C	Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
		Anmerkung: In Sektion C sind die Definitionen von Gruppen chemischer Elemente wie folgt: Alkalimetalle: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr Erdalkalimetalle: Ca, Sr, Ba, Ra Lanthaniden: Elemente mit den Ordnungszahlen 57 bis einschließlich 71 Seltene Erden: Sc, Y, Lanthaniden Actiniden: Elemente mit den Ordnungszahlen 89 bis einschließlich 103 Hochtemperaturbeständige Metalle: Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W Halogene: F, Cl, Br, J, At Edelgase: He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn Platingruppe: Os, Ir, Pt, Ru, Rh, Pd Edelmetalle: Ag, Au, Platingruppe Leichtmetalle: Alkalimetalle, Erdalkalimetalle, Be, Al, Mg Schwermetalle: Metalle außer Leichtmetallen Eisengruppe: Fe, Co, Ni Nichtmetalle: H, B, C, Si, N, P, O, S, Se, Te, Edelgase, Halogene Metalle: alle Elemente außer den Nichtmetallen Übergangselemente: Elemente mit den Ordnungszahlen 21 bis einschließlich 30, 39 bis einschließlich 48, 57 bis einschließlich 80 und ab 89 aufwärts Sektion C umfasst: Reine Chemie, unter die anorganische Verbindungen, organische Verbindungen, makromolekulare Verbindungen und ihre Herstellungsverfahren fallen; Angewandte Chemie, unter die Gemische fallen, die die oben genannten Verbindungen enthalten, wie z.B. Glas, Keramik, Düngemittel, Kunststoffmassen, Farben und Erzeugnisse der Petrochemie. Darunter fallen auch bestimmte Gemische, die sie wegen ihrer besonderen Eigenschaften für gewisse Verwendungszwecke, wie im Fall von Explosiv- und Farbstoffen, Kleb-, Schmier- und Reinigungsmittel, als geeignet erscheinen lassen; Bestimmte Rand-Industriezweige, wie z.B. die Herstellung von Koks sowie die Herstellung von festen oder gasförmigen Brennstoffen, die Produktion und Raffination von Ölen, Fetten und Wachsen, die Gärungsindustrie (z.B. Brauen und Herstellen von Wein) und die Zuckerindustrie; Bestimmte Verfahren oder Behandlungen, die entweder rein mechanisch sind, z.B. die mechanische Behandlung von Leder und Häuten, oder teilweise mechanisch, z.B. die Behandlung von Wasser oder die Korrosionsverhinderung allgemein; Metallurgie, Eisen- oder Nichteisenlegierungen. Auf folgende Regeln wird hingewiesen: Im Fall von Arbeitsvorgängen, Behandlungen, Erzeugnissen oder Gegenständen, die sowohl einen chemischen als auch einen nichtchemischen Teil oder Gesichtspunkt aufweisen, gilt die allgemeine Regel, dass der chemische Teil oder Gesichtspunkt in der Sektion C erfasst ist. In einigen dieser Fälle bringt der chemische Teil oder chemische Gesichtspunkt einen nichtchemischen Teil mit sich, obgleich er rein mechanisch ist, da dieser letztere Gesichtspunkt entweder wesentlich für den Arbeitsvorgang oder die Behandlung, oder ein wichtiger Bestandteil davon ist; es hat sich nämlich als logischer erwiesen, die verschiedenen Teile oder Gesichtspunkte eines einheitlichen Ganzen nicht voneinander zu trennen. Dies kommt in Frage für die angewandte Chemie und für die Industriezweige, Arbeitsvorgänge und Behandlungen von (1) (c), (d) und (e). Zum Beispiel werden besondere Öfen für die Glasherstellung von Klasse C03 und nicht von Klasse F27 umfasst. Es gibt jedoch einige Ausnahmen, in denen der mechanische (oder nichtchemische) Gesichtspunkt den chemischen Gesichtspunkt mit einschließt, so z.B. : bestimmte Extraktionsverfahren in A61K; chemische Reinigung von