G	Sektion G — Physik
		Anmerkung: In dieser Sektion wird der folgende Begriff mit der angegebenen Bedeutung verwendet: "Veränderliche" bedeutet ein charakteristisches Merkmal oder eine Eigenschaft, z.B. eine Abmessung, einen physikalischen Zustand, wie Temperatur, eine Beschaffenheit, wie Dichte oder Farbe, die an einer bestimmten Sache, z.B. an einem Gegenstand, einer Stoffmenge, einem Lichtstrahl und in einem bestimmten Augenblick gemessen werden kann; die Veränderliche kann sich ändern, sodass ihr Zahlenwert zu verschiedenen Zeiten oder unter verschiedenen Bedingungen oder in bestimmten Fällen verschieden groß sein kann. Die Veränderliche kann aber auch für eine bestimmte Sache unter gewissen Bedingungen oder für praktische Zwecke konstant sein, z.B. kann die Länge eines Stabes für viele Zwecke als konstant angesehen werden. Es sind die Definitionen von Begriffen oder Ausdrücken zu beachten. Einige sind in den Anmerkungen zu einzelnen Klassen dieser Sektion enthalten, siehe besonders die Definition zu "Messen" in Klasse G01. Andere sind in Abschnitt 187 des Handbuchs zur IPC enthalten, siehe insbesondere die Erklärungen zu "Steuern" und "Regeln". Das Klassifizieren kann in dieser Sektion mehr Schwierigkeiten als in anderen Sektionen bereiten, weil die Unterscheidung zwischen verschiedenen Anwendungsgebieten in sehr viel stärkerem Ausmaß auf Unterschieden in der Absicht des Benutzers als auf konstruktiven Unterschieden oder auf Unterschieden in der Art der Verwendung der Erfindung beruht, und auch, weil die hier behandelten Gegenstände im Wesentlichen eher Einrichtungen oder Kombinationen mit gemeinsamem Wesen oder gemeinsamen Bestandteilen darstellen als "Dinge" betreffen, die schon für sich unterscheidbar sind. So kann eine Information, z.B. eine Reihe von Symbolen, zum Zwecke der Unterrichtung oder der Reklame, umfasst von Klasse G09, dargestellt werden, um Messresultate anzuzeigen, umfasst von Klasse G01, um eine Information von oder zu einer entfernten Stelle zu übermitteln, umfasst von Klasse G08. Die zur Beschreibung der Verwendung gemachten Angaben hängen von Merkmalen ab, die für die Form des betreffenden Gerätes unwesentlich sein können, z.B. Merkmale, die die erwünschte Wirkung auf die Person betreffen, die die Darstellung wahrnimmt, oder solche, die sich auf die Darstellung von aus der Ferne gesteuerten Informationen beziehen. Ferner kann eine Einrichtung, die auf eine Zustandsänderung, z.B. im Druck einer Flüssigkeit, anspricht, ohne Änderung der Einrichtung dazu benutzt werden, Angaben über diesen Druck, umfasst von Unterklasse G01L, oder über einen anderen Zustand, der mit dem Druck zusammenhängt, zu geben, eine andere Unterklasse von G01, z.B. G01K für die Temperatur, den Druck oder seinen Verlauf, umfasst von Unterklasse G07C, aufzuzeichnen, einen Alarm auszulösen, umfasst von Unterklasse G08B oder um andere Einrichtungen zu steuern, umfasst von Klasse G05. Das Klassifikationssystem soll es möglich machen, Gegenstände ähnlicher Natur, wie oben angegeben, an gleicher Stelle zu klassifizieren, und es ist deshalb besonders wichtig, den Kern jedes technischen Gegenstandes zu bestimmen, bevor er genau klassifiziert werden kann.
