G	Sektion G — Physik
	G11	Informationsspeicherung
	G11C	Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B)
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2, 2006.01]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/401	. . . .  bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5, 2006.01]
	G11C 11/4063	. . . . .  Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung [7, 2006.01]
	G11C 11/407	. . . . . .  Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen [5, 2006.01]
	G11C 11/4078	. . . . . . .  Sicherheitsschaltungen oder Schutzschaltungen, z.B. zum Verhindern des versehentlichen oder unberechtigten Lesens oder Schreibens; Zustandszellen; Prüfzellen (Schutz des Speicherinhalts während des Prüfens oder Testens G11C 29/52) [7, 2006.01]