H	Sektion H — Elektrotechnik	ELECTRICITY
	H01	Elektrische Bauteile	ELECTRIC ELEMENTS
	H01L	Halbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]	SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10 (use of semiconductor devices for measuring G01;  resistors in general H01C;  magnets, inductors or transformers H01F;  capacitors in general H01G;  electrolytic devices H01G 9/00;  batteries or accumulators H01M;  waveguides, resonators or lines of the waveguide type H01P;  line connectors or current collectors H01R;  stimulated-emission devices H01S;  electromechanical resonators H03H;  loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers H04R;  electric light sources in general H05B;  printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components H05K;  use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) [2]
	H01L 21/00	Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01]	Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid-state devices, or of parts thereof [2, 2006.01]
	H01L 21/02	.  Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]	.  Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof [2, 2006.01]
	H01L 21/04	. .  Bauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang, Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht [2, 2006.01]	. .  the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer [2, 2006.01]
	H01L 21/18	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7, 2006.01]	. . .  the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials [2, 6, 7, 2006.01]
	H01L 21/30	. . . .  Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2, 2006.01]	. . . .  Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20-H01L 21/26 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/28) [2, 2006.01]
	H01L 21/31	. . . . .  zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5, 2006.01]	. . . . .  to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers [2, 5, 2006.01]