| C | Sektion C — Chemie; Hüttenwesen | CHEMISTRY; METALLURGY |
| C30 | Züchten von Kristallen [3] | CRYSTAL GROWTH [3] |
| C30B | Züchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06); Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B); Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F); Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L, H10); Apparate hierfür [3] | SINGLE-CRYSTAL GROWTH (by using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds, B01J 3/06); UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL (zone-refining of metals or alloys C22B); PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE (casting of metals, casting of other substances by the same processes or devices B22D; working of plastics B29; modifying the physical structure of metals or alloys C21D, C22F); SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE (for producing semiconductor devices or parts thereof H01L, H10); APPARATUS THEREFOR [3] |
| C30B 1/00 | Einkristallwachstum direkt aus dem festen Zustand (gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen C30B 3/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] | Single-crystal growth directly from the solid state (unidirectional demixing of eutectoid materials C30B 3/00; under a protective fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 1/02 | . | durch Wärmebehandlung, z.B. Ausglühen von Gitterspannungen (C30B 1/12 hat Vorrang) [3, 2006.01] |
| . | by thermal treatment, e.g. strain annealing (C30B 1/12 takes precedence) [3, 2006.01] |
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| C30B 1/04 | . . | Isotherme Rekristallisation [3, 2006.01] |
| . . | Isothermal recrystallisation [3, 2006.01] |
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| C30B 1/06 | . . | Rekristallisation unter einem Temperaturgradienten [3, 2006.01] |
| . . | Recrystallisation under a temperature gradient [3, 2006.01] |
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| C30B 1/08 | . . . | Zonenrekristallisation [3, 2006.01] |
| . . . | Zone recrystallisation [3, 2006.01] |
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| C30B 1/10 | . | durch Feststoffreaktion oder Mehrphasen-Diffusion [3, 2006.01] |
| . | by solid state reactions or multi-phase diffusion [3, 2006.01] |
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| C30B 1/12 | . | durch Druckbehandlung während des Wachstums [3, 2006.01] |
| . | by pressure treatment during the growth [3, 2006.01] |
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| C30B 3/00 | Gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen [3, 2006.01] | Unidirectional demixing of eutectoid materials [3, 2006.01] |
| C30B 5/00 | Einkristallwachstum aus Gelen (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] | Single-crystal growth from gels (under a protective fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 5/02 | . | unter Zugabe von Dotierstoffen [3, 2006.01] |
| . | with addition of doping materials [3, 2006.01] |
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| C30B 7/00 | Einkristallwachstum aus Lösungen unter Verwendung von Lösungsmitteln, die bei normaler Temperatur flüssig sind, z.B. wässrige Lösungen (aus geschmolzenen Lösungsmitteln C30B 9/00; durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] | Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions (from molten solvents C30B 9/00; by normal or gradient freezing C30B 11/00; under a protective fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 7/02 | . | durch Verdampfung des Lösungsmittels [3, 2006.01] |
| . | by evaporation of the solvent [3, 2006.01] |
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| C30B 7/04 | . . | unter Verwendung von wässrigen Lösungsmitteln [3, 2006.01] |
| . . | using aqueous solvents [3, 2006.01] |
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| C30B 7/06 | . . | unter Verwendung von nichtwässrigen Lösungsmitteln [3, 2006.01] |
| . . | using non-aqueous solvents [3, 2006.01] |
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| C30B 7/08 | . | durch Abkühlen der Lösung [3, 2006.01] |
| . | by cooling of the solution [3, 2006.01] |
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| C30B 7/10 | . | durch Anwendung von Druck, z.B. hydrothermale Verfahren [3, 2006.01] |
| . | by application of pressure, e.g. hydrothermal processes [3, 2006.01] |
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| C30B 7/12 | . | durch Elektrolyse [3, 2006.01] |
| . | by electrolysis [3, 2006.01] |
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| C30B 7/14 | . | die auskristallisierenden Stoffe werden durch chemische Reaktionen in der Lösung gebildet [3, 2006.01] |
| . | the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution [3, 2006.01] |
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| C30B 9/00 | Einkristallwachstum aus Lösungsschmelzen unter Verwendung von geschmolzenen Lösungsmitteln (durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; durch Zonenschmelzen C30B 13/00; Kristallziehen C30B 15/00; auf einem eingetauchten Keimkristall C30B 17/00; durch Flüssigphasen-Epitaxie C30B 19/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] | Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents (by normal or gradient freezing C30B 11/00; by zone-melting C30B 13/00; by crystal pulling C30B 15/00; on immersed seed crystal C30B 17/00; by liquid phase epitaxial growth C30B 19/00; under a protective fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 9/02 | . | durch Verdampfen des geschmolzenen Lösungsmittels [3, 2006.01] |
