| C | Sektion C — Chemie; Hüttenwesen |
| C30 | Züchten von Kristallen [3] |
| C30B | Züchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06); Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B); Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F); Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L, H10); Apparate hierfür [3] |
| C30B 1/00 | Einkristallwachstum direkt aus dem festen Zustand (gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen C30B 3/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 1/02 | . | durch Wärmebehandlung, z.B. Ausglühen von Gitterspannungen (C30B 1/12 hat Vorrang) [3, 2006.01] |
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| C30B 1/04 | . . | Isotherme Rekristallisation [3, 2006.01] |
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| C30B 1/06 | . . | Rekristallisation unter einem Temperaturgradienten [3, 2006.01] |
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| C30B 1/08 | . . . | Zonenrekristallisation [3, 2006.01] |
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| C30B 1/10 | . | durch Feststoffreaktion oder Mehrphasen-Diffusion [3, 2006.01] |
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| C30B 1/12 | . | durch Druckbehandlung während des Wachstums [3, 2006.01] |
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| C30B 3/00 | Gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen [3, 2006.01] |
| C30B 5/00 | Einkristallwachstum aus Gelen (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 5/02 | . | unter Zugabe von Dotierstoffen [3, 2006.01] |
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| C30B 7/00 | Einkristallwachstum aus Lösungen unter Verwendung von Lösungsmitteln, die bei normaler Temperatur flüssig sind, z.B. wässrige Lösungen (aus geschmolzenen Lösungsmitteln C30B 9/00; durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 7/02 | . | durch Verdampfung des Lösungsmittels [3, 2006.01] |
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| C30B 7/04 | . . | unter Verwendung von wässrigen Lösungsmitteln [3, 2006.01] |
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| C30B 7/06 | . . | unter Verwendung von nichtwässrigen Lösungsmitteln [3, 2006.01] |
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| C30B 7/08 | . | durch Abkühlen der Lösung [3, 2006.01] |
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| C30B 7/10 | . | durch Anwendung von Druck, z.B. hydrothermale Verfahren [3, 2006.01] |
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| C30B 7/12 | . | durch Elektrolyse [3, 2006.01] |
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| C30B 7/14 | . | die auskristallisierenden Stoffe werden durch chemische Reaktionen in der Lösung gebildet [3, 2006.01] |
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| C30B 9/00 | Einkristallwachstum aus Lösungsschmelzen unter Verwendung von geschmolzenen Lösungsmitteln (durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; durch Zonenschmelzen C30B 13/00; Kristallziehen C30B 15/00; auf einem eingetauchten Keimkristall C30B 17/00; durch Flüssigphasen-Epitaxie C30B 19/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 9/02 | . | durch Verdampfen des geschmolzenen Lösungsmittels [3, 2006.01] |
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| C30B 9/04 | . | durch Kühlen der Lösung [3, 2006.01] |
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| C30B 9/06 | . . | unter Verwendung von einer Komponente der Kristallverbindung als Lösungsmittel [3, 2006.01] |
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| C30B 9/08 | . . | unter Verwendung von anderen Lösungsmitteln [3, 2006.01] |
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| C30B 9/10 | . . . | metallische Lösungsmittel [3, 2006.01] |
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| C30B 9/12 | . . . | Salze als Lösungsmittel, z.B. Wachstum aus Schmelzen mit Flussmitteln [3, 2006.01] |
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| C30B 9/14 | . | durch Elektrolyse [3, 2006.01] |
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| C30B 11/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman-Stockbarger-Methode (C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 haben Vorrang; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 11/02 | . | ohne Lösungsmittel (C30B 11/06 hat Vorrang) [3, 2006.01] |
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| C30B 11/04 | . | Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3, 2006.01] |
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| C30B 11/06 | . . | wobei wenigstens eine, aber nicht alle Komponenten der Kristallverbindung zugegeben werden [3, 2006.01] |
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| C30B 11/08 | . . | wobei alle Komponenten der Kristallverbindung während der Kristallisation zugegeben werden [3, 2006.01] |
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| C30B 11/10 | . . . | feste oder flüssige Komponenten, z.B. Verneuil-Methode [3, 2006.01] |
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| C30B 11/12 | . . . | dampfförmige Komponenten, z.B. VLS- [vapour-liquid-solid] Verfahren [3, 2006.01] |
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| C30B 11/14 | . | gekennzeichnet durch den Keimkristall, z.B. seine kristallografische Orientierung [3, 2006.01] |
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| C30B 13/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Zonenschmelzen; Reinigen durch Zonenschmelzen (C30B 17/00 hat Vorrang; durch Ändern des Querschnitts des behandelten festen Stoffes C30B 15/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00; für das Wachstum von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur C30B 28/00) [3, 5, 2006.01] |
