H	Sektion H — Elektrotechnik	ELECTRICITY
	H01	Elektrische Bauteile	ELECTRIC ELEMENTS
	H01L	Halbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]	SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10 (use of semiconductor devices for measuring G01;  resistors in general H01C;  magnets, inductors or transformers H01F;  capacitors in general H01G;  electrolytic devices H01G 9/00;  batteries or accumulators H01M;  waveguides, resonators or lines of the waveguide type H01P;  line connectors or current collectors H01R;  stimulated-emission devices H01S;  electromechanical resonators H03H;  loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R;  electric light sources in general H05B;  printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K;  use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2]
	H01L 21/00	Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01]	Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid-state devices, or of parts thereof [2, 2006.01]
	H01L 21/02	.  Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]	.  Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof [2, 2006.01]
	H01L 21/027	. .  Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfasst [5, 2006.01]	. .  Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L 21/18 or H01L 21/34 [5, 2006.01]
	H01L 21/033	. . .  aus anorganischen Schichten [5, 2006.01]	. . .  comprising inorganic layers [5, 2006.01]
	H01L 21/04	. .  Bauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang, Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht [2, 2006.01]	. .  the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer [2, 2006.01]
	H01L 21/06	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2, 2006.01]	. . .  the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials [2, 2006.01]
	H01L 21/08	. . . .  Vorbereitung der Grundplatte [2, 2006.01]	. . . .  Preparation of the foundation plate [2, 2006.01]
	H01L 21/10	. . . .  Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2, 2006.01]	. . . .  Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination [2, 2006.01]
	H01L 21/103	. . . . .  Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2, 2006.01]	. . . . .  Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state [2, 2006.01]
	H01L 21/105	. . . . .  Behandlung der Oberfläche der Selenschicht oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2, 2006.01]	. . . . .  Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive [2, 2006.01]
	H01L 21/108	. . . . .  Einbau diskreter isolierender Schichten, d.h. nichtgenetischer Sperrschichten [2, 2006.01]	. . . . .  Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers [2, 2006.01]
	H01L 21/12	. . . .  Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selenoberfläche oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2, 2006.01]	. . . .  Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate [2, 2006.01]
	H01L 21/14	. . . .  Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2, 2006.01]	. . . .  Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier [2, 2006.01]
	H01L 21/145	. . . . .  Alterung [2, 2006.01]	. . . . .  Ageing [2, 2006.01]
	H01L 21/16	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Iodid [2, 2006.01]	. . .  the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide [2, 2006.01]
	H01L 21/18	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7, 2006.01]	. . .  the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials [2, 6, 7, 2006.01]
	H01L 21/20	. . . .  Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]	. . . .  Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2, 2006.01]
	H01L 21/203	. . . . .  durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]	. . . . .  using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2, 2006.01]
	H01L 21/205	. . . . .  durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]	. . . . .  using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2, 2006.01]
	H01L 21/208	. . . . .  durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]	. . . . .  using liquid deposition [2, 2006.01]
	H01L 21/22	. . . .  Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen [2, 2006.01]	. . . .  Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions; Redistribution of impurity materials, e.g. without introduction or removal of further dopant [2, 2006.01]
	H01L 21/223	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]	. . . . .  using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2, 2006.01]
	H01L 21/225	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]	. . . . .  using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2, 2006.01]
	H01L 21/228	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]	. . . . .  using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2, 2006.01]
	H01L 21/24	. . . .  Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]	. . . .  Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2, 2006.01]
	H01L 21/26	. . . .  Beschuss mit Wellenstrahlung oder Korpuskularstrahlung [2, 2006.01]	. . . .  Bombardment with wave or particle radiation [2, 2006.01]
	H01L 21/261	. . . . .  um durch Kernumwandlung transmutierte chemische Elemente zu erzeugen [6, 2006.01]	. . . . .  to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements [6, 2006.01]
	H01L 21/263	. . . . .  mit hochenergetischer Strahlung (H01L 21/261 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]	. . . . .  with high-energy radiation (H01L 21/261 takes precedence) [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/265	. . . . . .  wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]	. . . . . .  producing ion implantation [2, 2006.01]
	H01L 21/266	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]	. . . . . . .  using masks [5, 2006.01]
	H01L 21/268	. . . . . .  mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]	. . . . . .  using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2, 2006.01]
	H01L 21/28	. . . .  Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2, 2006.01]	. . . .  Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/268 [2, 2006.01]
	H01L 21/283	. . . . .  Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]	. . . . .  Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2, 2006.01]
	H01L 21/285	. . . . . .  aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]	. . . . . .  from a gas or vapour, e.g. condensation [2, 2006.01]
	H01L 21/288	. . . . . .  aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]	. . . . . .  from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2, 2006.01]
	H01L 21/30	. . . .  Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2, 2006.01]	. . . .  Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/26 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/28) [2, 2006.01]
	H01L 21/301	. . . . .  zur Unterteilung eines Halbleiterkörpers in Einzelelemente (Sägen, Schneiden H01L 21/304) [6, 2006.01]	. . . . .  to subdivide a semiconductor body into separate parts, e.g. making partitions (cutting H01L 21/304) [6, 2006.01]
	H01L 21/302	. . . . .  zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]	. . . . .  to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting [2, 2006.01]
	H01L 21/304	. . . . . .  Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]	. . . . . .  Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting [2, 2006.01]
	H01L 21/306	. . . . . .  Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31; Nachbehandlung isoliernder Schichten H01L 21/3105) [2, 2006.01]	. . . . . .  Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/31; after-treatment of insulating layers H01L 21/3105) [2, 2006.01]
	H01L 21/3063	. . . . . . .  Elektrolytisches Ätzen [6, 2006.01]	. . . . . . .  Electrolytic etching [6, 2006.01]
	H01L 21/3065	. . . . . . .  Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen [6, 2006.01]	. . . . . . .  Plasma etching; Reactive-ion etching [6, 2006.01]
	H01L 21/308	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken (H01L 21/3063 , H01L 21/3065 haben Vorrang) [2, 6, 2006.01]	. . . . . . .  using masks (H01L 21/3063, H01L 21/3065, take precedence) [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/31	. . . . .  zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5, 2006.01]	. . . . .  to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/3105	. . . . . .  Nachbehandlung [5, 2006.01]	. . . . . .  After-treatment [5, 2006.01]
	H01L 21/311	. . . . . . .  Ätzen isolierender Schichten [5, 2006.01]	. . . . . . .  Etching the insulating layers [5, 2006.01]
	H01L 21/3115	. . . . . . .  Dotieren isolierender Schichten [5, 2006.01]	. . . . . . .  Doping the insulating layers [5, 2006.01]
	H01L 21/312	. . . . . .  Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]	. . . . . .  Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/314	. . . . . .  Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]	. . . . . .  Inorganic layers (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/316	. . . . . . .  zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]	. . . . . . .  composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2, 2006.01]
	H01L 21/318	. . . . . . .  zusammengesetzt aus Nitriden [2, 2006.01]	. . . . . . .  composed of nitrides [2, 2006.01]
	H01L 21/32	. . . . . .  unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]	. . . . . .  using masks [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/3205	. . . . . .  Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]	. . . . . .  Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers, on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [5, 2006.01]
	H01L 21/321	. . . . . . .  Nachbehandlung [5, 2006.01]	. . . . . . .  After-treatment [5, 2006.01]
	H01L 21/3213	. . . . . . . .  Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen [6, 2006.01]	. . . . . . . .  Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer [6, 2006.01]
	H01L 21/3215	. . . . . . . .  Dotieren der Schichten [5, 2006.01]	. . . . . . . .  Doping the layers [5, 2006.01]
	H01L 21/322	. . . . .  zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2, 2006.01]	. . . . .  to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections [2, 2006.01]
	H01L 21/324	. . . . .  Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/322 haben Vorrang) [2, 2006.01]	. . . . .  Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering  (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/322 take precedence) [2, 2006.01]
	H01L 21/326	. . . . .  Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/324 haben Vorrang) [2, 2006.01]	. . . . .  Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/20-H01L 21/288, H01L 21/302-H01L 21/324 take precedence) [2, 2006.01]