	G11	Informationsspeicherung
	G11C	Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B)
		Anmerkung: Diese Unterklasse umfasst Vorrichtungen oder Anordnungen für die Speicherung von digitaler oder analoger Information: in denen keine relative Bewegung zwischen einem Informationsspeicherelement und einem Wandler stattfindet und in denen eine Auswahleinrichtung für das Einschreiben der Information in den Speicher oder das Auslesen der Information aus dem Speicher vorhanden ist. Diese Unterklasse umfasst nicht Elemente, die nicht für die Informationsspeicherung ausgebildet und nicht mit solchen Einrichtungen versehen sind, auf die in der folgenden Anmerkung (3) Bezug genommen wird; diese Elemente werden in der zuständigen Unterklasse klassifiziert, z.B. H01, H03K. In dieser Unterklasse werden die folgende Begriffe mit der angegebenen Bedeutung verwendet: "Speicherelement" ist ein Element, das mindestens eine Informationseinheit speichern kann und das Mittel zum Einschreiben oder Auslesen dieser Information aufweist; "Speicher" ist ein Bauelement, das Speicherelemente umfasst, die im Bedarfsfall abrufbare Informationen speichern können.
		Sachverzeichnis der Unterklasse EINSCHREIBEN ODER AUSLESEN VON INFORMATION G11C 7/00 ADRESSENAUSWAHL G11C 8/00 DIGITALSPEICHER, GEKENNZEICHNET DURCH DIE ART DER SPEICHERELEMENTE Elektrische, magnetische Arten; Einzelheiten hiervon G11C 11/00; G11C 5/00 Mechanische Arten G11C 23/00 Verwendung fließfähiger Medien G11C 25/00 Andere Arten G11C 13/00 DIGITALE SPEICHER, GEKENNZEICHNET DURCH MITTEL ZUM INFORMATIONSERHALT G11C 14/00 LÖSCHBARE PROGRAMMIERBARE FESTWERTSPEICHER G11C 16/00 DIGITALSPEICHER, GEKENNZEICHNET DURCH DIE BEWEGUNG DER INFORMATION Verschiebung; Zirkulation G11C 19/00; G11C 21/00 SPEICHER, GEKENNZEICHNET DURCH IHRE FUNKTION assoziativ; vergleichbar; nur zum Auslesen G11C 15/00; G11C 27/00; G11C 17/00 PRÜFEN VON SPEICHERN G11C 29/00 SACHVERHALTE, SOWEIT NICHT IN ANDEREN GRUPPEN DIESER UNTERKLASSE VORGESEHEN G11C 99/00
	G11C 5/00	Einzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C 11/00 umfasst sind [1, 2006.01]
	G11C 5/02	.  Räumliche Anordnungen von Speicherelementen, z.B. in der Form einer Matrix [1, 2006.01]
	G11C 5/04	. .  Halterungen für Speicherelemente; Anbringen oder Befestigen von Speicherelementen an diesen Halterungen [1, 2006.01]
	G11C 5/05	. . .  Halterung der Kerne in der Matrix [2, 2006.01]
	G11C 5/06	.  Anordnungen zur elektrischen Verbindung von Speicherelementen, z.B. durch Verdrahtung [1, 2006.01]
	G11C 5/08	. .  zur gegenseitigen Verbindung von magnetischen Elementen, z.B. von Ringkernen [1, 2006.01]
	G11C 5/10	. .  zur gegenseitigen Verbindung von Kondensatoren [1, 2006.01]
	G11C 5/12	.  Geräte oder Verfahren zur gegenseitigen Verbindung von Speicherelementen, z.B. zum Einfädeln von Magnetkernen [1, 2006.01]
	G11C 5/14	.  Anordnungen zur Spannungsversorgung [5, 7, 2006.01]
	G11C 7/00	Anordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher (G11C 5/00 hat Vorrang; Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [1, 2, 5, 2006.01]
