G	Sektion G — Physik	PHYSICS
	G11	Informationsspeicherung	INFORMATION STORAGE
	G11C	Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B)	STATIC STORES (semiconductor memory devices H10B)
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01]	Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor (G11C 14/00-G11C 21/00 take precedence) [1, 5, 2006.01]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2, 2006.01]	.  using electric elements [2, 2006.01]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [1, 2, 2006.01]	. .  using semiconductor devices [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [1, 2, 2006.01]	. . .  using transistors [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/41	. . . .  bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger [5, 2006.01]	. . . .  forming cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger [5, 2006.01]
	G11C 11/413	. . . . .  Zusatzschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung oder Leistungsreduzierung [5, 2006.01]	. . . . .  Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction [5, 2006.01]
	G11C 11/414	. . . . . .  für bipolare Speicherzellen [5, 2006.01]	. . . . . .  for memory cells of the bipolar type [5, 2006.01]
	G11C 11/415	. . . . . . .  Adressierschaltungen [5, 2006.01]	. . . . . . .  Address circuits [5, 2006.01]