	H01L 21/328	. . . .  Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5, 2006.01]	. . . .  Multistep processes for the manufacture of devices of the bipolar type, e.g. diodes, transistors, thyristors [5, 2006.01]
	H01L 21/329	. . . . .  bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5, 2006.01]	. . . . .  the devices comprising one or two electrodes, e.g. diodes [5, 2006.01]
	H01L 21/33	. . . . .  bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5, 2006.01]	. . . . .  the devices comprising three or more electrodes [5, 2006.01]
	H01L 21/331	. . . . . .  Transistoren [5, 2006.01]	. . . . . .  Transistors [5, 2006.01]
	H01L 21/332	. . . . . .  Thyristoren [5, 2006.01]	. . . . . .  Thyristors [5, 2006.01]
	H01L 21/334	. . . .  Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5, 2006.01]	. . . .  Multistep processes for the manufacture of devices of the unipolar type [5, 2006.01]
	H01L 21/335	. . . . .  Feldeffekt-Transistoren [5, 2006.01]	. . . . .  Field-effect transistors [5, 2006.01]
	H01L 21/336	. . . . . .  mit einem isolierten Gate [5, 2006.01]	. . . . . .  with an insulated gate [5, 2006.01]
	H01L 21/337	. . . . . .  mit einem PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]	. . . . . .  with a PN junction gate [5, 2006.01]
	H01L 21/338	. . . . . .  mit einem Schottky-Gate [5, 2006.01]	. . . . . .  with a Schottky gate [5, 2006.01]
	H01L 21/339	. . . . .  Bauelemente mit Ladungsübertragung [5, 6, 2006.01]	. . . . .  Charge transfer devices [5, 6, 2006.01]
	H01L 21/34	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfasst, mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 2006.01]	. . .  the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L 21/06, H01L 21/16, and H01L 21/18 with or without impurities, e.g. doping materials [2, 2006.01]
	H01L 21/36	. . . .  Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]	. . . .  Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2, 2006.01]
	H01L 21/363	. . . . .  durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]	. . . . .  using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2, 2006.01]
	H01L 21/365	. . . . .  durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]	. . . . .  using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2, 2006.01]
	H01L 21/368	. . . . .  durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]	. . . . .  using liquid deposition [2, 2006.01]
	H01L 21/38	. . . .  Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]	. . . .  Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions [2, 2006.01]
	H01L 21/383	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]	. . . . .  using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2, 2006.01]
	H01L 21/385	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]	. . . . .  using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2, 2006.01]
	H01L 21/388	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]	. . . . .  using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2, 2006.01]
	H01L 21/40	. . . .  Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]	. . . .  Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2, 2006.01]
	H01L 21/42	. . . .  Beschuss mit Strahlung [2, 2006.01]	. . . .  Bombardment with radiation [2, 2006.01]
	H01L 21/423	. . . . .  mit hochenergetischer Strahlung [2, 2006.01]	. . . . .  with high-energy radiation [2, 2006.01]
	H01L 21/425	. . . . . .  wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]	. . . . . .  producing ion implantation [2, 2006.01]
	H01L 21/426	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]	. . . . . . .  using masks [5, 2006.01]
	H01L 21/428	. . . . . .  mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]	. . . . . .  using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2, 2006.01]
	H01L 21/44	. . . .  Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2, 2006.01]	. . . .  Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36-H01L 21/428 [2, 2006.01]
	H01L 21/441	. . . . .  Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]	. . . . .  Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2, 2006.01]
	H01L 21/443	. . . . . .  aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]	. . . . . .  from a gas or vapour, e.g. condensation [2, 2006.01]
	H01L 21/445	. . . . . .  aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]	. . . . . .  from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2, 2006.01]
	H01L 21/447	. . . . .  unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]	. . . . .  involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2, 2006.01]
	H01L 21/449	. . . . .  unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]	. . . . .  involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2, 2006.01]
	H01L 21/46	. . . .  Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2, 2006.01]	. . . .  Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36-H01L 21/428 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/44) [2, 2006.01]
	H01L 21/461	. . . . .  zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z.B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2, 2006.01]	. . . . .  to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting [2, 2006.01]
	H01L 21/463	. . . . . .  Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2, 2006.01]	. . . . . .  Mechanical treatment, e.g. grinding, ultrasonic treatment [2, 2006.01]
	H01L 21/465	. . . . . .  Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2, 2006.01]	. . . . . .  Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/469) [2, 2006.01]
	H01L 21/467	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [2, 2006.01]	. . . . . . .  using masks [2, 2006.01]
	H01L 21/469	. . . . . .  zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5, 2006.01]	. . . . . .  to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/47	. . . . . . .  Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]	. . . . . . .  Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/471	. . . . . . .  Anorganische Schichten (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]	. . . . . . .  Inorganic layers (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/473	. . . . . . . .  zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]	. . . . . . . .  composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2, 2006.01]
	H01L 21/475	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]	. . . . . . .  using masks [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/4757	. . . . . . .  Nachbehandlung [5, 2006.01]	. . . . . . .  After-treatment [5, 2006.01]
	H01L 21/4763	. . . . . .  Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]	. . . . . .  Deposition of non-insulating-, e.g. conductive-, resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [5, 2006.01]
	H01L 21/477	. . . . .  Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/475 haben Vorrang) [2, 2006.01]	. . . . .  Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/475 take precedence) [2, 2006.01]
	H01L 21/479	. . . . .  Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/477 haben Vorrang) [2, 2006.01]	. . . . .  Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/36-H01L 21/449, H01L 21/461-H01L 21/477 take precedence) [2, 2006.01]
	H01L 21/48	. . .  Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind [2, 2006.01]	. . .  Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L 21/06-H01L 21/326 [2, 2006.01]
	H01L 21/50	. . .  Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2, 2006.01]	. . .  Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L 21/06-H01L 21/326 [2, 2006.01]
	H01L 21/52	. . . .  Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2, 2006.01]	. . . .  Mounting semiconductor bodies in containers [2, 2006.01]
	H01L 21/54	. . . .  Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z.B. Gasfüllungen [2, 2006.01]	. . . .  Providing fillings in containers, e.g. gas fillings [2, 2006.01]
	H01L 21/56	. . . .  Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge [2, 2006.01]	. . . .  Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings [2, 2006.01]
	H01L 21/58	. . . .  Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2, 2006.01]	. . . .  Mounting semiconductor devices on supports [2, 2006.01]
	H01L 21/60	. . . .  Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2, 2006.01]	. . . .  Attaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation [2, 2006.01]
	H01L 21/603	. . . . .  unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]	. . . . .  involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2, 2006.01]
	H01L 21/607	. . . . .  unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]	. . . . .  involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2, 2006.01]
	H01L 21/62	. .  Bauelemente ohne Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01]	. .  the devices having no potential barriers [2, 2006.01]
	H01L 21/64	.  Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen davon, die nicht in einer der Gruppen H01L 31/00-H01L 33/00 oder in den Unterklassen H10K, H10N vorgesehenen sind [2, 2006.01]	.  Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not specially adapted for a single type of device provided for in groups H01L 31/00-H01L 33/00 or in subclasses H10K, H10N [2, 2006.01]
	H01L 21/66	.  Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung [2, 2006.01]	.  Testing or measuring during manufacture or treatment [2, 2006.01]
	H01L 21/67	.  Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen [2006.01]	.  Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components [2006.01]
	H01L 21/673	. .  unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme [2006.01]	. .  using specially adapted carriers [2006.01]
	H01L 21/677	. .  zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen [2006.01]	. .  for conveying, e.g. between different work stations [2006.01]
	H01L 21/68	. .  zum Positionieren, Orientieren oder Justieren [2, 2006.01]	. .  for positioning, orientation or alignment [2, 2006.01]
	H01L 21/683	. .  zum Aufnehmen oder Greifen (zum Positionieren, Orientieren oder Justieren H01L 21/68) [2006.01]	. .  for supporting or gripping (for positioning, orientation or alignment H01L 21/68) [2006.01]
	H01L 21/687	. . .  mit mechanischen Mitteln, z.B. Haltevorrichtungen, Klemmvorrichtungen oder Pressvorrichtungen [2006.01]	. . .  using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches [2006.01]
	H01L 21/70	.  Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2, 2006.01]	.  Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof (manufacture of assemblies consisting of preformed electrical components H05K 3/00, H05K 13/00) [2, 2006.01]