	G11C 7/02	.  unter Vermeidung von Störsignalen [1, 2006.01]
	G11C 7/04	.  unter Vermeidung von Störungen durch Temperatureinflüsse [1, 2006.01]
	G11C 7/06	.  Leseverstärker; zugehörige Schaltungen [1, 7, 2006.01]
	G11C 7/08	. .  Steuerungen hierfür [7, 2006.01]
	G11C 7/10	.  Eingabe/Ausgabe [I/O]-Datenschnittstellenanordnungen, z.B. I/O-Datensteuerungen, I/O-Datenpuffer [7, 2006.01]
	G11C 7/12	.  Bitleitungssteuerungen, z.B. Treiber, Verstärker, Pull-up-Schaltungen, Pull-down-Schaltungen, Voraufladungsschaltungen, Entzerrerschaltungen für Bitleitungen [7, 2006.01]
	G11C 7/14	.  Dummyzellenverwaltung; Lesevergleichsspannungserzeuger [7, 2006.01]
	G11C 7/16	.  Speichern von Analogsignalen in digitalen Speichern unter Verwendung von Anordnungen, die Analog/Digital [A/D]-Wandler, digitale Speicher und Digital/Analog [D/A]-Wandler umfassen [7, 2006.01]
	G11C 7/18	.  Organisation der Bitleitungen; Layout der Bitleitungen [7, 2006.01]
	G11C 7/20	.  Initialisierungsschaltungen für Speicherzellen, z.B. während des Einschaltens oder Ausschaltens, Löschen des Speichers, latenter Bildspeicher [7, 2006.01]
	G11C 7/22	.  Lese-/Schreib [R/W]-Zeitsteuerungsschaltungen oder Taktschaltungen; Erzeugung oder Verwaltung von Lese-/Schreib [R/W]-Steuersignalen [7, 2006.01]
	G11C 7/24	.  Sicherheits- oder Schutzschaltungen für Speicherzellen, z.B. Anordnungen zur Verhinderung unbeabsichtigten Lesens oder Schreibens; Statuszellen; Testzellen [7, 2006.01]
	G11C 8/00	Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher (für Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5, 2006.01]
	G11C 8/02	.  unter Verwendung einer Auswahlmatrix [2, 2006.01]
	G11C 8/04	.  mit sequenziell adressierender Einrichtung, z.B. Schieberegister, Zähler [5, 2006.01]
	G11C 8/06	.  Adressier-Schnittstellenanordnungen, z.B. Adressenpuffer [7, 2006.01]
	G11C 8/08	.  Steuerungsschaltungen für Wortleitungen, z.B. Treiber, Verstärker, Pull-up-Schaltungen, Pull-down-Schaltungen, Voraufladungsschaltungen für Wortleitungen [7, 2006.01]
	G11C 8/10	.  Decoder [7, 2006.01]
	G11C 8/12	.  Gruppenauswahlschaltungen, z.B. zur Speicherblockauswahl, Chipauswahl, Matrixauswahl [7, 2006.01]
	G11C 8/14	.  Organisation der Wortleitungen; Layout der Wortleitungen [7, 2006.01]
	G11C 8/16	.  Speichermatrix mit Mehrfachzugriff, z.B. Adressieren eines Speicherelements über mindestens zwei unabhängige Adressleitungsgruppen [7, 2006.01]
	G11C 8/18	.  Adressen-Zeitsteuerungs- oder Taktschaltungen; Erzeugung oder Verwaltung von Adressensteuersignalen, z.B. für Zeilenadresstakt-Signale [RAS] oder Spaltenadresstakt-Signale [CAS] [7, 2006.01]
	G11C 8/20	.  Sicherheitsschaltungen oder Schutzschaltungen für Adressen, d.h. Anordnungen zur Verhinderung unberechtigter oder unbeabsichtigter Zugriffe [7, 2006.01]
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01]
		Anmerkung: Die Gruppe G11C 11/56 hat Vorrang vor den Gruppen G11C 11/02-G11C 11/54.
