| G | Sektion G — Physik | PHYSICS |
| G11 | Informationsspeicherung | INFORMATION STORAGE |
| G11C | Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B) | STATIC STORES (semiconductor memory devices H10B) |
| G11C 11/00 | Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01] | Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor (G11C 14/00-G11C 21/00 take precedence) [1, 5, 2006.01] |
| G11C 11/21 | . | mit elektrischen Elementen [2, 2006.01] |
| . | using electric elements [2, 2006.01] |
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| G11C 11/34 | . . | mit Halbleitern [1, 2, 2006.01] |
| . . | using semiconductor devices [1, 2, 2006.01] |
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| G11C 11/40 | . . . | mit Transistoren [1, 2, 2006.01] |
| . . . | using transistors [1, 2, 2006.01] |
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| G11C 11/401 | . . . . | bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5, 2006.01] |
| . . . . | forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells [5, 2006.01] |
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| G11C 11/403 | . . . . . | mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5, 2006.01] |
| . . . . . | with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh [5, 2006.01] |
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| G11C 11/405 | . . . . . . | mit drei Ladungstransferstrecken pro Zelle, z.B. MOS- Transistoren [5, 2006.01] |
| . . . . . . | with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell [5, 2006.01] |
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