G	Sektion G — Physik	PHYSICS
	G11	Informationsspeicherung	INFORMATION STORAGE
	G11C	Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B)	STATIC STORES (semiconductor memory devices H10B)
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01]	Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor (G11C 14/00-G11C 21/00 take precedence) [1, 5, 2006.01]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2, 2006.01]	.  using electric elements [2, 2006.01]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [1, 2, 2006.01]	. .  using semiconductor devices [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [1, 2, 2006.01]	. . .  using transistors [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/401	. . . .  bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5, 2006.01]	. . . .  forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells [5, 2006.01]
	G11C 11/4063	. . . . .  Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung [7, 2006.01]	. . . . .  Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing [7, 2006.01]
	G11C 11/407	. . . . . .  Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen [5, 2006.01]	. . . . . .  for memory cells of the field-effect type [5, 2006.01]
	G11C 11/409	. . . . . . .  Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5, 2006.01]	. . . . . . .  Read-write [R-W] circuits [5, 2006.01]
	G11C 11/4099	. . . . . . . .  Behandlung von Leerzellen; Referenzspannungserzeuger [7, 2006.01]	. . . . . . . .  Dummy cell treatment; Reference voltage generators [7, 2006.01]