	G11C 11/02	.  mit magnetischen Elementen [1, 2006.01]
	G11C 11/04	. .  mit zylinderförmigen Speicherelementen, z.B. Stab, Draht (G11C 11/12 , G11C 11/14 haben Vorrang) [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/06	. .  mit Speicherlementen mit einer einzigen Öffnung, z.B. Ringkern; mit Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet [1, 2006.01]
	G11C 11/061	. . .  mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen gelöscht wird [2, 2006.01]
	G11C 11/063	. . . .  bit-organisiert, z.B. 2L/2D-, 3D-Organisation, d.h. organisiert zur Auswahl eines Elements mit wenigstens zwei koinzidenten Teilströmen sowohl zum Auslesen als auch zum Einschreiben [2, 2006.01]
	G11C 11/065	. . . .  wort-organisiert, z.B. mit 2D-Organisation oder lineare Auswahl, d.h. organisiert zur Auswahl aller Elemente eines Wortes mittels eines einzigen Vollstroms beim Auslesen [2, 2006.01]
	G11C 11/067	. . .  mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen nicht gelöscht wird [2, 2006.01]
	G11C 11/08	. .  mit Speicherelementen mit mehreren Öffnungen, z.B. Transfluxoren; mit Platten, die verschiedene, jeweils mit mehreren Öffnungen versehene Speicherelemente bilden (G11C 11/10 hat Vorrang) [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/10	. .  mit mehraxialen Speicherelementen [1, 2006.01]
	G11C 11/12	. .  mit Tensoren; mit Twistoren, d.h. mit Elementen, in denen eine Achse der Magnetisierung gedreht ist [1, 2006.01]
	G11C 11/14	. .  mit Dünnschichtelementen [1, 2006.01]
	G11C 11/15	. . .  mit mehreren magnetischen Schichten (G11C 11/155 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	G11C 11/155	. . .  mit zylindrischer Konfiguration [2, 2006.01]
	G11C 11/16	. .  mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht [1, 2006.01]
	G11C 11/18	.  mit Halleffekt-Elementen [1, 2006.01]
	G11C 11/19	.  mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2, 2006.01]
	G11C 11/20	. .  mit Parametrons [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2, 2006.01]
	G11C 11/22	. .  mit ferroelektrischen Elementen [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/23	. .  mit elektrostatischer Speicherung auf einer gemeinsamen Schicht, z.B. Forrester-Haeff-Röhren (G11C 11/22 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	G11C 11/24	. .  mit Kondensatoren (G11C 11/22 hat Vorrang; in Kombination mit Halbleitern und Kondensatoren G11C 11/34 , z.B. G11C 11/40) [1, 2, 5, 2006.01]
	G11C 11/26	. .  mit Entladungsröhren [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/28	. . .  mit gasgefüllten Röhren [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/30	. . .  mit Hochvakuumröhren (G11C 11/23 hat Vorrang) [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/35	. . .  mit Ladungsspeicherung in einer Verarmungsschicht, z.B. ladungsgekoppelte Bauelemente [Charge Coupled Devices = CCD] [7, 2006.01]
	G11C 11/36	. . .  mit Dioden, z.B. als Schwellwertelemente [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/38	. . . .  mit Tunneldioden [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/39	. . .  mit Thyristoren [5, 2006.01]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/401	. . . .  bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5, 2006.01]
	G11C 11/402	. . . . .  mit Ladungsregeneration für jede einzelne Speicherzelle, d.h. interne Auffrischung [5, 2006.01]
	G11C 11/403	. . . . .  mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5, 2006.01]
