H	Sektion H — Elektrotechnik	ELECTRICITY
	H10	Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR [2023.01]
	H10B	Elektronische Speicherbauelemente [2023.01]	ELECTRONIC MEMORY DEVICES [2023.01]
		Flüchtige Speicherbauelemente [2023.01]	Volatile memory devices [2023.01]
	H10B 10/00	Static Random Access Memory [SRAM] Bauelemente [2023.01]	Static random access memory [SRAM] devices [2023.01]
	H10B 10/10	.  SRAM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01]	.  SRAM devices comprising bipolar components [2023.01]
	H10B 12/00	Dynamic Random Access Memory [DRAM] Bauelemente [2023.01]	Dynamic random access memory [DRAM] devices [2023.01]
	H10B 12/10	.  DRAM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01]	.  DRAM devices comprising bipolar components [2023.01]
		Nicht-flüchtige Speicherbauelemente [2023.01]	Non-volatile memory devices [2023.01]
	H10B 20/00	Read-Only Memory [ROM] Bauelemente [2023.01]	Read-only memory [ROM] devices [2023.01]
	H10B 20/10	.  ROM Bauelemente mit bipolaren Schaltungselementen [2023.01]	.  ROM devices comprising bipolar components [2023.01]
	H10B 20/20	.  Programmierbare ROM [PROM] Bauelemente mit Feldeffekt-Schaltungselementen (H10B 20/10 hat Vorrang) [2023.01]	.  Programmable ROM [PROM] devices comprising field-effect components (H10B 20/10 takes precedence) [2023.01]
	H10B 20/25	. .  Einmalig-programmierbare ROM [OTPROM] Bauelemente, z.B. durch elektrisch-schmelzbare Verbindungen [2023.01]	. .  One-time programmable ROM [OTPROM] devices, e.g. using electrically-fusible links [2023.01]
	H10B 41/00	Elektrisch lösch-und-programmierbare ROM [EEPROM] Bauelemente mit Floating-Gates [2023.01]	Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates [2023.01]
	H10B 41/10	.  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01]	.  characterised by the top-view layout [2023.01]
	H10B 41/20	.  gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01]	.  characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels [2023.01]
	H10B 41/23	. .  mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen [2023.01]	. .  with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels [2023.01]
	H10B 41/27	. . .  wobei die Kanäle vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2023.01]	. . .  the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels [2023.01]
	H10B 41/30	.  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers  [2023.01]	.  characterised by the memory core region [2023.01]
	H10B 41/35	. .  mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01]	. .  with a cell select transistor, e.g. NAND [2023.01]
	H10B 41/40	.  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
	H10B 41/41	. .  von Speicherregionen mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01]	. .  of a memory region comprising a cell select transistor, e.g. NAND [2023.01]
	H10B 41/42	. .  Simultanes Herstellen von Peripherie und Speicherzellen [2023.01]	. .  Simultaneous manufacture of periphery and memory cells [2023.01]
	H10B 41/43	. . .  mit nur einem Typ eines peripheren Transistors [2023.01]	. . .  comprising only one type of peripheral transistor [2023.01]
	H10B 41/44	. . . .  mit einer Control-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]	. . . .  with a control gate layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
	H10B 41/46	. . . .  mit einer dielektrischen Zwischen-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]	. . . .  with an inter-gate dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
	H10B 41/47	. . . .  mit einer Floating-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]	. . . .  with a floating-gate layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
	H10B 41/48	. . . .  mit einer dielektrischen Tunnel-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]	. . . .  with a tunnel dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
	H10B 41/49	. . .  mit verschiedenen Typen von peripheren Transistoren [2023.01]	. . .  comprising different types of peripheral transistor [2023.01]
	H10B 41/50	.  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the boundary region between the core region and the peripheral circuit region [2023.01]
	H10B 41/60	.  wobei das Control-Gate eine dotierte Region ist, z.B. Single-Poly-Speicherzelle [2023.01]	.  the control gate being a doped region, e.g. single-poly memory cell [2023.01]
	H10B 41/70	.  wobei das Floating-Gate eine Elektrode ist, die von mehreren Schaltungselementen geteilt wird [2023.01]	.  the floating gate being an electrode shared by two or more components [2023.01]
	H10B 43/00	EEPROM Bauelemente mit Gate-Isolatoren zum Ladungseinfang [2023.01]	EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators [2023.01]
	H10B 43/10	.  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01]	.  characterised by the top-view layout [2023.01]
	H10B 43/20	.  gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01]	.  characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels [2023.01]
	H10B 43/23	. .  mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen [2023.01]	. .  with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels [2023.01]
	H10B 43/27	. . .  wobei die Kanäle vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2023.01]	. . .  the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels [2023.01]
	H10B 43/30	.  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01]	.  characterised by the memory core region [2023.01]
	H10B 43/35	. .  mit Zell-Auswahl-Transistoren, z.B. NAND [2023.01]	. .  with cell select transistors, e.g. NAND [2023.01]
	H10B 43/40	.  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
	H10B 43/50	.  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2023.01]
	H10B 51/00	Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren [2023.01]	Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors [2023.01]
	H10B 51/10	.  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01]	.  characterised by the top-view layout [2023.01]
	H10B 51/20	.  gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01]	.  characterised by the three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels [2023.01]
	H10B 51/30	.  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01]	.  characterised by the memory core region [2023.01]
	H10B 51/40	.  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
	H10B 51/50	.  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2023.01]
	H10B 53/00	Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speicherkondensatoren [2023.01]	Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors [2023.01]
	H10B 53/10	.  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01]	.  characterised by the top-view layout [2023.01]
	H10B 53/20	.  gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01]	.  characterised by the three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels [2023.01]
	H10B 53/30	.  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01]	.  characterised by the memory core region [2023.01]
	H10B 53/40	.  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
	H10B 53/50	.  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01]	.  characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2023.01]
	H10B 61/00	Magnetische Speicherbauelemente, z.B. magnetoresistive RAM [MRAM] Bauelemente [2023.01]	Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices [2023.01]
	H10B 63/00	Speicherbauelemente mit Widerstandsänderung, z.B. resistive RAM [ReRAM] Bauelemente [2023.01]	Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices [2023.01]
	H10B 63/10	.  Phasenwechsel-RAM [PCRAM, PRAM] Bauelemente [2023.01]	.  Phase change RAM [PCRAM, PRAM] devices [2023.01]
	H10B 69/00	Lösch-und-programmierbare ROM [EPROM] Bauelemente, die nicht in den Gruppen H10B 41/00-H10B 63/00 vorgesehen sind, z.B. UV-lösch-und-programmierbare ROM [UVEPROM] Bauelemente [2023.01]	Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B 41/00-H10B 63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices [2023.01]
	H10B 80/00	Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Speicherbauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2023.01]	Assemblies of multiple devices comprising at least one memory device covered by this subclass [2023.01]
	H10B 99/00	Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2023.01]	Subject matter not provided for in other groups of this subclass [2023.01]