HSektion H — ElektrotechnikELECTRICITY
Hierarchische Anzeige ausschalten: H01H01Elektrische BauteileELECTRIC ELEMENTS
Hierarchische Anzeige ausschalten: H01LLink zur Definition für IPC-Symbol: H01LH01LHalbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01Widerstände allgemein H01CMagnete, Induktoren oder Umformer H01FKondensatoren allgemein H01Gelektrolytische Bauelemente H01G 9/00Batterien oder Akkumulatoren H01MWellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01PLeitungsverbinder oder Stromabnehmer H01RBauelemente mit stimulierter Emission H01Selektromechanische Resonatoren H03HLautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04Relektrische Lichtquellen allgemein H05Bgedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05KAnwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10 (use of semiconductor devices for measuring G01 resistors in general H01C magnets, inductors or transformers H01F capacitors in general H01G electrolytic devices H01G 9/00 batteries or accumulators H01M waveguides, resonators or lines of the waveguide type H01P line connectors or current collectors H01R stimulated-emission devices H01S electromechanical resonators H03H loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R electric light sources in general H05B printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2]
Hierarchische Anzeige ausschalten: H01L 31/00Link zur Definition für IPC-Symbol: H01L 31/00Link zur Depatisnet-Einsteigerrecherche mit IPC-Symbol: H01L 31/00H01L 31/00Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H10K 30/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H10K 30/00 takes precedence; devices consisting of a plurality of solid state components formed in, or on, a common substrate, other than combinations of radiation-sensitive components with one or more electric light sources, H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
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in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2, 2006.01]
in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors [2, 2006.01]
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. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzial-Sperrschicht, z.B. Fototransistoren [2, 2006.01]
. . characterised by potential barriers, e.g. phototransistors [2, 2006.01]
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. . . Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5, 2006.01]
. . . Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation [5, 2006.01]
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. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5, 2006.01]
. . . . characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect photo- transistor [5, 2006.01]
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. . . . . mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5, 2006.01]
. . . . . being of the conductor-insulator- semiconductor type, e.g. metal- insulator-semiconductor field-effect transistor [5, 2006.01]