	G11C 11/404	. . . . . .  mit einer Ladungstransferstrecke pro Zelle, z.B. MOS-Transistor [5, 2006.01]
	G11C 11/405	. . . . . .  mit drei Ladungstransferstrecken pro Zelle, z.B. MOS- Transistoren [5, 2006.01]
	G11C 11/406	. . . . .  Überwachung oder Regelung der Auffrischzyklus oder Ladungsregenerationszyklen [5, 2006.01]
	G11C 11/4063	. . . . .  Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung [7, 2006.01]
	G11C 11/4067	. . . . . .  für bipolare Speicherzellen [7, 2006.01]
	G11C 11/407	. . . . . .  Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen [5, 2006.01]
	G11C 11/4072	. . . . . . .  Schaltungen zum Initialisieren, zum Einschalten, zum Abschalten in den Ruhezustand, zum Löschen des Speichers oder zum Voreinstellen [7, 2006.01]
	G11C 11/4074	. . . . . . .  Schaltungen zur Stromversorgung oder zur Spannungserzeugung, z.B. Vorspannungserzeuger, Substratspannungserzeuger, Reservestromversorgung, Stromversorgungssteuerung [7, 2006.01]
	G11C 11/4076	. . . . . . .  Zeitsteuerungen (zur Überwachung der Regeneration G11C 11/406) [7, 2006.01]
	G11C 11/4078	. . . . . . .  Sicherheitsschaltungen oder Schutzschaltungen, z.B. zum Verhindern des versehentlichen oder unberechtigten Lesens oder Schreibens; Zustandszellen; Prüfzellen (Schutz des Speicherinhalts während des Prüfens oder Testens G11C 29/52) [7, 2006.01]
	G11C 11/408	. . . . . . .  Adressierschaltungen [5, 2006.01]
	G11C 11/409	. . . . . . .  Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5, 2006.01]
	G11C 11/4091	. . . . . . . .  Abtast- oder Abtast/Refresh-Verstärker oder verwandte Abtastschaltungen, z.B. gekoppeltes Vorladen, Ausgleichen oder Isolieren der Bitleitungen [7, 2006.01]
	G11C 11/4093	. . . . . . . .  Anordnungen für Dateneingabe-/Datenausgabe[I/O]-Schnittstellen, z.B. Datenpuffer [7, 2006.01]
	G11C 11/4094	. . . . . . . .  Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Bitleitungen [7, 2006.01]
	G11C 11/4096	. . . . . . . .  Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Dateneingabe/-ausgabe [I/O], z.B. Lese- oder Schreibschaltungen, I/O-Treiber, Bitleitungsschalter [7, 2006.01]
	G11C 11/4097	. . . . . . . .  Bitleitungsorganisation, z. B. bit-line layout, folded bit-lines [7, 2006.01]
	G11C 11/4099	. . . . . . . .  Behandlung von Leerzellen; Referenzspannungserzeuger [7, 2006.01]
	G11C 11/41	. . . .  bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger [5, 2006.01]
	G11C 11/411	. . . . .  nur mit Bipolartransistoren [5, 2006.01]
	G11C 11/412	. . . . .  nur mit Feldeffekttransistoren [5, 2006.01]
	G11C 11/413	. . . . .  Zusatzschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung oder Leistungsreduzierung [5, 2006.01]
	G11C 11/414	. . . . . .  für bipolare Speicherzellen [5, 2006.01]
	G11C 11/415	. . . . . . .  Adressierschaltungen [5, 2006.01]
	G11C 11/416	. . . . . . .  Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5, 2006.01]
	G11C 11/417	. . . . . .  für Feldeffekt-Speicherzellen [5, 2006.01]
	G11C 11/418	. . . . . . .  Adressierschaltungen [5, 2006.01]
	G11C 11/419	. . . . . . .  Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5, 2006.01]
	G11C 11/4193	. . .  für spezielle Halbleiterspeicherbauelemente typische Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Treiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung, Stromversorgung, Signalausbreitung (G11C 11/4063 , G11C 11/413 haben Vorrang) [7, 2006.01]
	G11C 11/4195	. . . .  Adressierschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 11/4197	. . . .  Schreib-/Lese[R/W]-Schaltungen [7, 2006.01]