	H01L 21/71	. .  Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L 21/70 definierten Bauelementanordnungen (H01L 21/28 , H01L 21/44 , H01L 21/48 haben Vorrang) [6, 2006.01]	. .  Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 take precedence) [6, 2006.01]
	H01L 21/74	. . .  Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z.B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2, 2006.01]	. . .  Making of buried regions of high impurity concentration, e.g. buried collector layers, internal connections [2, 2006.01]
	H01L 21/76	. . .  Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen [2, 2006.01]	. . .  Making of isolation regions between components [2, 2006.01]
	H01L 21/761	. . . .  PN-Übergänge [6, 2006.01]	. . . .  PN junctions [6, 2006.01]
	H01L 21/762	. . . .  Dielektrische Bereiche [6, 2006.01]	. . . .  Dielectric regions [6, 2006.01]
	H01L 21/763	. . . .  Polykristalline Halbleiterbereiche [6, 2006.01]	. . . .  Polycrystalline semiconductor regions [6, 2006.01]
	H01L 21/764	. . . .  Luftspalte [6, 2006.01]	. . . .  Air gaps [6, 2006.01]
	H01L 21/765	. . . .  durch Feldeffekt isolierende Bereiche [6, 2006.01]	. . . .  by field-effect [6, 2006.01]
	H01L 21/768	. . .  Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen [6, 2006.01]	. . .  Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device [6, 2006.01]
	H01L 21/77	. .  Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind (Herstellung oder Behandlung von elektronischen Speicherbauelementen H10B) [6, 2006.01, 2017.01]	. .  Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate  (manufacture or treatment of electronic memory devices H10B) [6, 2006.01, 2017.01]
	H01L 21/78	. . .  mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6, 2006.01]	. . .  with subsequent division of the substrate into plural individual devices (cutting to change the surface-physical characteristics or shape of semiconductor bodies H01L 21/304) [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/782	. . . .  zur Herstellung von Bauelementen, die aus einem einzelnen Schaltungselement bestehen (H01L 21/82 hat Vorrang) [6, 2006.01]	. . . .  to produce devices, each consisting of a single circuit element (H01L 21/82 takes precedence) [6, 2006.01]
	H01L 21/784	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiterkörper ist [6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being a semiconductor body [6, 2006.01]
	H01L 21/786	. . . . .  wobei das Substrat kein Halbleiterkörper, z.B. ein Isolierkörper, ist [6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body [6, 2006.01]
	H01L 21/82	. . . .  zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2, 2006.01]	. . . .  to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components [2, 2006.01]
	H01L 21/822	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being a semiconductor, using silicon technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6, 2006.01]
	H01L 21/8222	. . . . . .  Bipolar-Technologie [6, 2006.01]	. . . . . .  Bipolar technology [6, 2006.01]
	H01L 21/8224	. . . . . . .  Kombination von Vertikaltransistoren und Lateraltransistoren [6, 2006.01]	. . . . . . .  comprising a combination of vertical and lateral transistors [6, 2006.01]
	H01L 21/8226	. . . . . . .  MTL-Logik [Merged Transistor Logic] oder J2 L-Logik [Integrierte Injektionslogik] [6, 2006.01]	. . . . . . .  comprising merged transistor logic or integrated injection logic [6, 2006.01]
	H01L 21/8228	. . . . . . .  Komplementäre Bauelemente, z.B. komplementäre Transistoren [6, 2006.01]	. . . . . . .  Complementary devices, e.g. complementary transistors [6, 2006.01]
	H01L 21/8232	. . . . . .  Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]	. . . . . .  Field-effect technology [6, 2006.01]
	H01L 21/8234	. . . . . . .  MIS-Technologie [6, 2006.01]	. . . . . . .  MIS technology [6, 2006.01]
	H01L 21/8236	. . . . . . . .  Kombination von Transistoren vom Anreicherungstyp und Verarmungstyp [6, 2006.01]	. . . . . . . .  Combination of enhancement and depletion transistors [6, 2006.01]
	H01L 21/8238	. . . . . . . .  Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6, 2006.01]	. . . . . . . .  Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS [6, 2006.01]
	H01L 21/8248	. . . . . .  Kombination von Bipolar- und Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]	. . . . . .  Combination of bipolar and field-effect technology [6, 2006.01]
	H01L 21/8249	. . . . . . .  Bipolar- und MOS-Technologie [6, 2006.01]	. . . . . . .  Bipolar and MOS technology [6, 2006.01]
	H01L 21/8252	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und III-V-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being a semiconductor, using III-V technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6, 2006.01]
	H01L 21/8254	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und II-VI-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being a semiconductor, using II-VI technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6, 2006.01]
	H01L 21/8256	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Technologien verwendet werden, die nicht von einer der Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 oder H01L 21/8254 umfasst werden (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being a semiconductor, using technologies not covered by one of groups H01L 21/822, H01L 21/8252 or H01L 21/8254 (H01L 21/8258 takes precedence) [6, 2006.01]
	H01L 21/8258	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und eine Kombination von Technologien aus den Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 , H01L 21/8254 oder H01L 21/8256 verwendet wird [6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 or H01L 21/8256 [6, 2006.01]
	H01L 21/84	. . . . .  wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht [2, 6, 2006.01]	. . . . .  the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/86	. . . . . .  wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z.B. eine Struktur Silicium auf Saphir, d.h. SOS [2, 6, 2006.01]	. . . . . .  the insulating body being sapphire, e.g. silicon on sapphire structure, i.e. SOS [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/98	. .  Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen; Zusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]	. .  Assembly of devices consisting of solid state components formed in or on a common substrate; Assembly of integrated circuit devices (H01L 21/50 takes precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/00	Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]	Details of semiconductor or other solid state devices (H01L 25/00 takes precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/02	.  Gehäuse; Abdichtungen (H01L 23/12 , H01L 23/34 , H01L 23/48 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]	.  Containers; Seals (H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 23/552 take precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/04	. .  gekennzeichnet durch die Form [2, 2006.01]	. .  characterised by the shape [2, 2006.01]
	H01L 23/043	. . .  Gehäuse mit einem Hohlraum und einer leitenden Grundplatte, die als Montagesockel und als Zuleitung für den Halbleiterkörper dient [5, 2006.01]	. . .  the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body [5, 2006.01]
	H01L 23/045	. . . .  wobei die anderen Zuleitungen isolierte Durchführungen durch die Grundplatte aufweisen [5, 2006.01]	. . . .  the other leads having an insulating passage through the base [5, 2006.01]
	H01L 23/047	. . . .  wobei die anderen Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5, 2006.01]	. . . .  the other leads being parallel to the base [5, 2006.01]
	H01L 23/049	. . . .  wobei die anderen Zuleitungen senkrecht zur Grundplatte angeordnet sind [5, 2006.01]	. . . .  the other leads being perpendicular to the base [5, 2006.01]
	H01L 23/051	. . . .  wobei eine andere Zuleitung aus einer parallel zur Grundplatte angeordneter Deckplatte besteht, z.B. Sandwich-Typ [5, 2006.01]	. . . .  another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type [5, 2006.01]
	H01L 23/053	. . .  Gehäuse mit einem Hohlraum und mit einer isolierenden Grundplatte als Montagesockel für den Halbleiterkörper [5, 2006.01]	. . .  the container being a hollow construction and having an insulating base as a mounting for the semiconductor body [5, 2006.01]
	H01L 23/055	. . . .  wobei die Zuleitungen durch die Grundplatte gehen [5, 2006.01]	. . . .  the leads having a passage through the base [5, 2006.01]
	H01L 23/057	. . . .  wobei die Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5, 2006.01]	. . . .  the leads being parallel to the base [5, 2006.01]
	H01L 23/06	. .  gekennzeichnet durch das Material des Gehäuses oder dessen elektrische Eigenschaften [2, 2006.01]	. .  characterised by the material of the container or its electrical properties [2, 2006.01]
	H01L 23/08	. . .  wobei das Material ein elektrischer Isolator ist, z.B. Glas [2, 2006.01]	. . .  the material being an electrical insulator, e.g. glass [2, 2006.01]
	H01L 23/10	. .  gekennzeichnet durch das Material oder die Anordnung der Abdichtung zwischen Teilen, z.B. zwischen den Gehäusekappen und der Grundplatte oder zwischen den Leitern und den Gehäusewänden [2, 2006.01]	. .  characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container [2, 2006.01]
	H01L 23/12	.  Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate [2, 2006.01]	.  Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates [2, 2006.01]
	H01L 23/13	. .  gekennzeichnet durch die Form [5, 2006.01]	. .  characterised by the shape [5, 2006.01]
	H01L 23/14	. .  gekennzeichnet durch das Material oder dessen elektrische Eigenschaften [2, 2006.01]	. .  characterised by the material or its electrical properties [2, 2006.01]
	H01L 23/15	. . .  Substrate aus Keramik oder Glas [5, 2006.01]	. . .  Ceramic or glass substrates [5, 2006.01]
	H01L 23/16	.  Füllungen oder Hilfsmittel im Gehäuse, z.B. Zentrierringe (H01L 23/42 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]	.  Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings (H01L 23/42, H01L 23/552 take precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/18	. .  Füllungen gekennzeichnet durch das Material oder dessen physikalische oder chemische Eigenschaften oder dessen Anordnung innerhalb des vollständigen Bauelements [2, 2006.01]	. .  Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device [2, 2006.01]
	H01L 23/20	. . .  gasförmig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2, 2006.01]	. . .  gaseous at the normal operating temperature of the device [2, 2006.01]