Luft in A61L; chemische Verfahren zur Brandbekämpfung in A62D; chemische Verfahren und Vorrichtungen in B01; Imprägnieren von Holz in B27K; chemische Analysen- oder Prüfverfahren in G01N; fotografische Materialien und Verfahren in G03 und allgemein die chemische Behandlung von Textilien und die Herstellung von Cellulose oder Papier in Sektion D. In noch anderen Fällen ist der rein chemische Gesichtspunkt in Sektion C enthalten und der angewandte chemische Gesichtspunkt in anderen Sektionen wie A, B und F, z.B. die Verwendung von Substanzen oder Zusammensetzungen für Behandlung von Pflanzen oder Tieren, umfasst von A01N; Nahrungsmittel, umfasst von A23; Munition oder Sprengstoffe, umfasst von F42. Wenn die chemischen und mechanischen Gesichtspunkte so eng ineinandergreifen, dass eine klare und einfache Trennung nicht möglich ist, oder wenn bestimmte mechanische Prozesse als natürliche oder logische Fortsetzung einer chemischen Behandlung folgen, dann kann Sektion C zusätzlich zu den chemischen Gesichtspunkten auch für mechanische Gesichtspunkte gelten, z.B. die Nachbehandlung von Kunststeinen, umfasst von Klasse C04. Im letzteren Fall ist gewöhnlich eine Erläuterung oder ein Verweis gegeben, um den Fall zu erklären, sogar wenn manchmal die Trennung ziemlich willkürlich ist.
	C30	Züchten von Kristallen (Trennen durch Kristallisation allgemein B01D 9/00) [3]
	C30B	Züchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06); Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B); Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F); Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L); Apparate hierfür [3]
		Anmerkung: In dieser Unterklasse wird der folgende Begriff mit der angegebenen Bedeutung verwendet: "Einkristall" schließt auch Zwillingskristalle ein und Produkte, die hauptsächlich aus Einkristallen bestehen. [3] "Homogener polykristalliner Stoff" bedeutet: ein Stoff mit Kristallteilchen, die alle die gleiche chemische Zusammensetzung aufweisen; [5] "Definierte Struktur" bedeutet: Struktur eines Stoffes, dessen Korn in einer Vorzugsrichtung orientiert ist oder größere Dimensionen aufweist, als sie normalerweise erhalten werden . [5] In dieser Unterklasse gilt: Die Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur aus besonderen Stoffen oder von besonderen Formen betreffende Sachverhalte, werden sowohl in der Gruppe für das Herstellungsverfahren als auch in der Gruppe C30B 29/00 eingeordnet; [3] Apparate, die besonders für ein bestimmtes Verfahren ausgebildet sind, werden in der entsprechenden Gruppe für das Verfahren eingeordnet. Apparate, die für mehr als eine Art von Verfahren benutzt werden können, werden in Gruppe C30B 35/00 eingeordnet. [3]
		Sachverzeichnis der Unterklasse ZÜCHTEN VON EINKRISTALLEN aus Feststoffen oder Gelen C30B 1/00-C30B 5/00 aus Flüssigkeiten C30B 7/00-C30B 21/00, C30B 27/00 aus der Dampfphase C30B 23/00, C30B 25/00 HERSTELLUNG VON EINKRISTALLEN ODER HOMOGENER POLYKRISTALLINER STOFFE MIT DEFINIERTER STRUKTUR C30B 28/00, C30B 30/00 EINKRISTALLE ODER HOMOGENE KRISTALLINE STOFFE MIT DEFINIERTER STRUKTUR C30B 29/00 NACHBEHANDLUNG VON EINKRISTALLEN C30B 31/00, C30B 33/00 VORRICHTUNGEN C30B 35/00
		Einkristallwachstum aus festen Stoffen oder Gelen [3]
	C30B 1/00	Einkristallwachstum direkt aus dem festen Zustand (gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen C30B 3/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 1/02	.  durch Wärmebehandlung, z.B. Ausglühen von Gitterspannungen (C30B 1/12 hat Vorrang) [3]
