C	Sektion C — Chemie; Hüttenwesen	SECTION C — CHEMISTRY; METALLURGY
	C30	Züchten von Kristallen (Trennen durch Kristallisation allgemein B01D 9/00) [3]	CRYSTAL GROWTH (separation by crystallisation in general B01D 9/00) [3]
	C30B	Züchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06); Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B); Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F); Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L); Apparate hierfür [3]	SINGLE-CRYSTAL GROWTH (by using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds B01J 3/06); UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL (zone-refining of metals or alloys C22B); PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE (casting of metals, casting of other substances by the same processes or devices B22D; working of plastics B29; modifying the physical structure of metals or alloys C21D, C22F); SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE (for producing semiconductor devices or parts thereof H01L); APPARATUS THEREFOR [3]
		Einkristallwachstum aus festen Stoffen oder Gelen [3]	Single-crystal growth from solids or gels [3]
	C30B 1/00	Einkristallwachstum direkt aus dem festen Zustand (gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen C30B 3/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]	Single-crystal growth directly from the solid state (unidirectional demixing of eutectoid materials C30B 3/00; under a protective fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 1/02	.  durch Wärmebehandlung, z.B. Ausglühen von Gitterspannungen (C30B 1/12 hat Vorrang) [3]	.  by thermal treatment, e.g. strain annealing (C30B 1/12 takes precedence) [3]
	C30B 1/04	. .  Isotherme Rekristallisation [3]	. .  Isothermal recrystallisation [3]
	C30B 1/06	. .  Rekristallisation unter einem Temperaturgradienten [3]	. .  Recrystallisation under a temperature gradient [3]
	C30B 1/08	. . .  Zonenrekristallisation [3]	. . .  Zone recrystallisation [3]
	C30B 1/10	.  durch Feststoffreaktion oder Mehrphasen- Diffusion [3]	.  by solid state reactions or multi-phase diffusion [3]
	C30B 1/12	.  durch Druckbehandlung während des Wachstums [3]	.  by pressure treatment during the growth [3]
	C30B 3/00	Gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen [3]	Unidirectional demixing of eutectoid materials [3]
	C30B 5/00	Einkristallwachstum aus Gelen (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]	Single-crystal growth from gels (under a protective fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 5/02	.  unter Zugabe von Dotierstoffen [3]	.  with addition of doping materials [3]
		Einkristallwachstum aus Flüssigkeiten; gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]	Single-crystal growth from liquids; Unidirectional solidification of eutectic materials [3]
	C30B 7/00	Einkristallwachstum aus Lösungen unter Verwendung von Lösungsmitteln, die bei normaler Temperatur flüssig sind, z.B. wässrige Lösungen (aus geschmolzenen Lösungsmitteln C30B 9/00; durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]	Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions (from molten solvents C30B 9/00; by normal or gradient freezing C30B 11/00; under a protective fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 7/02	.  durch Verdampfung des Lösungsmittels [3]	.  by evaporation of the solvent [3]
	C30B 7/04	. .  unter Verwendung von wässrigen Lösungsmitteln [3]	. .  using aqueous solvents [3]
	C30B 7/06	. .  unter Verwendung von nichtwässrigen Lösungsmitteln [3]	. .  using non-aqueous solvents [3]
	C30B 7/08	.  durch Abkühlen der Lösung [3]	.  by cooling of the solution [3]
	C30B 7/10	.  durch Anwendung von Druck, z.B. hydrothermale Verfahren [3]	.  by application of pressure, e.g. hydrothermal processes [3]
	C30B 7/12	.  durch Elektrolyse [3]	.  by electrolysis [3]
	C30B 7/14	.  die auskristallisierenden Stoffe werden durch chemische Reaktionen in der Lösung gebildet [3]	.  the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution [3]