	H01L 23/22	. . .  flüssig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2, 2006.01]	. . .  liquid at the normal operating temperature of the device [2, 2006.01]
	H01L 23/24	. . .  fest oder gelartig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2, 2006.01]	. . .  solid or gel, at the normal operating temperature of the device [2, 2006.01]
	H01L 23/26	. . .  mit Materialien, die Feuchtigkeit oder andere unerwünschte Substanzen absorbieren oder mit ihnen reagieren [2, 2006.01]	. . .  including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances [2, 2006.01]
	H01L 23/28	.  Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge (H01L 23/552 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]	.  Encapsulation, e.g. encapsulating layers, coatings (H01L 23/552 takes precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/29	. .  gekennzeichnet durch das Material [5, 2006.01]	. .  characterised by the material [5, 2006.01]
	H01L 23/31	. .  gekennzeichnet durch die Anordnung [5, 2006.01]	. .  characterised by the arrangement [5, 2006.01]
	H01L 23/32	.  Befestigungsvorrichtungen zur Halterung des vollständigen Bauelements beim Betrieb, z.B. lösbare Befestigungen (H01L 23/40 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]	.  Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures (H01L 23/40 takes precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/34	.  Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [2, 5, 2006.01]	.  Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/36	. .  Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken [2, 2006.01]	. .  Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heat sinks [2, 2006.01]
	H01L 23/367	. . .  wobei die Kühlung durch die Form des Bauelements bewirkt wird [5, 2006.01]	. . .  Cooling facilitated by shape of device [5, 2006.01]
	H01L 23/373	. . .  wobei die Kühlung durch das gewählte Material des Bauelements bewirkt wird [5, 2006.01]	. . .  Cooling facilitated by selection of materials for the device [5, 2006.01]
	H01L 23/38	. .  Kühleinrichtungen, die vom Peltier-Effekt Gebrauch machen [2, 2006.01]	. .  Cooling arrangements using the Peltier effect [2, 2006.01]
	H01L 23/40	. .  Montagemittel oder Befestigungsmittel für lösbare Kühleinrichtungen oder Heizeinrichtungen [2, 2006.01]	. .  Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements [2, 2006.01]
	H01L 23/42	. .  Füllungen oder Hilfsmittel in den Gehäusen, die so ausgewählt oder angeordnet sind, dass sie die Heizwirkung oder Kühlwirkung erhöhen [2, 5, 2006.01]	. .  Fillings or auxiliary members in containers selected or arranged to facilitate heating or cooling [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/427	. . .  Kühlung durch Zustandsänderung, z.B. Verwendung von Wärmerohren [5, 2006.01]	. . .  Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes [5, 2006.01]
	H01L 23/433	. . .  Hilfsmittel, gekennzeichnet durch ihre Form, z.B. Stempel [5, 2006.01]	. . .  Auxiliary members characterised by their shape, e.g. pistons [5, 2006.01]
	H01L 23/44	. .  das vollständige Bauelement ist ganz in ein Gas oder eine Flüssigkeit - außer Luft - eingetaucht (H01L 23/427 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]	. .  the complete device being wholly immersed in a fluid other than air (H01L 23/427 takes precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/46	. .  unter Ausnützung der Wärmeübertragung durch strömende Gase oder Flüssigkeiten (H01L 23/42 , H01L 23/44 haben Vorrang) [2, 2006.01]	. .  involving the transfer of heat by flowing fluids (H01L 23/42, H01L 23/44 take precedence) [2, 2006.01]
	H01L 23/467	. . .  durch strömende Gase, z.B. Luft [5, 2006.01]	. . .  by flowing gases, e.g. air [5, 2006.01]
	H01L 23/473	. . .  durch strömende Flüssigkeiten [5, 2006.01]	. . .  by flowing liquids [5, 2006.01]
	H01L 23/48	.  Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse [2, 2006.01]	.  Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements [2, 2006.01]
	H01L 23/482	. .  bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind [5, 2006.01]	. .  consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body [5, 2006.01]
	H01L 23/485	. . .  die schichtweise aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut sind, z.B. Planar- Kontakte [5, 2006.01]	. . .  consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts [5, 2006.01]
	H01L 23/488	. .  bestehend aus gelöteten oder gebondeten Anordnungen [5, 2006.01]	. .  consisting of soldered or bonded constructions [5, 2006.01]
	H01L 23/49	. . .  drahtförmig [5, 2006.01]	. . .  wire-like [5, 2006.01]
	H01L 23/492	. . .  Träger oder Platten [5, 2006.01]	. . .  Bases or plates [5, 2006.01]
	H01L 23/495	. . .  Leiterrahmen [5, 2006.01]	. . .  Lead-frames [5, 2006.01]
	H01L 23/498	. . .  Leiter auf isolierenden Substraten [5, 2006.01]	. . .  Leads on insulating substrates [5, 2006.01]
	H01L 23/50	. .  für integrierte Schaltungsanordnungen (H01L 23/482-H01L 23/498 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]	. .  for integrated circuit devices (H01L 23/482-H01L 23/498 take precedence) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/52	.  Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen [2, 2006.01]	.  Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another [2, 2006.01]
	H01L 23/522	. .  einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind [5, 2006.01]	. .  including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body [5, 2006.01]
	H01L 23/525	. . .  mit anpassbaren Verbindungsleitungen [5, 2006.01]	. . .  with adaptable interconnections [5, 2006.01]
	H01L 23/528	. . .  Topografie der Verbindungsleitungen [5, 2006.01]	. . .  Layout of the interconnection structure [5, 2006.01]
	H01L 23/532	. . .  gekennzeichnet durch die Materialien [5, 2006.01]	. . .  characterised by the materials [5, 2006.01]
	H01L 23/535	. .  einschließlich interner Verbindungsleitungen, z.B. Unterkreuzungen [5, 2006.01]	. .  including internal interconnections, e.g. cross-under constructions [5, 2006.01]
	H01L 23/538	. .  wobei die Verbindungsleitungen zwischen mehreren Halbleiterbauelementen auf oder in isolierenden Substraten angeordnet sind [5, 2006.01]	. .  the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates [5, 2006.01]
	H01L 23/544	.  Markierungen auf Halbleiterbauelementen, z.B. Markierungen zu Kennzeichnungszwecken, Teststrukturen [5, 2006.01]	.  Marks applied to semiconductor devices, e.g. registration marks, test patterns [5, 2006.01]
	H01L 23/552	.  Schutz gegen Strahlung, z.B. Licht [5, 2006.01]	.  Protection against radiation, e.g. light [5, 2006.01]
	H01L 23/556	. .  gegen Alpha-Strahlung [5, 2006.01]	. .  against alpha rays [5, 2006.01]
	H01L 23/58	.  Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [5, 2006.01]	.  Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for [5, 2006.01]
	H01L 23/60	. .  Schutz gegen elektrostatische Aufladung oder Entladung, z.B. Faraday-Käfig [5, 2006.01]	. .  Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields [5, 2006.01]
	H01L 23/62	. .  Schutz gegen Überstrom oder Überlastung, z.B. Sicherungen, Nebenschlüsse [5, 2006.01]	. .  Protection against overcurrent or overload, e.g. fuses, shunts [5, 2006.01]
	H01L 23/64	. .  Impedanz-Anpassung [5, 2006.01]	. .  Impedance arrangements [5, 2006.01]
	H01L 23/66	. . .  Hochfrequenz-Anpassung [5, 2006.01]	. . .  High-frequency adaptations [5, 2006.01]
	H01L 25/00	Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]	Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00; photovoltaic modules or arrays of photovoltaic cells H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]
	H01L 25/03	.  wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L 27/00-H01L 33/00 oder in einer Unterklasse von H10K, H10N vorgesehen sind, z.B. Baugruppen aus Gleichrichterdioden [5, 2006.01]	.  all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L 27/00-H01L 33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes [5, 2006.01]
	H01L 25/04	. .  wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen [2, 2006.01, 2014.01, 2023.01]	. .  the devices not having separate containers [2, 2006.01, 2014.01, 2023.01]
	H01L 25/065	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 27/00 vorgesehen ist [5, 2006.01, 2023.01]	. . .  the devices being of a type provided for in group H01L 27/00 [5, 2006.01, 2023.01]
	H01L 25/07	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]	. . .  the devices being of a type provided for in group H01L 29/00 [5, 2006.01]
	H01L 25/075	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]	. . .  the devices being of a type provided for in group H01L 33/00 [5, 2006.01]
	H01L 25/10	. .  wobei die Bauelemente gesonderte Gehäuse besitzen [2, 2006.01]	. .  the devices having separate containers [2, 2006.01]
	H01L 25/11	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]	. . .  the devices being of a type provided for in group H01L 29/00 [5, 2006.01]
	H01L 25/13	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]	. . .  the devices being of a type provided for in group H01L 33/00 [5, 2006.01]
	H01L 25/16	.  wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in zwei oder mehr der Hauptgruppen H01L 27/00-H01L 33/00 oder in einer der Hauptgruppen H10K, H10N vorgesehen sind, z.B. Hybrid- Schaltkreise [2, 2006.01, 2023.01]	.  the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L 27/00-H01L 33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits [2, 2006.01, 2023.01]
	H01L 25/18	.  wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L 27/00-H01L 33/00 oder in einer der Hauptgruppen H10K, H10N vorgesehen sind [5, 2006.01, 2023.01]	.  the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L 27/00-H01L 33/00, or in a single subclass of H10K, H10N [5, 2006.01, 2023.01]
	H01L 27/00	Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]	Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate (details thereof H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; assemblies consisting of a plurality of individual solid state devices H01L 25/00) [2, 2006.01]
	H01L 27/01	.  nur mit passiven Dünnfilmschaltungselementen oder Dickfilmschaltungselementen, die auf einem gemeinsamen isolierenden Substrat ausgebildet sind [3, 2006.01]	.  comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate [3, 2006.01]
	H01L 27/02	.  mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit Potenzial-Sperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01]	.  including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers [2, 2006.01]
	H01L 27/04	. .  wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2, 2006.01]	. .  the substrate being a semiconductor body [2, 2006.01]