	C30B 1/04	. .  Isotherme Rekristallisation [3]
	C30B 1/06	. .  Rekristallisation unter einem Temperaturgradienten [3]
	C30B 1/08	. . .  Zonenrekristallisation [3]
	C30B 1/10	.  durch Feststoffreaktion oder Mehrphasen- Diffusion [3]
	C30B 1/12	.  durch Druckbehandlung während des Wachstums [3]
	C30B 3/00	Gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen [3]
	C30B 5/00	Einkristallwachstum aus Gelen (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 5/02	.  unter Zugabe von Dotierstoffen [3]
		Einkristallwachstum aus Flüssigkeiten; gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
	C30B 7/00	Einkristallwachstum aus Lösungen unter Verwendung von Lösungsmitteln, die bei normaler Temperatur flüssig sind, z.B. wässrige Lösungen (aus geschmolzenen Lösungsmitteln C30B 9/00; durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 7/02	.  durch Verdampfung des Lösungsmittels [3]
	C30B 7/04	. .  unter Verwendung von wässrigen Lösungsmitteln [3]
	C30B 7/06	. .  unter Verwendung von nichtwässrigen Lösungsmitteln [3]
	C30B 7/08	.  durch Abkühlen der Lösung [3]
	C30B 7/10	.  durch Anwendung von Druck, z.B. hydrothermale Verfahren [3]
	C30B 7/12	.  durch Elektrolyse [3]
	C30B 7/14	.  die auskristallisierenden Stoffe werden durch chemische Reaktionen in der Lösung gebildet [3]
	C30B 9/00	Einkristallwachstum aus Lösungsschmelzen unter Verwendung von geschmolzenen Lösungsmitteln (durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; durch Zonenschmelzen C30B 13/00; Kristallziehen C30B 15/00; auf einem eingetauchten Keimkristall C30B 17/00; durch Flüssigphasen-Epitaxie C30B 19/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 9/02	.  durch Verdampfen des geschmolzenen Lösungsmittels [3]
	C30B 9/04	.  durch Kühlen der Lösung [3]
	C30B 9/06	. .  unter Verwendung von einer Komponente der Kristallverbindung als Lösungsmittel [3]
	C30B 9/08	. .  unter Verwendung von anderen Lösungsmitteln [3]
	C30B 9/10	. . .  metallische Lösungsmittel [3]
	C30B 9/12	. . .  Salze als Lösungsmittel, z.B. Wachstum aus Schmelzen mit Flussmitteln [3]
	C30B 9/14	.  durch Elektrolyse [3]
	C30B 11/00	Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman- Stockbarger-Methode (C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 haben Vorrang; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 11/02	.  ohne Lösungsmittel (C30B 11/06 hat Vorrang) [3]
	C30B 11/04	.  Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3]
	C30B 11/06	. .  wobei wenigstens eine, aber nicht alle Komponenten der Kristallverbindung zugegeben werden [3]
	C30B 11/08	. .  wobei alle Komponenten der Kristallverbindung während der Kristallisation zugegeben werden [3]
	C30B 11/10	. . .  feste oder flüssige Komponenten, z.B. Verneuil-Methode [3]
	C30B 11/12	. . .  dampfförmige Komponenten, z.B. VLS- [vapour-liquid-solid] Verfahren [3]
	C30B 11/14	.  gekennzeichnet durch den Keimkristall, z.B. seine kristallografische Orientierung [3]
	C30B 13/00	Erzeugen von Einkristallen durch Zonenschmelzen; Reinigen durch Zonenschmelzen (C30B 17/00 hat Vorrang; durch Ändern des Querschnitts des behandelten festen Stoffes C30B 15/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00; für das Wachstum von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur C30B 28/00; Zonenreinigen von besonderen Stoffen siehe die entsprechenden Unterklassen für die Stoffe) [3, 5]