	C30B 9/00	Einkristallwachstum aus Lösungsschmelzen unter Verwendung von geschmolzenen Lösungsmitteln (durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; durch Zonenschmelzen C30B 13/00; Kristallziehen C30B 15/00; auf einem eingetauchten Keimkristall C30B 17/00; durch Flüssigphasen-Epitaxie C30B 19/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]	Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents (by normal or gradient freezing C30B 11/00; by zone-melting C30B 13/00; by crystal pulling C30B 15/00; on immersed seed crystal C30B 17/00; by liquid phase epitaxial growth C30B 19/00; under a protective fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 9/02	.  durch Verdampfen des geschmolzenen Lösungsmittels [3]	.  by evaporation of the molten solvent [3]
	C30B 9/04	.  durch Kühlen der Lösung [3]	.  by cooling of the solution [3]
	C30B 9/06	. .  unter Verwendung von einer Komponente der Kristallverbindung als Lösungsmittel [3]	. .  using as solvent a component of the crystal composition [3]
	C30B 9/08	. .  unter Verwendung von anderen Lösungsmitteln [3]	. .  using other solvents [3]
	C30B 9/10	. . .  metallische Lösungsmittel [3]	. . .  Metal solvents [3]
	C30B 9/12	. . .  Salze als Lösungsmittel, z.B. Wachstum aus Schmelzen mit Flussmitteln [3]	. . .  Salt solvents, e.g. flux growth [3]
	C30B 9/14	.  durch Elektrolyse [3]	.  by electrolysis [3]
	C30B 11/00	Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman- Stockbarger-Methode (C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 haben Vorrang; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]	Single-crystal-growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman- Stockbarger method (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 take precedence; under a protective fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 11/02	.  ohne Lösungsmittel (C30B 11/06 hat Vorrang) [3]	.  without using solvents (C30B 11/06 takes precedence) [3]
	C30B 11/04	.  Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3]	.  adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt [3]
	C30B 11/06	. .  wobei wenigstens eine, aber nicht alle Komponenten der Kristallverbindung zugegeben werden [3]	. .  at least one but not all components of the crystal composition being added [3]
	C30B 11/08	. .  wobei alle Komponenten der Kristallverbindung während der Kristallisation zugegeben werden [3]	. .  every component of the crystal composition being added during the crystallisation [3]
	C30B 11/10	. . .  feste oder flüssige Komponenten, z.B. Verneuil-Methode [3]	. . .  Solid or liquid components, e.g. Verneuil method [3]
	C30B 11/12	. . .  dampfförmige Komponenten, z.B. VLS- [vapour-liquid-solid] Verfahren [3]	. . .  Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth [3]
	C30B 11/14	.  gekennzeichnet durch den Keimkristall, z.B. seine kristallografische Orientierung [3]	.  characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation [3]
	C30B 13/00	Erzeugen von Einkristallen durch Zonenschmelzen; Reinigen durch Zonenschmelzen (C30B 17/00 hat Vorrang; durch Ändern des Querschnitts des behandelten festen Stoffes C30B 15/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00; für das Wachstum von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur C30B 28/00; Zonenreinigen von besonderen Stoffen siehe die entsprechenden Unterklassen für die Stoffe) [3, 5]	Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting (C30B 17/00 takes precedence; by changing the cross-section of the treated solid C30B 15/00; under a protective fluid C30B 27/00; for the growth of homogeneous polycrystalline material with defined structure C30B 28/00; zone-refining of specific materials, see the relevant subclasses for the materials) [3, 5]
	C30B 13/02	.  Zonenschmelzen mit einem Lösungsmittel, z.B. travelling-solvent-Methode [Verwendung einer wandernden Schmelzlösungsmittelzone] [3]	.  Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process [3]
	C30B 13/04	.  Homogenisieren durch "zone-levelling" [3]	.  Homogenisation by zone-levelling [3]
