G	Sektion G — Physik	PHYSICS
	G11	Informationsspeicherung	INFORMATION STORAGE
	G11C	Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B)	STATIC STORES (semiconductor memory devices H10B)
	G11C 11/00	Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01]	Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor (G11C 14/00-G11C 21/00 take precedence) [1, 5, 2006.01]
	G11C 11/21	.  mit elektrischen Elementen [2, 2006.01]	.  using electric elements [2, 2006.01]
	G11C 11/34	. .  mit Halbleitern [1, 2, 2006.01]	. .  using semiconductor devices [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/40	. . .  mit Transistoren [1, 2, 2006.01]	. . .  using transistors [1, 2, 2006.01]
	G11C 11/401	. . . .  bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5, 2006.01]	. . . .  forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells [5, 2006.01]
	G11C 11/403	. . . . .  mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5, 2006.01]	. . . . .  with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh [5, 2006.01]
	G11C 11/404	. . . . . .  mit einer Ladungstransferstrecke pro Zelle, z.B. MOS-Transistor [5, 2006.01]	. . . . . .  with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell [5, 2006.01]