	C30B 13/02	.  Zonenschmelzen mit einem Lösungsmittel, z.B. travelling-solvent-Methode [Verwendung einer wandernden Schmelzlösungsmittelzone] [3]
	C30B 13/04	.  Homogenisieren durch "zone-levelling" [3]
	C30B 13/06	.  die Schmelzzone nimmt nicht den ganzen Querschnitt ein [3]
	C30B 13/08	.  Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelzzone [3]
	C30B 13/10	. .  unter Zusetzen von Dotierstoffen [3]
	C30B 13/12	. . .  in gasförmigem oder dampfförmigem Zustand [3]
	C30B 13/14	.  Tiegel oder Gefäße [3]
	C30B 13/16	.  Erhitzen der Schmelzzone [3]
	C30B 13/18	. .  wobei das Heizelement in Kontakt mit der Schmelzzone steht oder in sie eingetaucht ist [3]
	C30B 13/20	. .  durch Induktion, z.B. Heißdraht-Technik (C30B 13/18 hat Vorrang; Induktionsspulen H05B 6/36) [3]
	C30B 13/22	. .  durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3]
	C30B 13/24	. . .  mit elektromagnetischen Wellen [3]
	C30B 13/26	.  unter Rühren der Schmelzzone [3]
	C30B 13/28	.  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
	C30B 13/30	. .  Stabilisation oder Formgebung der Schmelzzone, z.B. durch Verdichten, durch elektromagnetische Felder; Steuern des Kristallquerschnitts [3]
	C30B 13/32	.  Vorrichtungen, um entweder die Charge oder das Heizelement zu bewegen [3]
	C30B 13/34	.  gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3]
	C30B 15/00	Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
	C30B 15/02	.  Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3]
	C30B 15/04	. .  unter Zusetzen von Dotierstoffen, z.B. für n-p-Übergang [3]
	C30B 15/06	.  Nicht-senkrechtes Ziehen [3]
	C30B 15/08	.  Abwärtsziehen [3]
	C30B 15/10	.  Tiegel oder Behälter für die Schmelze [3]
	C30B 15/12	. .  Doppeltiegel-Verfahren [3]
	C30B 15/14	.  Erhitzen der Schmelze oder der kristallisierten Stoffe [3]
	C30B 15/16	. .  durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3]
	C30B 15/18	. .  mit direkter Widerstandsheizung zusätzlich zu anderen Erhitzungsverfahren, z.B. mit Peltier- Wärme [3]
	C30B 15/20	.  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
	C30B 15/22	. .  Stabilisierung oder Formgebung der Schmelzzone nahe dem gezogenen Kristall; Steuern des Kristallquerschnitts [3]
	C30B 15/24	. . .  unter Verwendung von mechanischen Mitteln, z.B. Formwerkzeugen (formgebende Elemente für kantenbestimmtes, schmelzfilmbeschicktes Kristallwachstum C30B 15/34) [3]
	C30B 15/26	. . .  unter Verwendung von Fernsehkameras; unter Verwendung von Foto- oder Röntgen-Detektoren [3]
	C30B 15/28	. . .  unter Ausnutzung von Gewichtsveränderungen des Kristalls oder der Schmelze, z.B. Flotationsverfahren [Schwimm-Tiegel-Verfahren] [3]
	C30B 15/30	.  Vorrichtungen zum Rotieren oder Bewegen der Schmelze oder des Kristalls (Schwimm-Verfahren C30B 15/28) [3]
	C30B 15/32	.  Keimhalter, z.B. Spannfutter [3]
	C30B 15/34	.  kantenbestimmendes, schmelzfilmbeschicktes Ziehen von Kristallen mit formgebenden Elementen oder Schlitzen [3]
	C30B 15/36	.  gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3]
	C30B 17/00	Einkristallwachstum auf einem Keim, der während des Wachstums in der Schmelze verbleibt, z.B. Nacken-Kyropoulos-Verfahren (C30B 15/00 hat Vorrang) [3]
	C30B 19/00	Flüssigphasen-Epitaxie [LPE-Verfahren] [3]
	C30B 19/02	.  mit geschmolzenen Lösungsmitteln, z.B. Flussmitteln [3]