	C30B 13/06	.  die Schmelzzone nimmt nicht den ganzen Querschnitt ein [3]	.  the molten zone not extending over the whole cross-section [3]
	C30B 13/08	.  Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelzzone [3]	.  adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone [3]
	C30B 13/10	. .  unter Zusetzen von Dotierstoffen [3]	. .  with addition of doping materials [3]
	C30B 13/12	. . .  in gasförmigem oder dampfförmigem Zustand [3]	. . .  in the gaseous or vapour state [3]
	C30B 13/14	.  Tiegel oder Gefäße [3]	.  Crucibles or vessels [3]
	C30B 13/16	.  Erhitzen der Schmelzzone [3]	.  Heating of the molten zone [3]
	C30B 13/18	. .  wobei das Heizelement in Kontakt mit der Schmelzzone steht oder in sie eingetaucht ist [3]	. .  the heating element being in contact with, or immersed in, the molten zone [3]
	C30B 13/20	. .  durch Induktion, z.B. Heißdraht-Technik (C30B 13/18 hat Vorrang) [3]	. .  by induction, e.g. hot wire technique (C30B 13/18 takes precedence) [3]
	C30B 13/22	. .  durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3]	. .  by irradiation or electric discharge [3]
	C30B 13/24	. . .  mit elektromagnetischen Wellen [3]	. . .  using electromagnetic waves [3]
	C30B 13/26	.  unter Rühren der Schmelzzone [3]	.  Stirring of the molten zone [3]
	C30B 13/28	.  Steuern oder Regeln [3]	.  Controlling or regulating [3]
	C30B 13/30	. .  Stabilisation oder Formgebung der Schmelzzone, z.B. durch Verdichten, durch elektromagnetische Felder; Steuern des Kristallquerschnitts [3]	. .  Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal [3]
	C30B 13/32	.  Vorrichtungen, um entweder die Charge oder das Heizelement zu bewegen [3]	.  Mechanisms for moving either the charge or the heater [3]
	C30B 13/34	.  gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3]	.  characterised by the seed, e.g. by its crystallographic orientation [3]
	C30B 15/00	Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]	Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method (under a protective fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 15/02	.  Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3]	.  adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt [3]
	C30B 15/04	. .  unter Zusetzen von Dotierstoffen, z.B. für n-p-Übergang [3]	. .  adding doping materials, e.g. for n–p-junction [3]
	C30B 15/06	.  Nicht-senkrechtes Ziehen [3]	.  Non-vertical pulling [3]
	C30B 15/08	.  Abwärtsziehen [3]	.  Downward pulling [3]
	C30B 15/10	.  Tiegel oder Behälter für die Schmelze [3]	.  Crucibles or containers for supporting the melt [3]
	C30B 15/12	. .  Doppeltiegel-Verfahren [3]	. .  Double crucible methods [3]
	C30B 15/14	.  Erhitzen der Schmelze oder der kristallisierten Stoffe [3]	.  Heating of the melt or the crystallised materials [3]
	C30B 15/16	. .  durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3]	. .  by irradiation or electric discharge [3]
	C30B 15/18	. .  mit direkter Widerstandsheizung zusätzlich zu anderen Erhitzungsverfahren, z.B. mit Peltier- Wärme [3]	. .  using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat [3]
	C30B 15/20	.  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]	.  Controlling or regulating (controlling or regulating in general G05) [3]
	C30B 15/22	. .  Stabilisierung oder Formgebung der Schmelzzone nahe dem gezogenen Kristall; Steuern des Kristallquerschnitts [3]	. .  Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal [3]
	C30B 15/24	. . .  unter Verwendung von mechanischen Mitteln, z.B. Formwerkzeugen (formgebende Elemente für kantenbestimmtes, schmelzfilmbeschicktes Kristallwachstum C30B 15/34) [3]	. . .  using mechanical means, e.g. shaping guides (shaping dies for edge-defined film-fed crystal growth C30B 15/34) [3]
	C30B 15/26	. . .  unter Verwendung von Fernsehkameras; unter Verwendung von Foto- oder Röntgen-Detektoren [3]	. . .  using television detectors; using photo or X-ray detectors [3]