	H01L 27/06	. . .  mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration [2, 2006.01]	. . .  including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration [2, 2006.01]
	H01L 27/07	. . . .  wobei die Schaltungselemente einen gemeinsamen aktiven Bereich haben [5, 2006.01]	. . . .  the components having an active region in common [5, 2006.01]
	H01L 27/08	. . .  ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art [2, 2006.01]	. . .  including only semiconductor components of a single kind [2, 2006.01]
	H01L 27/082	. . . .  ausschließlich mit bipolaren Schaltungselementen [5, 2006.01]	. . . .  including bipolar components only [5, 2006.01]
	H01L 27/085	. . . .  ausschließlich mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5, 2006.01]	. . . .  including field-effect components only [5, 2006.01]
	H01L 27/088	. . . . .  wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate sind [5, 2006.01]	. . . . .  the components being field-effect transistors with insulated gate [5, 2006.01]
	H01L 27/092	. . . . . .  Komplementäre MIS- Feldeffekt-Transistoren [5, 2006.01]	. . . . . .  complementary MIS field-effect transistors [5, 2006.01]
	H01L 27/095	. . . . .  wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem Schottky-Gate sind [5, 2006.01]	. . . . .  the components being Schottky barrier gate field-effect transistors [5, 2006.01]
	H01L 27/098	. . . . .  wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem PN-Sperrschicht-Gate sind [5, 2006.01]	. . . . .  the components being PN junction gate field-effect transistors [5, 2006.01]
	H01L 27/10	. . .  mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration [2, 2006.01]	. . .  including a plurality of individual components in a repetitive configuration [2, 2006.01]
	H01L 27/102	. . . .  mit bipolaren Schaltungselementen [5, 2006.01, 2023.01]	. . . .  including bipolar components [5, 2006.01, 2023.01]
	H01L 27/105	. . . .  mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5, 2006.01, 2023.01]	. . . .  including field-effect components [5, 2006.01, 2023.01]
	H01L 27/118	. . . .  integrierte Masterslice- Schaltungen [5, 2006.01]	. . . .  Masterslice integrated circuits [5, 2006.01]
	H01L 27/12	. .  wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper [2, 2006.01]	. .  the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body [2, 2006.01]
	H01L 27/13	. . .  kombiniert mit passiven Dünnfilmschaltungselementen oder Dickfilmschaltungselementen [3, 2006.01]	. . .  combined with thin-film or thick-film passive components [3, 2006.01]
	H01L 27/14	.  mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung (strahlungsempfindliche Schaltungselemente, die nur mit einer oder mehreren Lichtquellen baulich verbunden sind H01L 31/14; Verbindungen für Lichtleiter mit optoelektronischen Bauelementen G02B 6/42) [2, 2006.01]	.  including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation (radiation-sensitive components structurally associated with one or more electric light sources only H01L 31/14; couplings of light guides with optoelectronic elements G02B 6/42) [2, 2006.01]
	H01L 27/142	. .  Bauelemente zur Energie-Umwandlung ( Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von einzelnen Photovoltaik-Zellen, umfassend Bypass-Dioden, welche mit den Bauelementen integriert oder direkt verbunden sind H01L 31/0443;  Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind H01L 31/046) [5, 2006.01, 2014.01]	. .  Energy conversion devices (photovoltaic modules or arrays of single photovoltaic cells comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices H01L 31/0443; photovoltaic modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate H01L 31/046) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 27/144	. .  Strahlungsgesteuerte Bauelemente [5, 2006.01]	. .  Devices controlled by radiation [5, 2006.01]
	H01L 27/146	. . .  Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten [5, 2006.01]	. . .  Imager structures [5, 2006.01]
	H01L 27/148	. . . .  Ladungsgekoppelte Bildaufnahmeeinheiten [5, 2006.01]	. . . .  Charge coupled imagers [5, 2006.01]
	H01L 27/15	.  mit Halbleiterschaltungselementen mit Potenzial-Sperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission [2, 2006.01]	.  including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission [2, 2006.01]
	H01L 29/00	Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit Potenzial-Sperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 33/00, H10K 10/00, H10N haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]	Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof (H01L 31/00-H01L 33/00, H10K 10/00, H10N take precedence; details other than of semiconductor bodies or of electrodes thereof H01L 23/00; devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/02	.  Halbleiterkörper [2, 2006.01]	.  Semiconductor bodies [2, 2006.01]
	H01L 29/04	. .  gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch oder besondere Orientierung von Kristallflächen (gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler H01L 29/30) [2, 2006.01]	. .  characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes (characterised by physical imperfections H01L 29/30) [2, 2006.01]
	H01L 29/06	. .  gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2, 2006.01]	. .  characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions [2, 2006.01]
	H01L 29/08	. . .  mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]	. . .  with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified, or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes [2, 2006.01]
	H01L 29/10	. . .  mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]	. . .  with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified, or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes [2, 2006.01]
	H01L 29/12	. .  gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2, 2006.01]	. .  characterised by the materials of which they are formed [2, 2006.01]
	H01L 29/15	. . .  Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6, 2006.01]	. . .  Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices  (such structures applied for the control of light G02F 1/017;  applied in semiconductor lasers H01S 5/34) [6, 2006.01]
	H01L 29/16	. . .  nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]	. . .  including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table in uncombined form [2, 2006.01]
	H01L 29/161	. . . .  mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2, 2006.01]	. . . .  including two or more of the elements provided for in group H01L 29/16 [2, 2006.01]
	H01L 29/165	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]	. . . . .  in different semiconductor regions [2, 2006.01]
	H01L 29/167	. . . .  ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]	. . . .  further characterised by the doping material [2, 2006.01]
	H01L 29/18	. . .  nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]	. . .  Selenium or tellurium only, apart from doping materials or other impurities [2, 2006.01]
	H01L 29/20	. . .  nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6, 2006.01]	. . .  including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/201	. . . .  mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]	. . . .  including two or more compounds [2, 2006.01]
	H01L 29/205	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]	. . . . .  in different semiconductor regions [2, 2006.01]
	H01L 29/207	. . . .  ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]	. . . .  further characterised by the doping material [2, 2006.01]
	H01L 29/22	. . .  nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]	. . .  including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds [2, 2006.01]
	H01L 29/221	. . . .  mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]	. . . .  including two or more compounds [2, 2006.01]
	H01L 29/225	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]	. . . . .  in different semiconductor regions [2, 2006.01]
	H01L 29/227	. . . .  ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]	. . . .  further characterised by the doping material [2, 2006.01]
	H01L 29/24	. . .  nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 oder H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]	. . .  including, apart from doping materials or other impurities, only inorganic semiconductor materials not provided for in groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 or H01L 29/22 [2, 2006.01]
	H01L 29/26	. . .  nur mit Elementen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/24 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]	. . .  including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24 [2, 2006.01]
	H01L 29/267	. . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]	. . . .  in different semiconductor regions [2, 2006.01]
	H01L 29/30	. .  gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler; mit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2, 2006.01]	. .  characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface [2, 2006.01]
	H01L 29/32	. . .  mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2, 2006.01]	. . .  the imperfections being within the semiconductor body [2, 2006.01]
	H01L 29/34	. . .  mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2, 2006.01]	. . .  the imperfections being on the surface [2, 2006.01]
	H01L 29/36	. .  gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2, 2006.01]	. .  characterised by the concentration or distribution of impurities [2, 2006.01]
	H01L 29/38	. .  gekennzeichnet durch die Kombination von Merkmalen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/04 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/30 , H01L 29/36 vorgesehen sind [2, 2006.01]	. .  characterised by combination of features provided for in two or more of the groups H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36 [2, 2006.01]
	H01L 29/40	.  Elektroden [2, 2006.01]	.  Electrodes [2, 2006.01]
	H01L 29/41	. .  gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6, 2006.01]	. .  characterised by their shape, relative sizes or dispositions [6, 2006.01]
	H01L 29/417	. . .  wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6, 2006.01]	. . .  carrying the current to be rectified, amplified or switched [6, 2006.01]
	H01L 29/423	. . .  wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6, 2006.01]	. . .  not carrying the current to be rectified, amplified or switched [6, 2006.01]
	H01L 29/43	. .  gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6, 2006.01]	. .  characterised by the materials of which they are formed [6, 2006.01]
	H01L 29/45	. . .  Ohm'sche Elektroden [6, 2006.01]	. . .  Ohmic electrodes [6, 2006.01]