	C30B 19/04	. .  wobei das Lösungsmittel eine Komponente der Kristallverbindung ist [3]
	C30B 19/06	.  Reaktionskammern; Gefäße für die Schmelze; Substratträger [3]
	C30B 19/08	.  Erhitzen der Reaktionskammern oder des Substrates [3]
	C30B 19/10	.  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
	C30B 19/12	.  gekennzeichnet durch das Substrat [3]
	C30B 21/00	Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
	C30B 21/02	.  durch einfaches Gießen oder Kühlen mit Temperaturgradient [3]
	C30B 21/04	.  durch Zonenschmelzen [3]
	C30B 21/06	.  durch Ziehen aus einer Schmelze [3]
		Einkristallwachstum aus der Dampfphase [3]
	C30B 23/00	Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen [3]
	C30B 23/02	.  Epitaktisches Schichtenwachstum [3]
	C30B 23/04	. .  Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3]
	C30B 23/06	. .  Erhitzen der Abscheidekammer, des Substrats oder der zu verdampfenden Stoffe [3]
	C30B 23/08	. .  durch Niederschlagen von ionisierten Dämpfen (durch reaktives Sputtering C30B 25/06) [3]
	C30B 25/00	Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion [3]
	C30B 25/02	.  Epitaktisches Schichtenwachstum [3]
	C30B 25/04	. .  Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3]
	C30B 25/06	. .  durch reaktives Sputtering [3]
	C30B 25/08	. .  Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3]
	C30B 25/10	. .  Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats [3]
	C30B 25/12	. .  Substrathalter oder -träger [3]
	C30B 25/14	. .  Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3]
	C30B 25/16	. .  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
	C30B 25/18	. .  gekennzeichnet durch das Substrat [3]
	C30B 25/20	. . .  wobei das Substrat aus denselben Stoffen wie die epitaktische Schicht ist [3]
	C30B 25/22	. .  Sandwich-Verfahren [3]
	C30B 27/00	Einkristallwachstum unter einem schützenden Fluid [3]
	C30B 27/02	.  durch Ziehen aus einer Schmelze [3]
	C30B 28/00	Herstellung von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [5]
	C30B 28/02	.  direkt aus dem festen Zustand [5]
	C30B 28/04	.  aus Flüssigkeiten [5]
	C30B 28/06	. .  durch normales Ausfrieren oder Ausfrieren unter einem Temperaturgradienten [5]
	C30B 28/08	. .  durch Zonenschmelzen [5]
	C30B 28/10	. .  durch Ziehen aus einer Schmelze [5]
	C30B 28/12	.  direkt aus dem Gaszustand [5]
	C30B 28/14	. .  durch chemische Reaktion reaktionsfähiger Gase [5]
	C30B 29/00	Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form (Legierungen C22C) [3, 5]
		Anmerkung: Wenn ein gegenteiliger Hinweis fehlt, wird in den Gruppen C30B 29/02-C30B 29/54 ein Material an der letzten geeigneten Stelle eingeordnet. [3]
	C30B 29/02	.  Elemente [3]
	C30B 29/04	. .  Diamant [3]
	C30B 29/06	. .  Silicium [3]
	C30B 29/08	. .  Germanium [3]
	C30B 29/10	.  Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen [3]
	C30B 29/12	. .  Halogenide [3]
	C30B 29/14	. .  Phosphate [3]
	C30B 29/16	. .  Oxide [3]
	C30B 29/18	. . .  Quarz [3]
	C30B 29/20	. . .  Aluminiumoxide [3]
	C30B 29/22	. . .  Zusammengesetzte Oxide [3]
	C30B 29/24	. . . .  der Formel AMeO3 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Orthoferrite [3]
	C30B 29/26	. . . .  der Formel BMe2O4 , wobei B ist Mg, Ni, Co, Al, Zn oder Cd, und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al [3]
	C30B 29/28	. . . .  der Formel A3 Me5O12 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Granate [3]