| C30B 13/02 | . | Zonenschmelzen mit einem Lösungsmittel, z.B. travelling-solvent-Methode [Verwendung einer wandernden Schmelzlösungsmittelzone] [3, 2006.01] |
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| C30B 13/04 | . | Homogenisieren durch "zone-levelling" [3, 2006.01] |
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| C30B 13/06 | . | die Schmelzzone nimmt nicht den ganzen Querschnitt ein [3, 2006.01] |
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| C30B 13/08 | . | Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelzzone [3, 2006.01] |
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| C30B 13/10 | . . | unter Zusetzen von Dotierstoffen [3, 2006.01] |
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| C30B 13/12 | . . . | in gasförmigem oder dampfförmigem Zustand [3, 2006.01] |
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| C30B 13/14 | . | Tiegel oder Gefäße [3, 2006.01] |
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| C30B 13/16 | . | Erhitzen der Schmelzzone [3, 2006.01] |
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| C30B 13/18 | . . | wobei das Heizelement in Kontakt mit der Schmelzzone steht oder in sie eingetaucht ist [3, 2006.01] |
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| C30B 13/20 | . . | durch Induktion, z.B. Heißdraht-Technik (C30B 13/18 hat Vorrang) [3, 2006.01] |
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| C30B 13/22 | . . | durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3, 2006.01] |
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| C30B 13/24 | . . . | mit elektromagnetischen Wellen [3, 2006.01] |
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| C30B 13/26 | . | unter Rühren der Schmelzzone [3, 2006.01] |
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| C30B 13/28 | . | Steuern oder Regeln [3, 2006.01] |
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| C30B 13/30 | . . | Stabilisation oder Formgebung der Schmelzzone, z.B. durch Verdichten, durch elektromagnetische Felder; Steuern des Kristallquerschnitts [3, 2006.01] |
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| C30B 13/32 | . | Vorrichtungen, um entweder die Charge oder das Heizelement zu bewegen [3, 2006.01] |
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| C30B 13/34 | . | gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3, 2006.01] |
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| C30B 15/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 15/02 | . | Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3, 2006.01] |
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| C30B 15/04 | . . | unter Zusetzen von Dotierstoffen, z.B. für n-p-Übergang [3, 2006.01] |
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| C30B 15/06 | . | Nicht-senkrechtes Ziehen [3, 2006.01] |
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| C30B 15/08 | . | Abwärtsziehen [3, 2006.01] |
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| C30B 15/10 | . | Tiegel oder Behälter für die Schmelze [3, 2006.01] |
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| C30B 15/12 | . . | Doppeltiegel-Verfahren [3, 2006.01] |
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| C30B 15/14 | . | Erhitzen der Schmelze oder der kristallisierten Stoffe [3, 2006.01] |
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| C30B 15/16 | . . | durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3, 2006.01] |
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| C30B 15/18 | . . | mit direkter Widerstandsheizung zusätzlich zu anderen Erhitzungsverfahren, z.B. mit Peltier- Wärme [3, 2006.01] |
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| C30B 15/20 | . | Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3, 2006.01] |
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| C30B 15/22 | . . | Stabilisierung oder Formgebung der Schmelzzone nahe dem gezogenen Kristall; Steuern des Kristallquerschnitts [3, 2006.01] |
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| C30B 15/24 | . . . | unter Verwendung von mechanischen Mitteln, z.B. Formwerkzeugen (formgebende Elemente für kantenbestimmtes, schmelzfilmbeschicktes Kristallwachstum C30B 15/34) [3, 2006.01] |
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| C30B 15/26 | . . . | unter Verwendung von Fernsehkameras; unter Verwendung von Foto- oder Röntgen-Detektoren [3, 2006.01] |
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| C30B 15/28 | . . . | unter Ausnutzung von Gewichtsveränderungen des Kristalls oder der Schmelze, z.B. Flotationsverfahren [Schwimm-Tiegel-Verfahren] [3, 2006.01] |
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| C30B 15/30 | . | Vorrichtungen zum Rotieren oder Bewegen der Schmelze oder des Kristalls (Schwimm-Verfahren C30B 15/28) [3, 2006.01] |
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| C30B 15/32 | . | Keimhalter, z.B. Spannfutter [3, 2006.01] |
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| C30B 15/34 | . | kantenbestimmendes, schmelzfilmbeschicktes Ziehen von Kristallen mit formgebenden Elementen oder Schlitzen [3, 2006.01] |
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| C30B 15/36 | . | gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3, 2006.01] |
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| C30B 17/00 | Einkristallwachstum auf einem Keim, der während des Wachstums in der Schmelze verbleibt, z.B. Nacken-Kyropoulos-Verfahren (C30B 15/00 hat Vorrang) [3, 2006.01] |
| C30B 19/00 | Flüssigphasen-Epitaxie [LPE-Verfahren] [3, 2006.01] |
| C30B 19/02 | . | mit geschmolzenen Lösungsmitteln, z.B. Flussmitteln [3, 2006.01] |
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| C30B 19/04 | . . | wobei das Lösungsmittel eine Komponente der Kristallverbindung ist [3, 2006.01] |
