HSektion H — ElektrotechnikELECTRICITY
disable hierarchy mode: H01H01Elektrische BauteileELECTRIC ELEMENTS
disable hierarchy mode: H01LLink to definition of IPC symbol: H01LH01LHalbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01Widerstände allgemein H01CMagnete, Induktoren oder Umformer H01FKondensatoren allgemein H01Gelektrolytische Bauelemente H01G 9/00Batterien oder Akkumulatoren H01MWellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01PLeitungsverbinder oder Stromabnehmer H01RBauelemente mit stimulierter Emission H01Selektromechanische Resonatoren H03HLautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04Relektrische Lichtquellen allgemein H05Bgedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05KAnwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10 (use of semiconductor devices for measuring G01 resistors in general H01C magnets, inductors or transformers H01F capacitors in general H01G electrolytic devices H01G 9/00 batteries or accumulators H01M waveguides, resonators or lines of the waveguide type H01P line connectors or current collectors H01R stimulated-emission devices H01S electromechanical resonators H03H loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R electric light sources in general H05B printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2]
disable hierarchy mode: H01L 21/00Link to definition of IPC symbol: H01L 21/00Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/00H01L 21/00Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01]Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid-state devices, or of parts thereof [2, 2006.01]
disable hierarchy mode: H01L 21/70Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/70H01L 21/70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2, 2006.01]
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof (manufacture of assemblies consisting of preformed electrical components H05K 3/00, H05K 13/00) [2, 2006.01]
disable hierarchy mode: H01L 21/77Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/77H01L 21/77
. . Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind (Herstellung oder Behandlung von elektronischen Speicherbauelementen H10B) [6, 2006.01, 2017.01]
. . Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate  (manufacture or treatment of electronic memory devices H10B) [6, 2006.01, 2017.01]
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. . . mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6, 2006.01]
. . . with subsequent division of the substrate into plural individual devices (cutting to change the surface-physical characteristics or shape of semiconductor bodies H01L 21/304) [2, 6, 2006.01]
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. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2, 2006.01]
. . . . to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components [2, 2006.01]
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. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
. . . . . the substrate being a semiconductor, using silicon technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6, 2006.01]
disable hierarchy mode: H01L 21/8232Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8232H01L 21/8232
. . . . . . Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]
. . . . . . Field-effect technology [6, 2006.01]
disable hierarchy mode: H01L 21/8234Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8234H01L 21/8234
. . . . . . . MIS-Technologie [6, 2006.01]
. . . . . . . MIS technology [6, 2006.01]
disable hierarchy mode: H01L 21/8238Link to Depatisnet beginner's search with IPC symbol: H01L 21/8238H01L 21/8238
. . . . . . . . Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6, 2006.01]
. . . . . . . . Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS [6, 2006.01]