G	Sektion G — Physik
	G11	Informationsspeicherung
	G11C	Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B)
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2, 2006.01]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/401	. . . .  bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5, 2006.01]
	G11C 11/403	. . . . .  mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5, 2006.01]
	G11C 11/404	. . . . . .  mit einer Ladungstransferstrecke pro Zelle, z.B. MOS-Transistor [5, 2006.01]