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| C30B 19/06 | . | Reaktionskammern; Gefäße für die Schmelze; Substratträger [3, 2006.01] |
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| C30B 19/08 | . | Erhitzen der Reaktionskammern oder des Substrates [3, 2006.01] |
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| C30B 19/10 | . | Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3, 2006.01] |
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| C30B 19/12 | . | gekennzeichnet durch das Substrat [3, 2006.01] |
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| C30B 21/00 | Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3, 2006.01] |
| C30B 21/02 | . | durch einfaches Gießen oder Kühlen mit Temperaturgradient [3, 2006.01] |
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| C30B 21/04 | . | durch Zonenschmelzen [3, 2006.01] |
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| C30B 21/06 | . | durch Ziehen aus einer Schmelze [3, 2006.01] |
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| C30B 23/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen [3, 2006.01] |
| C30B 23/02 | . | Epitaktisches Schichtenwachstum [3, 2006.01] |
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| C30B 23/04 | . . | Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3, 2006.01] |
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| C30B 23/06 | . . | Erhitzen der Abscheidekammer, des Substrats oder der zu verdampfenden Stoffe [3, 2006.01] |
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| C30B 23/08 | . . | durch Niederschlagen von ionisierten Dämpfen (durch reaktives Sputtering C30B 25/06) [3, 2006.01] |
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| C30B 25/00 | Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion [3, 2006.01] |
| C30B 25/02 | . | Epitaktisches Schichtenwachstum [3, 2006.01] |
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| C30B 25/04 | . . | Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3, 2006.01] |
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| C30B 25/06 | . . | durch reaktives Sputtering [3, 2006.01] |
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| C30B 25/08 | . . | Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3, 2006.01] |
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| C30B 25/10 | . . | Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats [3, 2006.01] |
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| C30B 25/12 | . . | Substrathalter oder Substratträger [3, 2006.01] |
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| C30B 25/14 | . . | Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3, 2006.01] |
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| C30B 25/16 | . . | Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3, 2006.01] |
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| C30B 25/18 | . . | gekennzeichnet durch das Substrat [3, 2006.01] |
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| C30B 25/20 | . . . | wobei das Substrat aus denselben Stoffen wie die epitaktische Schicht ist [3, 2006.01] |
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| C30B 25/22 | . . | Sandwich-Verfahren [3, 2006.01] |
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| C30B 27/00 | Einkristallwachstum unter einem schützenden Fluid [3, 2006.01] |
| C30B 27/02 | . | durch Ziehen aus einer Schmelze [3, 2006.01] |
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| C30B 28/00 | Herstellung von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [5, 2006.01] |
| C30B 28/02 | . | direkt aus dem festen Zustand [5, 2006.01] |
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| C30B 28/04 | . | aus Flüssigkeiten [5, 2006.01] |
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| C30B 28/06 | . . | durch normales Ausfrieren oder Ausfrieren unter einem Temperaturgradienten [5, 2006.01] |
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| C30B 28/08 | . . | durch Zonenschmelzen [5, 2006.01] |
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| C30B 28/10 | . . | durch Ziehen aus einer Schmelze [5, 2006.01] |
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| C30B 28/12 | . | direkt aus dem Gaszustand [5, 2006.01] |
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| C30B 28/14 | . . | durch chemische Reaktion reaktionsfähiger Gase [5, 2006.01] |
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| C30B 29/00 | Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form [3, 5, 2006.01] |
| C30B 29/02 | |
| C30B 29/04 | |
| C30B 29/06 | . . | Silicium [3, 2006.01] |
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| C30B 29/08 | . . | Germanium [3, 2006.01] |
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| C30B 29/10 | . | Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen [3, 2006.01] |
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| C30B 29/12 | . . | Halogenide [3, 2006.01] |
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| C30B 29/14 | . . | Phosphate [3, 2006.01] |
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| C30B 29/16 | |
| C30B 29/18 | |
| C30B 29/20 | . . . | Aluminiumoxide [3, 2006.01] |
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| C30B 29/22 | . . . | Zusammengesetzte Oxide [3, 2006.01] |
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| C30B 29/24 | . . . . | der Formel AMeO3 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Orthoferrite [3, 2006.01] |
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| C30B 29/26 | . . . . | der Formel BMe2O4 , wobei B ist Mg, Ni, Co, Al, Zn oder Cd, und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al [3, 2006.01] |