	H01L 29/47	. . .  Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6, 2006.01]	. . .  Schottky barrier electrodes [6, 2006.01]
	H01L 29/49	. . .  Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6, 2006.01]	. . .  Metal-insulator semiconductor electrodes [6, 2006.01]
	H01L 29/51	. . . .  zugeordnete isolierende Materialien [6, 2006.01]	. . . .  Insulating materials associated therewith [6, 2006.01]
	H01L 29/66	.  Typen von Halbleiterbauelementen [2, 2006.01]	.  Types of semiconductor device [2, 2006.01]
	H01L 29/68	. .  steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]	. .  controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2, 2006.01]
	H01L 29/70	. . .  Bipolare Bauelemente [2, 2006.01]	. . .  Bipolar devices [2, 2006.01]
	H01L 29/72	. . . .  Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2, 2006.01]	. . . .  Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals [2, 2006.01]
	H01L 29/73	. . . . .  Bipolare Transistoren [5, 2006.01]	. . . . .  Bipolar junction transistors [5, 2006.01]
	H01L 29/732	. . . . . .  Vertikal-Transistoren [6, 2006.01]	. . . . . .  Vertical transistors [6, 2006.01]
	H01L 29/735	. . . . . .  Lateral-Transistoren [6, 2006.01]	. . . . . .  Lateral transistors [6, 2006.01]
	H01L 29/737	. . . . . .  Hetero-Bipolar-Transistoren [6, 2006.01]	. . . . . .  Hetero-junction transistors [6, 2006.01]
	H01L 29/739	. . . . .  gesteuert durch Feldeffekt [6, 2006.01]	. . . . .  controlled by field effect [6, 2006.01]
	H01L 29/74	. . . .  Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2, 2006.01]	. . . .  Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action [2, 2006.01]
	H01L 29/744	. . . . .  GTO-Thyristoren [6, 2006.01]	. . . . .  Gate-turn-off devices [6, 2006.01]
	H01L 29/745	. . . . . .  abschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]	. . . . . .  with turn-off by field effect [6, 2006.01]
	H01L 29/747	. . . . .  Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2, 2006.01]	. . . . .  Bidirectional devices, e.g. triacs [2, 2006.01]
	H01L 29/749	. . . . .  einschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]	. . . . .  with turn-on by field effect [6, 2006.01]
	H01L 29/76	. . .  Unipolar-Bauelemente [2, 2006.01]	. . .  Unipolar devices [2, 2006.01]
	H01L 29/762	. . . .  Bauelemente mit Ladungsübertragung [6, 2006.01]	. . . .  Charge transfer devices [6, 2006.01]
	H01L 29/765	. . . . .  Ladungsgekoppelte Bauelemente [6, 2006.01]	. . . . .  Charge-coupled devices [6, 2006.01]
	H01L 29/768	. . . . . .  mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6, 2006.01]	. . . . . .  with field effect produced by an insulated gate [6, 2006.01]
	H01L 29/772	. . . .  Feldeffekt-Transistoren [6, 2006.01]	. . . .  Field-effect transistors [6, 2006.01]
	H01L 29/775	. . . . .  mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6, 2006.01]	. . . . .  with one-dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET [6, 2006.01]
	H01L 29/778	. . . . .  mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6, 2006.01]	. . . . .  with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT [6, 2006.01]
	H01L 29/78	. . . . .  mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2, 2006.01]	. . . . .  with field effect produced by an insulated gate [2, 2006.01]
	H01L 29/786	. . . . . .  Dünnfilm-Transistoren [6, 2006.01]	. . . . . .  Thin-film transistors [6, 2006.01]
	H01L 29/788	. . . . . .  mit schwebendem Gate [5, 2006.01]	. . . . . .  with floating gate [5, 2006.01]
	H01L 29/792	. . . . . .  mit Ladungseinfang im Gate-Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5, 2006.01]	. . . . . .  with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistor [5, 2006.01]
	H01L 29/80	. . . . .  mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2, 2006.01]	. . . . .  with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate [2, 2006.01]
	H01L 29/808	. . . . . .  mit PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]	. . . . . .  with a PN junction gate [5, 2006.01]
	H01L 29/812	. . . . . .  mit Schottky-Gate [5, 2006.01]	. . . . . .  with a Schottky gate [5, 2006.01]
	H01L 29/82	. .  steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]	. .  controllable by variation of the magnetic field applied to the device (H01L 29/96 takes precedence) [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/84	. .  steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]	. .  controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure (H01L 29/96 takes precedence) [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/86	. .  steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]	. .  controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2, 2006.01]
	H01L 29/8605	. . .  Widerstände mit PN-Übergang [6, 2006.01]	. . .  Resistors with PN junction [6, 2006.01]
	H01L 29/861	. . .  Dioden [6, 2006.01]	. . .  Diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/862	. . . .  Spitzendioden [6, 2006.01]	. . . .  Point contact diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/864	. . . .  Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6, 2006.01]	. . . .  Transit-time diodes, e.g. IMPATT, TRAPATT diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/866	. . . .  Zener-Dioden [6, 2006.01]	. . . .  Zener diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/868	. . . .  PIN-Dioden [6, 2006.01]	. . . .  PIN diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/87	. . . .  Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6, 2006.01]	. . . .  Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/872	. . . .  Schottky-Dioden [6, 2006.01]	. . . .  Schottky diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/88	. . . .  Tunnel-Dioden [2, 2006.01]	. . . .  Tunnel-effect diodes [2, 2006.01]
	H01L 29/885	. . . . .  Esaki-Dioden [6, 2006.01]	. . . . .  Esaki diodes [6, 2006.01]
	H01L 29/92	. . .  Kondensatoren mit Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01]	. . .  Capacitors having potential barriers [2, 2006.01]
	H01L 29/93	. . . .  Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2, 2006.01]	. . . .  Variable-capacitance diodes, e.g. varactors [2, 2006.01]
	H01L 29/94	. . . .  Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2, 2006.01]	. . . .  Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS [2, 2006.01]
	H01L 29/96	. .  von einem Typ, der von mehr als einer der Gruppen H01L 29/68 , H01L 29/82 , H01L 29/84 oder H01L 29/86 umfasst wird [2, 2006.01]	. .  of a type covered by more than one of groups H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 or H01L 29/86 [2, 2006.01]
	H01L 31/00	Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H10K 30/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]	Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H10K 30/00 takes precedence; devices consisting of a plurality of solid state components formed in, or on, a common substrate, other than combinations of radiation-sensitive components with one or more electric light sources, H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
	H01L 31/02	.  Einzelheiten [2, 2006.01]	.  Details [2, 2006.01]
	H01L 31/0203	. .  Gehäuse; Einkapselungen ( für photovoltaische Bauelemente H01L 31/048;  für organische lichtempfindliche Bauelemente H10K 30/88) [5, 2006.01, 2014.01]	. .  Containers; Encapsulations  (for photovoltaic devices H01L 31/048;  for organic photosensitive devices H10K 30/88) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0216	. .  Beschichtungen, Überzüge (H01L 31/041 hat Vorrang) [5, 2006.01, 2014.01]	. .  Coatings (H01L 31/041 takes precedence) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0224	. .  Elektroden [5, 2006.01]	. .  Electrodes [5, 2006.01]
	H01L 31/0232	. .  Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind (H01L 31/0236 hat Vorrang;  für photovoltaische Zellen H01L 31/054;  für Photovoltaik [PV]-Module H02S 40/20) [5, 2006.01, 2014.01]	. .  Optical elements or arrangements associated with the device (H01L 31/0236 takes precedence; for photovoltaic cells H01L 31/054; for photovoltaic modules H02S 40/20) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0236	. .  besondere Oberflächen-Texturen [5, 2006.01]	. .  Special surface textures [5, 2006.01]
	H01L 31/024	. .  Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation (für photovoltaische Bauelemente H01L 31/052) [5, 2006.01, 2014.01]	. .  Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation (for photovoltaic devices H01L 31/052) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0248	.  gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5, 2006.01]	.  characterised by their semiconductor bodies [5, 2006.01]
	H01L 31/0256	. .  gekennzeichnet durch das Material [5, 2006.01]	. .  characterised by the material [5, 2006.01]
	H01L 31/0264	. . .  Anorganische Materialien [5, 2006.01]	. . .  Inorganic materials [5, 2006.01]
	H01L 31/0272	. . . .  Selen oder Tellur [5, 2006.01]	. . . .  Selenium or tellurium [5, 2006.01]
	H01L 31/028	. . . .  nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]	. . . .  including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table [5, 2006.01]
	H01L 31/0288	. . . . .  gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5, 2006.01]	. . . . .  characterised by the doping material [5, 2006.01]
	H01L 31/0296	. . . .  nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5, 2006.01]	. . . .  including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe [5, 2006.01]
	H01L 31/0304	. . . .  nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]	. . . .  including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds [5, 2006.01]
	H01L 31/0312	. . . .  nur mit AIVBIV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5, 2006.01]	. . . .  including, apart from doping materials or other impurities, only AIVBIV compounds, e.g. SiC [5, 2006.01]
	H01L 31/032	. . . .  nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]	. . . .  including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L 31/0272-H01L 31/0312 [5, 2006.01]
	H01L 31/0328	. . . .  nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]	. . . .  including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L 31/0272-H01L 31/032 [5, 2006.01]
	H01L 31/0336	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der Gruppe VI des Periodensystems ist [5, 2006.01]	. . . . .  in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero-junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table [5, 2006.01]
	H01L 31/0352	. .  gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5, 2006.01]	. .  characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions [5, 2006.01]
	H01L 31/036	. .  gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5, 2006.01]	. .  characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes [5, 2006.01]