	C30B 15/28	. . .  unter Ausnutzung von Gewichtsveränderungen des Kristalls oder der Schmelze, z.B. Flotationsverfahren [Schwimm-Tiegel-Verfahren] [3]	. . .  using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods [3]
	C30B 15/30	.  Vorrichtungen zum Rotieren oder Bewegen der Schmelze oder des Kristalls (Schwimm-Verfahren C30B 15/28) [3]	.  Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal (flotation methods C30B 15/28) [3]
	C30B 15/32	.  Keimhalter, z.B. Spannfutter [3]	.  Seed holders, e.g. chucks [3]
	C30B 15/34	.  kantenbestimmendes, schmelzfilmbeschicktes Ziehen von Kristallen mit formgebenden Elementen oder Schlitzen [3]	.  Edge-defined film-fed crystal growth using dies or slits [3]
	C30B 15/36	.  gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3]	.  characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation [3]
	C30B 17/00	Einkristallwachstum auf einem Keim, der während des Wachstums in der Schmelze verbleibt, z.B. Nacken-Kyropoulos-Verfahren (C30B 15/00 hat Vorrang) [3]	Single-crystal growth on to a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method (C30B 15/00 takes precedence) [3]
	C30B 19/00	Flüssigphasen-Epitaxie [LPE-Verfahren] [3]	Liquid-phase epitaxial-layer growth [3]
	C30B 19/02	.  mit geschmolzenen Lösungsmitteln, z.B. Flussmitteln [3]	.  using molten solvents, e.g. flux [3]
	C30B 19/04	. .  wobei das Lösungsmittel eine Komponente der Kristallverbindung ist [3]	. .  the solvent being a component of the crystal composition [3]
	C30B 19/06	.  Reaktionskammern; Gefäße für die Schmelze; Substratträger [3]	.  Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders [3]
	C30B 19/08	.  Erhitzen der Reaktionskammern oder des Substrates [3]	.  Heating of the reaction chamber or the substrate [3]
	C30B 19/10	.  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]	.  Controlling or regulating (controlling or regulating in general G05) [3]
	C30B 19/12	.  gekennzeichnet durch das Substrat [3]	.  characterised by the substrate [3]
	C30B 21/00	Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]	Unidirectional solidification of eutectic materials [3]
	C30B 21/02	.  durch einfaches Gießen oder Kühlen mit Temperaturgradient [3]	.  by normal casting or gradient freezing [3]
	C30B 21/04	.  durch Zonenschmelzen [3]	.  by zone-melting [3]
	C30B 21/06	.  durch Ziehen aus einer Schmelze [3]	.  by pulling from a melt [3]
		Einkristallwachstum aus der Dampfphase [3]	Single-crystal growth from vapours [3]
	C30B 23/00	Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen [3]	Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials [3]
	C30B 23/02	.  Epitaktisches Schichtenwachstum [3]	.  Epitaxial-layer growth [3]
	C30B 23/04	. .  Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3]	. .  Pattern deposit, e.g. by using masks [3]
	C30B 23/06	. .  Erhitzen der Abscheidekammer, des Substrats oder der zu verdampfenden Stoffe [3]	. .  Heating of the deposition chamber, the substrate, or the materials to be evaporated [3]
	C30B 23/08	. .  durch Niederschlagen von ionisierten Dämpfen (durch reaktives Sputtering C30B 25/06) [3]	. .  by condensing ionised vapours (by reactive sputtering C30B 25/06) [3]
	C30B 25/00	Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion [3]	Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour deposition growth [3]
	C30B 25/02	.  Epitaktisches Schichtenwachstum [3]	.  Epitaxial-layer growth [3]
	C30B 25/04	. .  Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3]	. .  Pattern deposit, e.g. by using masks [3]
	C30B 25/06	. .  durch reaktives Sputtering [3]	. .  by reactive sputtering [3]
	C30B 25/08	. .  Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3]	. .  Reaction chambers; Selection of materials therefor [3]
	C30B 25/10	. .  Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats [3]	. .  Heating of the reaction chamber or the substrate [3]
	C30B 25/12	. .  Substrathalter oder -träger [3]	. .  Substrate holders or susceptors [3]
	C30B 25/14	. .  Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3]	. .  Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases [3]