	C30B 29/30	. . . .  Niobate; Vanadate; Tantalate [3]
	C30B 29/32	. . . .  Titanate; Germanate; Molybdate; Wolframate [3]
	C30B 29/34	. .  Silicate [3]
	C30B 29/36	. .  Carbide [3]
	C30B 29/38	. .  Nitride [3]
	C30B 29/40	. .  AIIIBV-Verbindungen [3]
	C30B 29/42	. . .  Galliumarsenid [3]
	C30B 29/44	. . .  Galliumphosphid [3]
	C30B 29/46	. .  Schwefel, Selen oder Tellur enthaltende Verbindungen [3]
	C30B 29/48	. . .  AIIBVI-Verbindungen [3]
	C30B 29/50	. . . .  Cadmiumsulfid [3]
	C30B 29/52	. .  Legierungen [3]
	C30B 29/54	.  Organische Verbindungen [3]
	C30B 29/56	. .  Tartrate [3]
	C30B 29/58	. .  Makromolekulare Verbindungen [3]
	C30B 29/60	.  gekennzeichnet durch die Form [3]
	C30B 29/62	. .  Whisker oder Nadeln [3]
	C30B 29/64	. .  Flache Kristalle, z.B. Platten, Bänder, Scheiben [5]
	C30B 29/66	. .  Kristalle komplexer geometrischer Form, z.B. Rohre, Zylinder [5]
	C30B 29/68	. .  Kristalle mit Schichtstrukturen, z.B. "Übergitter" ["Superlattices"] [5]
	C30B 30/00	Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur durch Anwendung von elektrischen oder magnetischen Feldern, Schwingungsenergie oder unter Anwendung sonstiger spezieller physikalischer Bedingungen [5]
		Anmerkung: Wenn in dieser Gruppe eingeordnet wurde, ist auch in die dem Kristallwachstums-Verfahren entsprechenden Gruppen C30B 1/00-C30B 28/00 zu klassifizieren. [5]
	C30B 30/02	.  durch Anwendung elektrischer Felder, z.B. Elektrolyse [5]
	C30B 30/04	.  durch Anwendung magnetischer Felder [5]
	C30B 30/06	.  durch Anwendung mechanischer Schwingungen [5]
	C30B 30/08	.  unter Schwerelosigkeit oder geringer Schwerkraft [5]
		Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]
	C30B 31/00	Diffusions- oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Vorrichtungen dafür [3, 5]
	C30B 31/02	.  durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in festem Zustand [3]
	C30B 31/04	.  durch Kontaktieren mit Diffusionsstoffen im flüssigen Zustand [3]
	C30B 31/06	.  durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in gasförmigem Zustand (C30B 31/18 hat Vorrang) [3]
	C30B 31/08	. .  wobei die Diffusionsstoffe Verbindungen der zu diffundierenden Elemente sind [3]
	C30B 31/10	. .  Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3]
	C30B 31/12	. .  Heizen der Reaktionskammer [3]
	C30B 31/14	. .  Substrathalter oder -träger [3]
	C30B 31/16	. .  Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3]
	C30B 31/18	. .  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
	C30B 31/20	.  Dotieren durch Bestrahlen mit elektromagnetischen Wellen oder durch Teilchenstrahlung [3]
	C30B 31/22	. .  durch Ionen-Implantation [3]
	C30B 33/00	Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur (C30B 31/00 hat Vorrang; Schleifen, Polieren B24; mechanische Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen oder Kristallen B28D 5/00) [3, 5]
	C30B 33/02	.  Wärmebehandlung (C30B 33/04 , C30B 33/06 haben Vorrang) [5]
	C30B 33/04	.  durch Anwendung elektrischer oder magnetischer Felder oder von Teilchenstrahlung [5]
	C30B 33/06	.  Zusammenfügen von Kristallen [5]
	C30B 33/08	.  Ätzen [5]
	C30B 33/10	. .  in Lösungen oder Schmelzen [5]
	C30B 33/12	. .  in Gasatmosphäre oder Plasma [5]
	C30B 35/00	Vorrichtungen allgemein, besonders ausgebildet für Wachstum, Herstellung und Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]