	G11C 11/42	. .  mit optoelektrischen Bauelementen, d.h. elektrisch oder optisch gekoppelten lichtemittierenden und fotoelektrischen Bauelementen [1, 2006.01]
	G11C 11/44	. .  mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotron [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/46	.  mit thermoplastischen Elementen [1, 2006.01]
	G11C 11/48	.  mit verschiebbaren Koppelelementen, z.B. mit ferromagnetischen Kernen, zum Kippen zwischen verschiedenen Zuständen einer induktiven Kopplung oder Selbstinduktion [1, 2006.01]
	G11C 11/50	.  mit elektrischen Kontakten zur Speicherung von Informationen [1, 2006.01]
	G11C 11/52	. .  mit elektromagnetischen Relais [1, 2006.01]
	G11C 11/54	.  mit Elementen zur Simulierung von biologischen Zellen, z.B. Neuronen [1, 2006.01]
	G11C 11/56	.  mit Speicherelementen mit mehr als zwei stabilen Zuständen, die durch Stufen, z.B. von Spannung, Strom, Phase, Frequenz repräsentiert sind [2, 2006.01]
	G11C 13/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C 11/00 , G11C 23/00 oder G11C 25/00 umfasst sind [1, 2006.01]
	G11C 13/02	.  mit Elementen, deren Wirkungsweise auf chemischen Änderungen beruht [1, 2006.01]
	G11C 13/04	.  mit optischen Elementen [1, 2006.01]
	G11C 13/06	. .  mit magnetooptischen Elementen [2, 2006.01]
	G11C 14/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch Speicherzellenanordnungen mit flüchtigem und nichtflüchtigem Speicherverhalten zum Informationserhalt bei ausgefallener Spannung [5, 2006.01]
	G11C 15/00	Digitale Speicher, in denen eine mit einem oder mehreren charakteristischen Teilen versehene Information eingeschrieben und dadurch ausgelesen wird, dass der oder die charakteristischen Teile aufgesucht werden, d.h. assoziative oder inhaltsadressierte Speicher [1, 2, 2006.01]
	G11C 15/02	.  mit magnetischen Elementen [2, 2006.01]
	G11C 15/04	.  mit Halbleiterelementen [2, 2006.01]
	G11C 15/06	.  mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotrons [2, 2006.01]
	G11C 16/00	Löschbare, programmierbare Festwertspeicher (G11C 14/00 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	G11C 16/02	.  elektrisch programmierbar [5, 2006.01]
	G11C 16/04	. .  unter Verwendung von Transistoren mit variablem Schwellenwert, z.B. FAMOS [5, 2006.01]
	G11C 16/06	. .  Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher [5, 2006.01]
	G11C 16/08	. . .  Adressierschaltungen; Decoder; Steuerschaltungen für Wortleitungen [7, 2006.01]
	G11C 16/10	. . .  Programmierschaltungen oder Dateneingabeschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/12	. . . .  Programmierspannungsschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/14	. . . .  elektrische Löschschaltungen, z.B. Löschspannungsschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/16	. . . . .  zum Löschen von Blöcken, z.B. Arrays, Wörter, Gruppen [7, 2006.01]
	G11C 16/18	. . . .  Optische Löschschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/20	. . . .  Initialisierung; Datenvoreinstellung; Chipidentifizierung [7, 2006.01]
	G11C 16/22	. . .  Sicherheitsschaltungen oder Schutzschaltungen zur Verhinderung des unerlaubten oder zufälligen Zugriffs auf Speicherzellen [7, 2006.01]
	G11C 16/24	. . .  Bitleitungskontrollschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/26	. . .  Abtastschaltungen oder Leseschaltungen; Datenausgabeschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/28	. . . .  mit differenzieller Abtastung oder mit Referenzzellen, z.B. Leerzellen [7, 2006.01]