	C30B 25/16	. .  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]	. .  Controlling or regulating (controlling or regulating in general G05) [3]
	C30B 25/18	. .  gekennzeichnet durch das Substrat [3]	. .  characterised by the substrate [3]
	C30B 25/20	. . .  wobei das Substrat aus denselben Stoffen wie die epitaktische Schicht ist [3]	. . .  the substrate being of the same materials as the epitaxial layer [3]
	C30B 25/22	. .  Sandwich-Verfahren [3]	. .  Sandwich processes [3]
	C30B 27/00	Einkristallwachstum unter einem schützenden Fluid [3]	Single-crystal growth under a protective fluid [3]
	C30B 27/02	.  durch Ziehen aus einer Schmelze [3]	.  by pulling from a melt [3]
	C30B 28/00	Herstellung von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [5]	Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure [5]
	C30B 28/02	.  direkt aus dem festen Zustand [5]	.  directly from the solid state [5]
	C30B 28/04	.  aus Flüssigkeiten [5]	.  from liquids [5]
	C30B 28/06	. .  durch normales Ausfrieren oder Ausfrieren unter einem Temperaturgradienten [5]	. .  by normal freezing or freezing under temperature gradient [5]
	C30B 28/08	. .  durch Zonenschmelzen [5]	. .  by zone-melting [5]
	C30B 28/10	. .  durch Ziehen aus einer Schmelze [5]	. .  by pulling from a melt [5]
	C30B 28/12	.  direkt aus dem Gaszustand [5]	.  directly from the gas state [5]
	C30B 28/14	. .  durch chemische Reaktion reaktionsfähiger Gase [5]	. .  by chemical reaction of reactive gases [5]
	C30B 29/00	Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form [3, 5]	Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape [3, 5]
	C30B 29/02	.  Elemente [3]	.  Elements [3]
	C30B 29/04	. .  Diamant [3]	. .  Diamond [3]
	C30B 29/06	. .  Silicium [3]	. .  Silicon [3]
	C30B 29/08	. .  Germanium [3]	. .  Germanium [3]
	C30B 29/10	.  Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen [3]	.  Inorganic compounds or compositions [3]
	C30B 29/12	. .  Halogenide [3]	. .  Halides [3]
	C30B 29/14	. .  Phosphate [3]	. .  Phosphates [3]
	C30B 29/16	. .  Oxide [3]	. .  Oxides [3]
	C30B 29/18	. . .  Quarz [3]	. . .  Quartz [3]
	C30B 29/20	. . .  Aluminiumoxide [3]	. . .  Aluminium oxides [3]
	C30B 29/22	. . .  Zusammengesetzte Oxide [3]	. . .  Complex oxides [3]
	C30B 29/24	. . . .  der Formel AMeO3 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Orthoferrite [3]	. . . .  with formula AMeO3, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al, e.g. ortho ferrites [3]
	C30B 29/26	. . . .  der Formel BMe2O4 , wobei B ist Mg, Ni, Co, Al, Zn oder Cd, und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al [3]	. . . .  with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al [3]
	C30B 29/28	. . . .  der Formel A3 Me5O12 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Granate [3]	. . . .  with formula A3Me5O12, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets [3]
	C30B 29/30	. . . .  Niobate; Vanadate; Tantalate [3]	. . . .  Niobates; Vanadates; Tantalates [3]
	C30B 29/32	. . . .  Titanate; Germanate; Molybdate; Wolframate [3]	. . . .  Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates [3]
	C30B 29/34	. .  Silicate [3]	. .  Silicates [3]
	C30B 29/36	. .  Carbide [3]	. .  Carbides [3]
	C30B 29/38	. .  Nitride [3]	. .  Nitrides [3]
	C30B 29/40	. .  AIIIBV-Verbindungen [3]	. .  AIIIBV compounds [3]
	C30B 29/42	. . .  Galliumarsenid [3]	. . .  Gallium arsenide [3]
	C30B 29/44	. . .  Galliumphosphid [3]	. . .  Gallium phosphide [3]
	C30B 29/46	. .  Schwefel, Selen oder Tellur enthaltende Verbindungen [3]	. .  Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds [3]
	C30B 29/48	. . .  AIIBVI-Verbindungen [3]	. . .  AIIBVI compounds [3]
	C30B 29/50	. . . .  Cadmiumsulfid [3]	. . . .  Cadmium sulfide [3]
	C30B 29/52	. .  Legierungen [3]	. .  Alloys [3]
	C30B 29/54	.  Organische Verbindungen [3]	.  Organic compounds [3]
	C30B 29/56	. .  Tartrate [3]	. .  Tartrates [3]
	C30B 29/58	. .  Makromolekulare Verbindungen [3]	. .  Macromolecular compounds [3]
