![Hierarchische Anzeige ausschalten: C01B 33/00](images/vm_full.gif) ![Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: C01B 33/00](images/lupe.gif) | C01B 33/00 | Silicium; dessen Verbindungen (C01B 21/00 , C01B 23/00 haben Vorrang; Persilicate C01B 15/14; Carbide C01B 32/956) [1, 3, 2006.01] |
![Hierarchische Anzeige ausschalten: C01B 33/035](images/vm_full.gif) ![Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: C01B 33/035](images/lupe.gif) | C01B 33/035 | . . . . | durch Zersetzung oder Reduktion von gasförmigen oder dampfförmigen Siliciumverbindungen in Gegenwart erhitzter Filamente von Silicium, Kohlenstoff oder einem hochtemperaturbeständigen Metall, z.B. Tantal oder Wolfram, oder in Gegenwart von erhitzten Siliciumstäben, auf welche das geformte Silicium aufgebracht wird, wobei ein Siliciumstab erhalten wird, z.B. Siemens-Verfahren [5, 2006.01] |
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