| H | Sektion H — Elektrotechnik |
| | Anmerkung:- Grundprinzipien und allgemeine Anweisung für die Benutzung der Einteilung der Sektion H.
- I. Die Sektion H umfasst:
- Grundlegende elektrische Bauteile umfasst alle elektrischen Baueinheiten und den allgemeinen mechanischen Aufbau von Geräten und Stromkreisen, einschließlich des Zusammenbaus verschiedener Grundbauteile zu gedruckten Schaltungen und umfasst auch die Herstellung dieser Grundbauteile, soweit diese nicht anderweitig vorgesehen ist;
- Die Erzeugung von Elektrizität umfasst die Erzeugung, Umwandlung und Verteilung von Elektrizität in Verbindung mit der Steuerung der entsprechenden Einrichtungen;
- Angewandte Elektrotechnik umfasst:
- allgemeine Anwendungen, z.B. elektrisches Heizen und Stromkreise für elektrische Beleuchtung;
- einige spezielle Anwendungen, entweder elektrische oder elektronische Anwendungen im eigentlichen Sinne, soweit sie nicht von anderen Sektionen der IPC umfasst sind. Sie schließen ein:
- elektrische Lichtquellen, auch Laser;
- Röntgentechnik;
- elektrische Plasmatechnik sowie die Erzeugung und Beschleunigung von elektrisch geladenen Teilchen oder Neutronen;
- Grundlegende elektronische Schaltkreise und deren Steuerung oder Regelung;
- Rundfunkübertragung und elektrische Nachrichtentechnik, einschließlich der elektromechanischen Umformer allgemein;
- Gruppen betreffend die Verwendung eines bestimmten Werkstoffes zur Herstellung eines beschriebenen Gegenstandes oder Bauteiles. In diesem Zusammenhang sollten die Abschnitte 88 bis 90 im Handbuch zur IPC beachtet werden.
- II. In dieser Sektion finden die folgenden allgemeinen Regeln Anwendung:
- Von den Ausnahmen unter I (c) abgesehen, wird jede elektrische Besonderheit oder jede für eine bestimmte, in eine der Sektionen der Internationalen Patentklassifikation außer Sektion H klassifizierte Tätigkeit, für ein Verfahren, ein Gerät, einen Gegenstand oder Artikel eigentümliche elektrische Teil stets in die Unterklasse für diese Tätigkeit, das Verfahren, das Gerät, den Gegenstand oder Artikel klassifiziert oder, wenn gemeinsame Baueinheiten gleicher Art betreffende Besonderheiten in der Klassenbezeichnung betroffen sind, werden sie in Verbindung mit der Tätigkeit, dem Verfahren, dem Gerät, Gegenstand oder Artikel in die Unterklasse klassifiziert, die eindeutig die allgemeine elektrische Anwendungen der in Frage stehenden Baueinheiten umfasst;
- Solche Anwendungen von elektrischen Einrichtungen allgemein oder im besonderen umfassen:
- therapeutische Verfahren und Geräte in A61;
- elektrische Verfahren und Geräte, die in verschiedenen Laboratoriums- oder industriellen Arbeitsabläufen entsprechend B01, B03 und B23K angewendet werden;
- elektrische Stromversorgung, elektrische Antriebe und elektrische Beleuchtung von Fahrzeugen allgemein und von Spezialfahrzeugen in der Untersektion "Transport" der Sektion B;
- elektrische Zündsysteme von Brennkraftmaschinen in F02P und von Verbrennungseinrichtungen allgemein in F23Q;
- den gesamten elektrischen Teil der Sektion G, nämlich die Messeinrichtungen einschließlich der Geräte zum Messen von elektrischen Veränderlichen, zum Prüfen, zum Signalgeben und zum Rechnen. Die Elektrizität wird in dieser Sektion allgemein als ein Hilfsmittel und nicht als Gegenstand selbst angesehen,
- Alle Anwendungen elektrischer Einrichtungen allgemeiner und spezieller Art gehen davon aus, dass der "grundsätzlich elektrische" Gesichtspunkt in Sektion H (siehe I (a)) behandelt wird, soweit die umfassten elektrischen "Grundbauelemente" betroffen sind. Diese Regel gilt auch für angewandte Elektrotechnik, siehe I (c), die in Sektion H selbst behandelt wird.