	H01L 31/0368	. . .  mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]	. . .  including polycrystalline semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [5, 2006.01]
	H01L 31/0376	. . .  mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]	. . .  including amorphous semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [5, 2006.01]
	H01L 31/0384	. . .  mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]	. . .  including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material (H01L 31/0392 takes precedence) [5, 2006.01]
	H01L 31/0392	. . .  mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5, 2006.01]	. . .  including thin films deposited on metallic or insulating substrates [5, 2006.01]
	H01L 31/04	.  eingerichtet für die photovoltaische Energie-Umwandlung, z.B. PV-Module oder einzelne PV-Zellen  (deren Prüfung während der Herstellung H01L 21/66;  deren Prüfung nach der Herstellung H02S 50/10) [2, 2006.01, 2014.01]	.  adapted as photovoltaic [PV] conversion devices (testing thereof during manufacture H01L 21/66; testing thereof after manufacture H02S 50/10) [2, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/041	. .  Maßnahmen zum Verhindern von Schäden die durch Teilchenstrahlung verursacht werden, z.B. für Weltraum-Anwendungen [2014.01]	. .  Provisions for preventing damage caused by corpuscular radiation, e.g. for space applications [2014.01]
	H01L 31/042	. .  PV-Module oder Anordnungen von einzelnen PV-Zellen  ( Tragkonstruktionen für PV-Module H02S 20/00) [5, 2006.01, 2014.01]	. .  PV modules or arrays of single PV cells (supporting structures for PV modules H02S 20/00) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/043	. . .  mechanisch gestapelte PV-Zellen [2014.01]	. . .  Mechanically stacked PV cells [2014.01]
	H01L 31/044	. . .  umfassend Bypass-Dioden  (Bypass-Dioden in Anschlussdosen H02S 40/34) [2014.01]	. . .  including bypass diodes (bypass diodes in the junction box H02S 40/34) [2014.01]
	H01L 31/0443	. . . .  umfassend Bypass-Dioden, welche mit den Bauelementen integriert oder direkt verbunden sind, z.B. Bypass-Dioden integriert oder gebildet in oder auf demselben Substrat mit den PV-Zellen [2014.01]	. . . .  comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells [2014.01]
	H01L 31/0445	. . .  umfassend Dünnschicht-Solarzellen, z.B. einzelne Dünnschicht- a-Si, CIS oder CdTe-Solarzellen [2014.01]	. . .  including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells [2014.01]
	H01L 31/046	. . . .  Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind  [2014.01]	. . . .  PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate [2014.01]
	H01L 31/0463	. . . . .  gekennzeichnet durch spezielle Strukturierungsverfahren zum Verbinden der PV-Zellen in einem Modul, z.B. Laserschneiden der leitenden oder aktiven Schichten [2014.01]	. . . . .  characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers [2014.01]
	H01L 31/0465	. . . . .  umfassend besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter PV-Zellen in dem Modul (H01L 31/0463 hat Vorrang) [2014.01]	. . . . .  comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module (H01L 31/0463 takes precedence) [2014.01]
	H01L 31/0468	. . . . .  umfassend bestimmte Mittel zum Erhalten einer partiellen Lichtdurchlässigkeit, z.B. teiltransparente Dünnschicht-Solarmodule für Fenster [2014.01]	. . . . .  comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows [2014.01]
	H01L 31/047	. . .  Anordnungen von PV-Zellen umfassend PV-Zellen mit mehreren senkrechten Übergängen oder mit mehreren Übergängen in V-förmigen Gräben, welche in einem Halbleitersubstrat gebildet sind [2014.01]	. . .  PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate [2014.01]
	H01L 31/0475	. . .  Anordnungen von PV-Zellen gebildet durch Zellen in einer ebenen, z.B. sich wiederholenden, Konfiguration auf einem einzigen Halbleitersubstrat; PV-Zellen-Mikroarrays (Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind H01L 31/046) [2014.01]	. . .  PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays (PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate H01L 31/046) [2014.01]
	H01L 31/048	. . .  Einkapselung von Modulen [5, 2006.01, 2014.01]	. . .  Encapsulation of modules [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/049	. . . .  Schützende Rückseitenfolien [2014.01]	. . . .  Protective back sheets [2014.01]
	H01L 31/05	. . .  Mittel zur elektrischen Verschaltung zwischen PV-Zellen innerhalb des PV-Moduls, z.B. Serienschaltung von PV-Zellen  ( Elektroden H01L 31/0224;  elektrische Verschaltung von Dünnschicht-Solarzellen gebildet auf einem gemeinsamen Substrat H01L 31/046;  besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter Dünnschicht-Solarzellen in dem Modul H01L 31/0465;  Mittel zur elektrischen Verschaltung besonders ausgebildet für die Verbindung von zwei oder mehreren PV-Modulen H02S 40/36) [5, 2006.01, 2014.01]	. . .  Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells (electrodes H01L 31/0224; electrical interconnection of thin film solar cells formed on a common substrate H01L 31/046; particular structures for electrical interconnecting of adjacent thin film solar cells in the module H01L 31/0465; electrical interconnection means specially adapted for electrically connecting two or more PV modules H02S 40/36) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/052	. .  Mittel zur Kühlung, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. integrierte Peltier-Elemente für die aktive Kühlung oder direkt mit den PV-Zellen verbundene Wärmesenken  ( Mittel zur Kühlung im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/42) [5, 2006.01, 2014.01]	. .  Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells (cooling means in combination with the PV module H02S 40/42) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0525	. . .  mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, welche direkt mit der PV-Zelle verbunden sind, z.B. integrierte Seebeck-Elemente [2014.01]	. . .  including means to utilise heat energy directly associated with the PV cell, e.g. integrated Seebeck elements [2014.01]
	H01L 31/053	. .  Energiespeichermittel, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. ein mit einer PV-Zelle integrierter Kondensator  (Energiespeichermittel im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/38) [2014.01]	. .  Energy storage means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. a capacitor integrated with a PV cell (energy storage means associated with the PV module H02S 40/38) [2014.01]
	H01L 31/054	. .  Optische Elemente, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. Mittel zur Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [2014.01]	. .  Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means [2014.01]
	H01L 31/055	. . .  wobei Licht von einem optischen Element, welches mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert ist, absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge wieder re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien, fluoreszierender Konzentratoren oder Anordnungen für Hochkonversion  [5, 2006.01, 2014.01]	. . .  where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/056	. . .  wobei die Mittel zur Lichtreflexion vom Typ Rückseitenreflektor [BSR] sind [2014.01]	. . .  the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type [2014.01]
	H01L 31/06	. .  gekennzeichnet durch Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01, 2012.01]	. .  characterised by potential barriers [2, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/061	. . .  wobei die Sperrschicht durch einen Punktkontakt gebildet wird (H01L 31/07 hat Vorrang) [2012.01]	. . .  the potential barriers being of the point-contact type (H01L 31/07 takes precedence) [2012.01]
	H01L 31/062	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]	. . .  the potential barriers being only of the metal-insulator-semiconductor type [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/065	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]	. . .  the potential barriers being only of the graded gap type [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/068	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird, z.B. Solarzellen aus Bulk-Silicium mit PN-Homoübergang oder Dünnschichtsolarzellen aus polykristallinem Silicium mit PN-Homoübergang [5, 2006.01, 2012.01]	. . .  the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/0687	. . . .  Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]	. . . .  Multiple junction or tandem solar cells [2012.01]
	H01L 31/0693	. . . .  wobei die Bauelemente, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, nur AIIIBV-Verbindungen beinhalten, z.B. GaAs- oder InP-Solarzellen [2012.01]	. . . .  the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells [2012.01]
	H01L 31/07	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]	. . .  the potential barriers being only of the Schottky type [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/072	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]	. . .  the potential barriers being only of the PN heterojunction type [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/0725	. . . .  Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]	. . . .  Multiple junction or tandem solar cells [2012.01]
	H01L 31/073	. . . .  nur mit AIIBVI-Verbindungshalbleitern, z.B. CdS/CdTe-Solarzellen [2012.01]	. . . .  comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells [2012.01]
	H01L 31/0735	. . . .  nur mit AIIIBV-Verbindungshalbleitern, z.B. GaAs/AlGaAs- oder InP/GaInAs-Solarzellen [2012.01]	. . . .  comprising only AIIIBV compound semiconductors, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs solar cells [2012.01]
	H01L 31/074	. . . .  wobei ein Heteroübergang mit einem Element der Gruppe IV des Periodensystems gebildet wird, z.B. ITO/Si-, GaAs/Si- oder CdTe/Si-Solarzellen [2012.01]	. . . .  comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic Table, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells [2012.01]
	H01L 31/0745	. . . .  mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen [2012.01]	. . . .  comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells [2012.01]
	H01L 31/0747	. . . . .  mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht [2012.01]	. . . . .  comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer [2012.01]
	H01L 31/0749	. . . .  mit einer AIBIIICVI-Verbindung, z.B. CdS/CuInSe2 [CIS]-Heteroübergang Solarzellen [2012.01]	. . . .  including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction solar cells [2012.01]
