H	Sektion H — Elektrotechnik
	H01	Elektrische Bauteile
	H01L	Halbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
	H01L 27/00	Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
	H01L 27/02	.  mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit Potenzial-Sperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01]
	H01L 27/04	. .  wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2, 2006.01]
	H01L 27/08	. . .  ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art [2, 2006.01]
	H01L 27/085	. . . .  ausschließlich mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5, 2006.01]
	H01L 27/088	. . . . .  wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate sind [5, 2006.01]
	H01L 27/092	. . . . . .  Komplementäre MIS- Feldeffekt-Transistoren [5, 2006.01]