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  | H10 | Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01] |
| H10B | Elektronische Speicherbauelemente [2023.01] |
| | Anmerkung:- Das in dieser Unterklasse verwendete Periodensystem besteht aus Gruppen mit römischen Ziffern I bis VIII, wie in der Tabelle unter Anmerkung (3) von Sektion C dargestellt.
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| | Sachverzeichnis der Unterklasse [2023.01] |
 | H10B 10/00 | Static Random Access Memory [SRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 10/10 | | . | SRAM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01] |
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| H10B 12/00 | Dynamic Random Access Memory [DRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 12/10 | | . | DRAM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01] |
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| H10B 20/00 | Read-Only Memory [ROM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 20/10 | | . | ROM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01] |
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| H10B 20/20 | | . | Programmierbare ROM [PROM] Bauelemente mit Feldeffekt-Schaltungselementen (H10B 20/10 hat Vorrang) [2023.01] |
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| H10B 20/25 | | . . | Einmalig-programmierbare ROM [OTPROM] Bauelemente, z.B. durch elektrisch-schmelzbare Verbindungen [2023.01] |
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| H10B 41/00 | Elektrisch lösch-und-programmierbare ROM [EEPROM] Bauelemente mit Floating-Gates [2023.01] |
| H10B 41/10 | | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 41/20 | | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 41/23 | | . . | mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen [2023.01] |
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| H10B 41/27 | | . . . | wobei die Kanäle vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2023.01] |
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| H10B 41/30 | | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 41/35 | | . . | mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01] |
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| H10B 41/40 | | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 41/41 | | . . | von Speicherregionen mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01] |
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| H10B 41/42 | | . . | Simultanes Herstellen von Peripherie und Speicherzellen [2023.01] |
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| H10B 41/43 | | . . . | mit nur einem Typ eines peripheren Transistors [2023.01] |
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| H10B 41/44 | | . . . . | mit einer Control-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/46 | | . . . . | mit einer dielektrischen Zwischen-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/47 | | . . . . | mit einer Floating-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/48 | | . . . . | mit einer dielektrischen Tunnel-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01] |
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| H10B 41/49 | | . . . | mit verschiedenen Typen von peripheren Transistoren [2023.01] |
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| H10B 41/50 | | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 41/60 | | . | wobei das Control-Gate eine dotierte Region ist, z.B. Single-Poly-Speicherzelle [2023.01] |
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| H10B 41/70 | | . | wobei das Floating-Gate eine Elektrode ist, die von mehreren Schaltungselementen geteilt wird [2023.01] |
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| H10B 43/00 | EEPROM Bauelemente mit Gate-Isolatoren zum Ladungseinfang [2023.01] |
| H10B 43/10 | | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 43/20 | | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 43/23 | | . . | mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen [2023.01] |
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| H10B 43/27 | | . . . | wobei die Kanäle vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2023.01] |
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| H10B 43/30 | | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 43/35 | | . . | mit Zell-Auswahl-Transistoren, z.B. NAND [2023.01] |
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| H10B 43/40 | | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 43/50 | | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 51/00 | Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren [2023.01] |
| H10B 51/10 | | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 51/20 | | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 51/30 | | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 51/40 | | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 51/50 | | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 53/00 | Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speicherkondensatoren [2023.01] |
| H10B 53/10 | | . | gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01] |
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| H10B 53/20 | | . | gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01] |
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| H10B 53/30 | | . | gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01] |
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| H10B 53/40 | | . | gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 53/50 | | . | gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01] |
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| H10B 61/00 | Magnetische Speicherbauelemente, z.B. magnetoresistive RAM [MRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 63/00 | Speicherbauelemente mit Widerstandsänderung, z.B. resistive RAM [ReRAM] Bauelemente [2023.01] |
| H10B 63/10 | | . | Phasenwechsel-RAM [PCRAM, PRAM] Bauelemente [2023.01] |
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| H10B 69/00 | Lösch-und-programmierbare ROM [EPROM] Bauelemente, die nicht in den Gruppen H10B 41/00-H10B 63/00 vorgesehen sind, z.B. UV-lösch-und-programmierbare ROM [UVEPROM] Bauelemente [2023.01] |
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| H10B 80/00 | Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Speicherbauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2023.01] |
| H10B 99/00 | Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2023.01] |