	H01L 31/075	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird, z.B. PIN Solarzellen aus amorphem Silicium [5, 2006.01, 2012.01]	. . .  the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/076	. . . .  Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]	. . . .  Multiple junction or tandem solar cells [2012.01]
	H01L 31/077	. . . .  Bauelemente mit monokristallinen oder polykristallinen Materialien [2012.01]	. . . .  the devices comprising monocrystalline or polycrystalline materials [2012.01]
	H01L 31/078	. . .  mit verschiedenen Arten von Sperrschichten, die in zwei oder mehr Gruppen H01L 31/061-H01L 31/075 vorgesehen sind [5, 2006.01, 2012.01]	. . .  including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L 31/061-H01L 31/075 [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/08	.  in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2, 2006.01]	.  in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors [2, 2006.01]
	H01L 31/09	. .  Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5, 2006.01]	. .  Devices sensitive to infrared, visible or ultra- violet radiation (H01L 31/101 takes precedence) [5, 2006.01]
	H01L 31/10	. .  gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzial-Sperrschicht, z.B. Fototransistoren [2, 2006.01]	. .  characterised by potential barriers, e.g. phototransistors [2, 2006.01]
	H01L 31/101	. . .  Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5, 2006.01]	. . .  Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation [5, 2006.01]
	H01L 31/102	. . . .  gekennzeichnet durch genau eine Potenzial-Sperrschicht [5, 2006.01]	. . . .  characterised by only one potential barrier [5, 2006.01]
	H01L 31/103	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5, 2006.01]	. . . . .  the potential barrier being of the PN homojunction type [5, 2006.01]
	H01L 31/105	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5, 2006.01]	. . . . .  the potential barrier being of the PIN type [5, 2006.01]
	H01L 31/107	. . . . .  wobei die Potenzial-Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodioden [5, 2006.01]	. . . . .  the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes [5, 2006.01]
	H01L 31/108	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5, 2006.01]	. . . . .  the potential barrier being of the Schottky type [5, 2006.01]
	H01L 31/109	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5, 2006.01]	. . . . .  the potential barrier being of the PN heterojunction type [5, 2006.01]
	H01L 31/11	. . . .  gekennzeichnet durch zwei Potenzial-Sperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistoren [5, 2006.01]	. . . .  characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors [5, 2006.01]
	H01L 31/111	. . . .  gekennzeichnet durch wenigstens drei Potenzial- Sperrschichten, z.B. Fotothyristoren [5, 2006.01]	. . . .  characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors [5, 2006.01]
	H01L 31/112	. . . .  gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5, 2006.01]	. . . .  characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect photo- transistor [5, 2006.01]
	H01L 31/113	. . . . .  mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5, 2006.01]	. . . . .  being of the conductor-insulator- semiconductor type, e.g. metal- insulator-semiconductor field-effect transistor [5, 2006.01]
	H01L 31/115	. . .  Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5, 2006.01]	. . .  Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation [5, 2006.01]
	H01L 31/117	. . . .  mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5, 2006.01]	. . . .  of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors [5, 2006.01]
	H01L 31/118	. . . .  mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5, 2006.01]	. . . .  of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors [5, 2006.01]
	H01L 31/119	. . . .  gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5, 2006.01]	. . . .  characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors [5, 2006.01]
	H01L 31/12	.  baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5, 2006.01]	.  structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto (electroluminescent light sources per seH05B 33/00) [2, 5, 2006.01]
	H01L 31/14	. .  mit Steuerung der Lichtquelle oder Lichtquellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler oder Bildverstärker, Bildspeicher [2, 2006.01]	. .  the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices [2, 2006.01]
	H01L 31/147	. . .  wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht sind [5, 2006.01]	. . .  the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers [5, 2006.01]
	H01L 31/153	. . . .  ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5, 2006.01]	. . . .  formed in, or on, a common substrate [5, 2006.01]
	H01L 31/16	. .  mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2, 2006.01]	. .  the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources [2, 2006.01]
	H01L 31/167	. . .  wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht sind [5, 2006.01]	. . .  the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers [5, 2006.01]
	H01L 31/173	. . . .  ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5, 2006.01]	. . . .  formed in, or on, a common substrate [5, 2006.01]
	H01L 31/18	.  Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]	.  Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof [2, 2006.01]
	H01L 31/20	. .  Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5, 2006.01]	. .  such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor material [5, 2006.01]
	H01L 33/00	Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H10K 50/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit Potenzial-Sperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]	Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H10K 50/00 takes precedence; devices consisting of a plurality of semiconductor components formed in or on a common substrate and including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission H01L 27/15; semiconductor lasers H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
	H01L 33/02	.  charakterisiert durch den Halbleiterkörper [2010.01]	.  characterised by the semiconductor bodies [2010.01]
	H01L 33/04	. .  mit Quanteneffektstruktur oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang [2010.01]	. .  with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction [2010.01]
	H01L 33/06	. . .  innerhalb des lichtemittierenden Bereichs, z.B. Quantum-Confinement-Struktur oder Tunnelbarriere [2010.01]	. . .  within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier [2010.01]
	H01L 33/08	. .  mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche  (H01L 27/15 hat Vorrang) [2010.01]	. .  with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body (H01L 27/15 takes precedence) [2010.01]
	H01L 33/10	. .  mit lichtreflektierender Struktur, z.B. dielektrischer Bragg-Reflektor [2010.01]	. .  with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector [2010.01]
	H01L 33/12	. .  mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht [2010.01]	. .  with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer [2010.01]
	H01L 33/14	. .  mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur [2010.01]	. .  with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure [2010.01]
	H01L 33/16	. .  mit besonderer Kristallstruktur oder Kristallorientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös [2010.01]	. .  with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous [2010.01]
	H01L 33/18	. . .  innerhalb des lichtemittierenden Bereichs [2010.01]	. . .  within the light emitting region [2010.01]
	H01L 33/20	. .  mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate [2010.01]	. .  with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate [2010.01]
	H01L 33/22	. . .  Aufgeraute Oberflächen, z.B. an der Grenzfläche zwischen epitaktischen Schichten [2010.01]	. . .  Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers [2010.01]
	H01L 33/24	. . .  des lichtemittierenden Bereichs, z.B. nicht-planare Übergänge [2010.01]	. . .  of the light emitting region, e.g. non-planar junction [2010.01]
	H01L 33/26	. .  Materialien des lichtemittierenden Bereichs [2010.01]	. .  Materials of the light emitting region [2010.01]
	H01L 33/28	. . .  nur Elemente der Gruppen II und VI des Periodensystems enthaltend [2010.01]	. . .  containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table [2010.01]
	H01L 33/30	. . .  nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend [2010.01]	. . .  containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table [2010.01]
	H01L 33/32	. . . .  Stickstoff enthaltend [2010.01]	. . . .  containing nitrogen [2010.01]
	H01L 33/34	. . .  nur Elemente der Gruppe IV des Periodensystems enthaltend [2010.01]	. . .  containing only elements of Group IV of the Periodic Table [2010.01]
	H01L 33/36	.  charakterisiert durch die Elektroden  [2010.01]	.  characterised by the electrodes [2010.01]
	H01L 33/38	. .  mit besonderer Form [2010.01]	. .  with a particular shape [2010.01]
	H01L 33/40	. .  Materialien hierfür [2010.01]	. .  Materials therefor [2010.01]
	H01L 33/42	. . .  transparente Materialien [2010.01]	. . .  Transparent materials [2010.01]
	H01L 33/44	.  charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen [2010.01]	.  characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating [2010.01]
	H01L 33/46	. .  Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren [2010.01]	. .  Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector [2010.01]
	H01L 33/48	.  charakterisiert durch das Gehäuse [2010.01]	.  characterised by the semiconductor body packages [2010.01]
	H01L 33/50	. .  Bestandteile zur Wellenlängenkonversion [2010.01]	. .  Wavelength conversion elements [2010.01]
	H01L 33/52	. .  Einkapselungen [2010.01]	. .  Encapsulations [2010.01]
	H01L 33/54	. . .  mit besonderer Form [2010.01]	. . .  having a particular shape [2010.01]
	H01L 33/56	. . .  Materialien, z.B. Epoxidharze oder Silikonharze [2010.01]	. . .  Materials, e.g. epoxy or silicone resin [2010.01]
	H01L 33/58	. .  Bestandteile zur Formung optischer Felder [2010.01]	. .  Optical field-shaping elements [2010.01]
	H01L 33/60	. . .  Reflektierende Bestandteile [2010.01]	. . .  Reflective elements [2010.01]
	H01L 33/62	. .  Anordnungen für die Zuleitung oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln [2010.01]	. .  Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. leadframe, wire-bond or solder balls [2010.01]
	H01L 33/64	. .  Bestandteile zur Wärmeableitung oder zum Kühlen [2010.01]	. .  Heat extraction or cooling elements [2010.01]