| H | Sektion H — Elektrotechnik |
| H10 | Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01] |
| H10B | Elektronische Speicherbauelemente [2023.01] |
| H10B 10/00 | Static Random Access Memory [SRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 10/10 | . | SRAM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01] |
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| H10B 12/00 | Dynamic Random Access Memory [DRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 12/10 | . | DRAM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01] |
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| H10B 20/00 | Read-Only Memory [ROM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 20/10 | . | ROM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01] |
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| H10B 20/20 | . | Programmierbare ROM [PROM] Bauelemente mit Feldeffekt-Schaltungselementen (H10B 20/10 hat Vorrang) [2023.01] |
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| H10B 20/25 | . . | Einmalig-programmierbare ROM [OTPROM] Bauelemente, z.B. durch elektrisch-schmelzbare Verbindungen [2023.01] |
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| H10B 41/00 | Elektrisch lösch-und-programmierbare ROM [EEPROM] Bauelemente mit Floating-Gates [2023.01] |
| H10B 41/10 | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 41/20 | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 41/23 | . . | mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen [2023.01] |
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| H10B 41/27 | . . . | wobei die Kanäle vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2023.01] |
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| H10B 41/30 | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 41/35 | . . | mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01] |
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| H10B 41/40 | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 41/41 | . . | von Speicherregionen mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01] |
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| H10B 41/42 | . . | Simultanes Herstellen von Peripherie und Speicherzellen [2023.01] |
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| H10B 41/43 | . . . | mit nur einem Typ eines peripheren Transistors [2023.01] |
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| H10B 41/44 | . . . . | mit einer Control-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/46 | . . . . | mit einer dielektrischen Zwischen-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/47 | . . . . | mit einer Floating-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/48 | . . . . | mit einer dielektrischen Tunnel-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/49 | . . . | mit verschiedenen Typen von peripheren Transistoren [2023.01] |
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| H10B 41/50 | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 41/60 | . | wobei das Control-Gate eine dotierte Region ist, z.B. Single-Poly-Speicherzelle [2023.01] |
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| H10B 41/70 | . | wobei das Floating-Gate eine Elektrode ist, die von mehreren Schaltungselementen geteilt wird [2023.01] |
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| H10B 43/00 | EEPROM Bauelemente mit Gate-Isolatoren zum Ladungseinfang [2023.01] |
| H10B 43/10 | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 43/20 | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 43/23 | . . | mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen [2023.01] |
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| H10B 43/27 | . . . | wobei die Kanäle vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2023.01] |
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| H10B 43/30 | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 43/35 | . . | mit Zell-Auswahl-Transistoren, z.B. NAND [2023.01] |
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| H10B 43/40 | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 43/50 | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 51/00 | Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren [2023.01] |
| H10B 51/10 | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 51/20 | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 51/30 | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 51/40 | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 51/50 | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 53/00 | Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speicherkondensatoren [2023.01] |
| H10B 53/10 | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 53/20 | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 53/30 | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 53/40 | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 53/50 | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 61/00 | Magnetische Speicherbauelemente, z.B. magnetoresistive RAM [MRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 63/00 | Speicherbauelemente mit Widerstandsänderung, z.B. resistive RAM [ReRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 63/10 | . | Phasenwechsel-RAM [PCRAM, PRAM] Bauelemente [2023.01] |
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| H10B 69/00 | Lösch-und-programmierbare ROM [EPROM] Bauelemente, die nicht in den Gruppen H10B 41/00-H10B 63/00 vorgesehen sind, z.B. UV-lösch-und-programmierbare ROM [UVEPROM] Bauelemente [2023.01] |
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| H10B 80/00 | Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Speicherbauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2023.01] |
| H10B 99/00 | Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2023.01] |