G11C 29/50	. .  Grenzwertprüfung, z.B. Race, Spannungs- oder Stromprüfung [2006.01]	. .  Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing [2006.01]
	G11C 29/52	.  Schutz von Speicherinhalten; Fehlererkennung in Speicherinhalten [2006.01]	.  Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents [2006.01]
	G11C 29/54	.  Anordnungen zum Entwurf von Testschaltungen, z.B. design for test (DFT) tools [2006.01]	.  Arrangements for designing test circuits, e.g. design for test (DFT) tools [2006.01]
	G11C 29/56	.  externe Prüfsysteme für statische Speicher, z.B. automatische Testsysteme (ATE); Schnittstellen hierfür [2006.01]	.  External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment (ATE); Interfaces therefor [2006.01]
	G11C 99/00	Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2006.01]	Subject matter not provided for in other groups of this subclass [2006.01]