| H01L | Halbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2] | SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10 (use of semiconductor devices for measuring G01; resistors in general H01C; magnets, inductors or transformers H01F; capacitors in general H01G; electrolytic devices H01G 9/00; batteries or accumulators H01M; waveguides, resonators or lines of the waveguide type H01P; line connectors or current collectors H01R; stimulated-emission devices H01S; electromechanical resonators H03H; loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R; electric light sources in general H05B; printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K; use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2] |
| H01L 21/00 | Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01] | Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid-state devices, or of parts thereof [2, 2006.01] |
| H01L 21/04 | . . | Bauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang, Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht [2, 2006.01] |
| . . | the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer [2, 2006.01] |
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| H01L 21/48 | . . . | Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind [2, 2006.01] |
| . . . | Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L 21/06-H01L 21/326 [2, 2006.01] |
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