| . | by evaporation of the molten solvent [3, 2006.01] |
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| C30B 9/04 | . | durch Kühlen der Lösung [3, 2006.01] |
| . | by cooling of the solution [3, 2006.01] |
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| C30B 9/06 | . . | unter Verwendung von einer Komponente der Kristallverbindung als Lösungsmittel [3, 2006.01] |
| . . | using as solvent a component of the crystal composition [3, 2006.01] |
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| C30B 9/08 | . . | unter Verwendung von anderen Lösungsmitteln [3, 2006.01] |
| . . | using other solvents [3, 2006.01] |
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| C30B 9/10 | . . . | metallische Lösungsmittel [3, 2006.01] |
| . . . | Metal solvents [3, 2006.01] |
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| C30B 9/12 | . . . | Salze als Lösungsmittel, z.B. Wachstum aus Schmelzen mit Flussmitteln [3, 2006.01] |
| . . . | Salt solvents, e.g. flux growth [3, 2006.01] |
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| C30B 9/14 | . | durch Elektrolyse [3, 2006.01] |
| . | by electrolysis [3, 2006.01] |
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| C30B 11/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman-Stockbarger-Methode (C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 haben Vorrang; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] | Single-crystal-growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman- Stockbarger method (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 take precedence; under a protective fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 11/02 | . | ohne Lösungsmittel (C30B 11/06 hat Vorrang) [3, 2006.01] |
| . | without using solvents (C30B 11/06 takes precedence) [3, 2006.01] |
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| C30B 11/04 | . | Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3, 2006.01] |
| . | adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt [3, 2006.01] |
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| C30B 11/06 | . . | wobei wenigstens eine, aber nicht alle Komponenten der Kristallverbindung zugegeben werden [3, 2006.01] |
| . . | at least one but not all components of the crystal composition being added [3, 2006.01] |
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| C30B 11/08 | . . | wobei alle Komponenten der Kristallverbindung während der Kristallisation zugegeben werden [3, 2006.01] |
| . . | every component of the crystal composition being added during the crystallisation [3, 2006.01] |
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| C30B 11/10 | . . . | feste oder flüssige Komponenten, z.B. Verneuil-Methode [3, 2006.01] |
| . . . | Solid or liquid components, e.g. Verneuil method [3, 2006.01] |
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| C30B 11/12 | . . . | dampfförmige Komponenten, z.B. VLS- [vapour-liquid-solid] Verfahren [3, 2006.01] |
| . . . | Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth [3, 2006.01] |
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| C30B 11/14 | . | gekennzeichnet durch den Keimkristall, z.B. seine kristallografische Orientierung [3, 2006.01] |
| . | characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation [3, 2006.01] |
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| C30B 13/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Zonenschmelzen; Reinigen durch Zonenschmelzen (C30B 17/00 hat Vorrang; durch Ändern des Querschnitts des behandelten festen Stoffes C30B 15/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00; für das Wachstum von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur C30B 28/00) [3, 5, 2006.01] | Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting (C30B 17/00 takes precedence; by changing the cross-section of the treated solid C30B 15/00; under a protective fluid C30B 27/00; for the growth of homogeneous polycrystalline material with defined structure C30B 28/00) [3, 5, 2006.01] |
| C30B 13/02 | . | Zonenschmelzen mit einem Lösungsmittel, z.B. travelling-solvent-Methode [Verwendung einer wandernden Schmelzlösungsmittelzone] [3, 2006.01] |
| . | Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process [3, 2006.01] |
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| C30B 13/04 | . | Homogenisieren durch "zone-levelling" [3, 2006.01] |
| . | Homogenisation by zone-levelling [3, 2006.01] |
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| C30B 13/06 | . | die Schmelzzone nimmt nicht den ganzen Querschnitt ein [3, 2006.01] |
| . | the molten zone not extending over the whole cross-section [3, 2006.01] |
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| C30B 13/08 | . | Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelzzone [3, 2006.01] |
| . | adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone [3, 2006.01] |
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| C30B 13/10 | . . | unter Zusetzen von Dotierstoffen [3, 2006.01] |
| . . | with addition of doping materials [3, 2006.01] |
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| C30B 13/12 | . . . | in gasförmigem oder dampfförmigem Zustand [3, 2006.01] |
| . . . | in the gaseous or vapour state [3, 2006.01] |
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| C30B 13/14 | . | Tiegel oder Gefäße [3, 2006.01] |
| . | Crucibles or vessels [3, 2006.01] |
