H	Sektion H — Elektrotechnik
	H01	Elektrische Bauteile
	H01L	Halbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
	H01L 21/00	Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 21/02	.  Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 21/04	. .  Bauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang, Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht [2, 2006.01]
	H01L 21/18	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7, 2006.01]
	H01L 21/20	. . . .  Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]
	H01L 21/205	. . . . .  durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]