	C30B 29/60	.  gekennzeichnet durch die Form [3]	.  characterised by shape [3]
	C30B 29/62	. .  Whisker oder Nadeln [3]	. .  Whiskers or needles [3]
	C30B 29/64	. .  Flache Kristalle, z.B. Platten, Bänder, Scheiben [5]	. .  Flat crystals, e.g. plates, strips, disks [5]
	C30B 29/66	. .  Kristalle komplexer geometrischer Form, z.B. Rohre, Zylinder [5]	. .  Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders [5]
	C30B 29/68	. .  Kristalle mit Schichtstrukturen, z.B. "Übergitter" ["Superlattices"] [5]	. .  Crystals with laminate structure, e.g. "superlattices" [5]
	C30B 30/00	Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur durch Anwendung von elektrischen oder magnetischen Feldern, Schwingungsenergie oder unter Anwendung sonstiger spezieller physikalischer Bedingungen [5]	Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions [5]
	C30B 30/02	.  durch Anwendung elektrischer Felder, z.B. Elektrolyse [5]	.  using electric fields, e.g. electrolysis [5]
	C30B 30/04	.  durch Anwendung magnetischer Felder [5]	.  using magnetic fields [5]
	C30B 30/06	.  durch Anwendung mechanischer Schwingungen [5]	.  using mechanical vibrations [5]
	C30B 30/08	.  unter Schwerelosigkeit oder geringer Schwerkraft [5]	.  in conditions of zero-gravity or low gravity [5]
		Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]	After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure [3, 5]
	C30B 31/00	Diffusions- oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Vorrichtungen dafür [3, 5]	Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor [3, 5]
	C30B 31/02	.  durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in festem Zustand [3]	.  by contacting with diffusion materials in the solid state [3]
	C30B 31/04	.  durch Kontaktieren mit Diffusionsstoffen im flüssigen Zustand [3]	.  by contacting with diffusion materials in the liquid state [3]
	C30B 31/06	.  durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in gasförmigem Zustand (C30B 31/18 hat Vorrang) [3]	.  by contacting with diffusion material in the gaseous state (C30B 31/18 takes precedence) [3]
	C30B 31/08	. .  wobei die Diffusionsstoffe Verbindungen der zu diffundierenden Elemente sind [3]	. .  the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused [3]
	C30B 31/10	. .  Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3]	. .  Reaction chambers; Selection of materials therefor [3]
	C30B 31/12	. .  Heizen der Reaktionskammer [3]	. .  Heating of the reaction chamber [3]
	C30B 31/14	. .  Substrathalter oder -träger [3]	. .  Substrate holders or susceptors [3]
	C30B 31/16	. .  Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3]	. .  Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases [3]
	C30B 31/18	. .  Steuern oder Regeln [3]	. .  Controlling or regulating [3]
	C30B 31/20	.  Dotieren durch Bestrahlen mit elektromagnetischen Wellen oder durch Teilchenstrahlung [3]	.  Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation [3]
	C30B 31/22	. .  durch Ionen-Implantation [3]	. .  by ion-implantation [3]
	C30B 33/00	Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur (C30B 31/00 hat Vorrang) [3, 5]	After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure (C30B 31/00 takes precedence) [3, 5]
	C30B 33/02	.  Wärmebehandlung (C30B 33/04 , C30B 33/06 haben Vorrang) [5]	.  Heat treatment (C30B 33/04, C30B 33/06 take precedence) [5]
	C30B 33/04	.  durch Anwendung elektrischer oder magnetischer Felder oder von Teilchenstrahlung [5]	.  using electric or magnetic fields or particle radiation [5]
	C30B 33/06	.  Zusammenfügen von Kristallen [5]	.  Joining of crystals [5]
	C30B 33/08	.  Ätzen [5]	.  Etching [5]
	C30B 33/10	. .  in Lösungen oder Schmelzen [5]	. .  in solutions or melts [5]
	C30B 33/12	. .  in Gasatmosphäre oder Plasma [5]	. .  in gas atmosphere or plasma [5]
	C30B 35/00	Vorrichtungen allgemein, besonders ausgebildet für Wachstum, Herstellung und Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]	Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure [3, 5]