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| C30B 29/28 | . . . . | der Formel A3 Me5O12 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Granate [3, 2006.01] |
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| C30B 29/30 | . . . . | Niobate; Vanadate; Tantalate [3, 2006.01] |
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| C30B 29/32 | . . . . | Titanate; Germanate; Molybdate; Wolframate [3, 2006.01] |
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| C30B 29/34 | . . | Silicate [3, 2006.01] |
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| C30B 29/36 | |
| C30B 29/38 | |
| C30B 29/40 | . . | AIIIBV-Verbindungen [3, 2006.01] |
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| C30B 29/42 | . . . | Galliumarsenid [3, 2006.01] |
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| C30B 29/44 | . . . | Galliumphosphid [3, 2006.01] |
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| C30B 29/46 | . . | Schwefel, Selen oder Tellur enthaltende Verbindungen [3, 2006.01] |
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| C30B 29/48 | . . . | AIIBVI-Verbindungen [3, 2006.01] |
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| C30B 29/50 | . . . . | Cadmiumsulfid [3, 2006.01] |
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| C30B 29/52 | . . | Legierungen [3, 2006.01] |
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| C30B 29/54 | . | Organische Verbindungen [3, 2006.01] |
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| C30B 29/56 | . . | Tartrate [3, 2006.01] |
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| C30B 29/58 | . . | Makromolekulare Verbindungen [3, 2006.01] |
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| C30B 29/60 | . | gekennzeichnet durch die Form [3, 2006.01] |
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| C30B 29/62 | . . | Whisker oder Nadeln [3, 2006.01] |
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| C30B 29/64 | . . | Flache Kristalle, z.B. Platten, Bänder oder Scheiben [5, 2006.01] |
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| C30B 29/66 | . . | Kristalle komplexer geometrischer Form, z.B. Rohre, Zylinder [5, 2006.01] |
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| C30B 29/68 | . . | Kristalle mit Schichtstrukturen, z.B. "Übergitter" ["Superlattices"] [5, 2006.01] |
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| C30B 30/00 | Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur durch Anwendung von elektrischen oder magnetischen Feldern, Schwingungsenergie oder unter Anwendung sonstiger spezieller physikalischer Bedingungen [5, 2006.01] |
| C30B 30/02 | . | durch Anwendung elektrischer Felder, z.B. Elektrolyse [5, 2006.01] |
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| C30B 30/04 | . | durch Anwendung magnetischer Felder [5, 2006.01] |
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| C30B 30/06 | . | durch Anwendung mechanischer Schwingungen [5, 2006.01] |
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| C30B 30/08 | . | unter Schwerelosigkeit oder geringer Schwerkraft [5, 2006.01] |
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| C30B 31/00 | Diffusionsverfahren oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Vorrichtungen dafür [3, 5, 2006.01] |
| C30B 31/02 | . | durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in festem Zustand [3, 2006.01] |
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| C30B 31/04 | . | durch Kontaktieren mit Diffusionsstoffen im flüssigen Zustand [3, 2006.01] |
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| C30B 31/06 | . | durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in gasförmigem Zustand [3, 2006.01] |
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| C30B 31/08 | . . | wobei die Diffusionsstoffe Verbindungen der zu diffundierenden Elemente sind [3, 2006.01] |
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| C30B 31/10 | . . | Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3, 2006.01] |
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| C30B 31/12 | . . | Heizen der Reaktionskammer [3, 2006.01] |
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| C30B 31/14 | . . | Substrathalter oder Substratträger [3, 2006.01] |
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| C30B 31/16 | . . | Zuleitungen und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3, 2006.01] |
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| C30B 31/18 | . . | Steuern oder Regeln [3, 2006.01] |
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| C30B 31/20 | . | Dotieren durch Bestrahlen mit elektromagnetischen Wellen oder durch Teilchenstrahlung [3, 2006.01] |
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| C30B 31/22 | . . | durch Ionen-Implantation [3, 2006.01] |
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| C30B 33/00 | Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur (C30B 31/00 hat Vorrang) [3, 5, 2006.01] |
| C30B 33/02 | |
| C30B 33/04 | . | durch Anwendung elektrischer oder magnetischer Felder oder von Teilchenstrahlung [5, 2006.01] |
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| C30B 33/06 | . | Zusammenfügen von Kristallen [5, 2006.01] |
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| C30B 33/08 | |
| C30B 33/10 | . . | in Lösungen oder Schmelzen [5, 2006.01] |
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| C30B 33/12 | . . | in Gasatmosphäre oder Plasma [5, 2006.01] |
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| C30B 35/00 | Vorrichtungen, besonders ausgebildet für Wachstum, Herstellung und Nachbehandlung von Einkristallen oder von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur, soweit nicht anderweitig vorgesehen [3, 5, 2006.01] |