	G11C 16/30	. . .  Spannungsversorgungsschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/32	. . .  Zeitgeberschaltungen [7, 2006.01]
	G11C 16/34	. . .  Ermitteln des Programmierzustands, z.B. Schwellenspannung, Überprogrammierung oder Unterprogrammierung, Datenhaltung [7, 2006.01]
	G11C 17/00	Nur einmal programmierbare Festwertspeicher; Halbfestwertspeicher, z.B. mit manuell auswechselbaren Informationsträgerkarten [1, 2, 5, 2006.01]
	G11C 17/02	.  mit magnetischen oder induktiven Elementen oder mit magnetischer oder induktiver Kopplung (G11C 17/14 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	G11C 17/04	.  mit kapazitiven Elementen oder kapazitiver Kopplung (G11C 17/06 , G11C 17/14 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	G11C 17/06	.  mit Dioden oder mit Dioden-Kopplung (G11C 17/14 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	G11C 17/08	.  mit Halbleiterbauelementen, z.B. bipolaren Bauelementen (G11C 17/06 , G11C 17/14 haben Vorrang) [5, 2006.01]
	G11C 17/10	. .  in denen der Speicherinhalt während des Herstellungsvorgangs durch eine vorher festgelegte Anordnung von Koppelelementen bestimmt wird, z.B. maskenprogrammierbarer Festwertspeicher [ROM] [5, 2006.01]
	G11C 17/12	. . .  mit Feldeffekt-Bauelementen [5, 2006.01]
	G11C 17/14	.  in denen der Speicherinhalt durch selektives Herstellen, Unterbrechen oder Ändern von Verbindungsstellen durch bleibende Änderung des Zustands von Koppelelementen bestimmt wird, z.B. PROM [5, 2006.01]
	G11C 17/16	. .  mit Koppelelementen, die die Funktion einer elektrischen Sicherung aufweisen [5, 2006.01]
	G11C 17/18	. .  Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher [5, 2006.01]
	G11C 19/00	Digitale Speicher, in denen die Information schrittweise bewegt wird, z.B. Schieberegister [1, 2006.01]
	G11C 19/02	.  mit magnetischen Elementen (G11C 19/14 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	G11C 19/04	. .  mit Kernen mit einer Öffnung oder einem Magnetkreis [2, 2006.01]
	G11C 19/06	. .  mit mehreren Öffnungen oder Magnetkreisen, z.B. Transfluxoren [2, 2006.01]
	G11C 19/08	. .  mit dünnen Filmen in ebener Anordnung [2, 2006.01]
	G11C 19/10	. .  mit dünnen Filmen auf Stäben; mit Twistoren [2, 2006.01]
	G11C 19/12	.  mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2, 2006.01]
	G11C 19/14	.  mit magnetischen Elementen in Kombination mit aktiven Elementen, z.B. mit Entladungsröhren, mit Halbleiterbauelementen (G11C 19/34 hat Vorrang) [2, 7, 2006.01]
	G11C 19/18	.  mit Kondensatoren als Hauptelemente der Stufen [2, 2006.01]
	G11C 19/20	.  mit Entladungsröhren (G11C 19/14 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	G11C 19/28	.  mit Halbleiterbauelementen (G11C 19/14 , G11C 19/36 haben Vorrang) [2, 7, 2006.01]
	G11C 19/30	.  mit optoelektronischen Anordnungen, d.h. lichtemittierenden und fotoelektrischen Anordnungen, die elektrisch oder optisch gekoppelt sind [2, 2006.01]
	G11C 19/32	.  mit supraleitenden Elementen [2, 2006.01]
	G11C 19/34	.  mit Speicherelementen, die mehr als zwei stabile, durch Stufen verkörperte Zustände aufweisen, z.B. Spannung, Strom, Phase, Frequenz [7, 2006.01]
	G11C 19/36	. .  mit Halbleiterbauelementen [7, 2006.01]
	G11C 19/38	.  zweidimensional, z.B. horizontale und vertikale Schieberegister [7, 2006.01]
	G11C 21/00	Digitale Speicher, in denen die Information zirkuliert (schrittweise G11C 19/00) [1, 2006.01]
	G11C 21/02	.  mit elektromechanischen Verzögerungsleitungen, z.B. mit Quecksilber-Behälter [1, 2006.01]
	G11C 23/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Bewegung mechanischer Teile zur Herstellung eines Speichereffektes, z.B. Kugeln; Speicherelemente hierfür [1, 2006.01]
	G11C 25/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung fließfähiger Medien; Speicherelemente hierfür [1, 2006.01]
	G11C 27/00	Elektrische Analogspeicher, z.B. zur Speicherung von Augenblickswerten [1, 2006.01]
	G11C 27/02	.  Abtast- und Speicheranordnungen (G11C 27/04 hat Vorrang) [2, 4, 2006.01]
	G11C 27/04	.  Schieberegister [4, 2006.01]
	G11C 29/00	Prüfen von Speichern auf richtige Arbeitsweise; Testen von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs [1, 2006.01]
	G11C 29/02	.  Ermitteln oder Lokalisieren defekter Hilfsschaltungen, z.B. defekter Refresh- Zähler [2006.01]
	G11C 29/04	.  Ermitteln oder Lokalisieren defekter Speicherelemente [2006.01]
	G11C 29/06	. .  zeitraffende Prüfung [2006.01]
	G11C 29/08	. .  Funktionsprüfung, z.B. Prüfung während einer Auffrischung, Einschalt-Selbsttest (power- on self testing [POST]) oder verteilter Prüfung [2006.01]
	G11C 29/10	. . .  Prüfalgorithmen, z.B. Speicher-Scan-Algorithmen [MScan]; Prüfmuster, z.B. Schachbrettmuster [2006.01]
	G11C 29/12	. . .  eingebaute Prüfanordnungen, z.B. eingebauter Selbsttest [BIST] [2006.01]
	G11C 29/14	. . . .  Implementierung von Steuerlogik, z.B. Testmodusdecoder [2006.01]
	G11C 29/16	. . . . .  unter Verwendung mikroprogrammierter Einheiten, z.B. Zustandsmaschinen [2006.01]
	G11C 29/18	. . . .  Adressengeneratoren; Einrichtungen für Speicherzugriff, z.B. Einzelheiten von Adressierschaltungen [2006.01]
	G11C 29/20	. . . . .  unter Verwendung von Zählern oder Schieberegistern mit linearer Rückkopplung [LFSR] [2006.01]
	G11C 29/22	. . . . .  Zugriff auf serielle Speicher [2006.01]
	G11C 29/24	. . . . .  Zugriff auf Zusatzzellen, z.B. Dummy-Zellen oder redundante Zellen [2006.01]
	G11C 29/26	. . . . .  Zugriff auf Mehrfach-Arrays (G11C 29/24 hat Vorrang) [2006.01]
	G11C 29/28	. . . . . .  Abhängige Mehrfach-Arrays, z.B. Multibit-Arrays [2006.01]
	G11C 29/30	. . . . .  Zugriff auf Einfach-Arrays [2006.01]
	G11C 29/32	. . . . . .  serieller Zugriff; Scan- Test [2006.01]
	G11C 29/34	. . . . . .  simultaner Zugriff auf mehrere Bits [2006.01]
	G11C 29/36	. . . .  Bauelemente zur Datenerzeugung, z.B. Dateninverter [2006.01]
	G11C 29/38	. . . .  Bauelemente zur Überprüfung der Antwort [2006.01]
	G11C 29/40	. . . . .  unter Verwendung von Kompressionstechniken [2006.01]
	G11C 29/42	. . . . .  unter Verwendung von Fehlerkorrekturcodes [ECC] oder Paritätsprüfung [2006.01]
	G11C 29/44	. . . .  Anzeige oder Feststellung von Fehlern, z.B. zur Reparatur [2006.01]
	G11C 29/46	. . . .  Testauslöselogik [2006.01]
	G11C 29/48	. . .  Anordnungen in statischen Speichern speziell angepasst an die Prüfung mit Mitteln außerhalb des Speichers, z.B. unter Verwendung von direktem Speicherzugriff [DMA] oder unter Verwendung externer Zugriffspfade [2006.01]
	G11C 29/50	. .  Grenzwertprüfung, z.B. Race, Spannungsprüfung oder Stromprüfung [2006.01]
	G11C 29/52	.  Schutz von Speicherinhalten; Fehlererkennung in Speicherinhalten [2006.01]
	G11C 29/54	.  Anordnungen zum Entwurf von Testschaltungen, z.B. design for test [DFT] tools [2006.01]
	G11C 29/56	.  externe Prüfsysteme für statische Speicher, z.B. automatische Testsysteme [ATE]; Schnittstellen hierfür [2006.01]
	G11C 99/00	Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2006.01]