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| C30B 13/16 | . | Erhitzen der Schmelzzone [3, 2006.01] |
| . | Heating of the molten zone [3, 2006.01] |
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| C30B 13/18 | . . | wobei das Heizelement in Kontakt mit der Schmelzzone steht oder in sie eingetaucht ist [3, 2006.01] |
| . . | the heating element being in contact with, or immersed in, the molten zone [3, 2006.01] |
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| C30B 13/20 | . . | durch Induktion, z.B. Heißdraht-Technik (C30B 13/18 hat Vorrang) [3, 2006.01] |
| . . | by induction, e.g. hot wire technique (C30B 13/18 takes precedence) [3, 2006.01] |
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| C30B 13/22 | . . | durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3, 2006.01] |
| . . | by irradiation or electric discharge [3, 2006.01] |
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| C30B 13/24 | . . . | mit elektromagnetischen Wellen [3, 2006.01] |
| . . . | using electromagnetic waves [3, 2006.01] |
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| C30B 13/26 | . | unter Rühren der Schmelzzone [3, 2006.01] |
| . | Stirring of the molten zone [3, 2006.01] |
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| C30B 13/28 | . | Steuern oder Regeln [3, 2006.01] |
| . | Controlling or regulating [3, 2006.01] |
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| C30B 13/30 | . . | Stabilisation oder Formgebung der Schmelzzone, z.B. durch Verdichten, durch elektromagnetische Felder; Steuern des Kristallquerschnitts [3, 2006.01] |
| . . | Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal [3, 2006.01] |
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| C30B 13/32 | . | Vorrichtungen, um entweder die Charge oder das Heizelement zu bewegen [3, 2006.01] |
| . | Mechanisms for moving either the charge or the heater [3, 2006.01] |
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| C30B 13/34 | . | gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3, 2006.01] |
| . | characterised by the seed, e.g. by its crystallographic orientation [3, 2006.01] |
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| C30B 15/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] | Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method (under a protective fluid C30B 27/00) [3, 2006.01] |
| C30B 15/02 | . | Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3, 2006.01] |
| . | adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt [3, 2006.01] |
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| C30B 15/04 | . . | unter Zusetzen von Dotierstoffen, z.B. für n-p-Übergang [3, 2006.01] |
| . . | adding doping materials, e.g. for n–p-junction [3, 2006.01] |
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| C30B 15/06 | . | Nicht-senkrechtes Ziehen [3, 2006.01] |
| . | Non-vertical pulling [3, 2006.01] |
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| C30B 15/08 | . | Abwärtsziehen [3, 2006.01] |
| . | Downward pulling [3, 2006.01] |
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| C30B 15/10 | . | Tiegel oder Behälter für die Schmelze [3, 2006.01] |
| . | Crucibles or containers for supporting the melt [3, 2006.01] |
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| C30B 15/12 | . . | Doppeltiegel-Verfahren [3, 2006.01] |
| . . | Double crucible methods [3, 2006.01] |
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| C30B 15/14 | . | Erhitzen der Schmelze oder der kristallisierten Stoffe [3, 2006.01] |
| . | Heating of the melt or the crystallised materials [3, 2006.01] |
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| C30B 15/16 | . . | durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3, 2006.01] |
| . . | by irradiation or electric discharge [3, 2006.01] |
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| C30B 15/18 | . . | mit direkter Widerstandsheizung zusätzlich zu anderen Erhitzungsverfahren, z.B. mit Peltier- Wärme [3, 2006.01] |
| . . | using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat [3, 2006.01] |
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| C30B 15/20 | . | Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3, 2006.01] |
| . | Controlling or regulating (controlling or regulating in general G05) [3, 2006.01] |
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| C30B 15/22 | . . | Stabilisierung oder Formgebung der Schmelzzone nahe dem gezogenen Kristall; Steuern des Kristallquerschnitts [3, 2006.01] |
| . . | Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal [3, 2006.01] |
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| C30B 15/24 | . . . | unter Verwendung von mechanischen Mitteln, z.B. Formwerkzeugen (formgebende Elemente für kantenbestimmtes, schmelzfilmbeschicktes Kristallwachstum C30B 15/34) [3, 2006.01] |
| . . . | using mechanical means, e.g. shaping guides (shaping dies for edge-defined film-fed crystal growth C30B 15/34) [3, 2006.01] |
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| C30B 15/26 | . . . | unter Verwendung von Fernsehkameras; unter Verwendung von Foto- oder Röntgen-Detektoren [3, 2006.01] |
| . . . | using television detectors; using photo or X-ray detectors [3, 2006.01] |
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| C30B 15/28 | . . . | unter Ausnutzung von Gewichtsveränderungen des Kristalls oder der Schmelze, z.B. Flotationsverfahren [Schwimm-Tiegel-Verfahren] [3, 2006.01] |
| . . . | using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods [3, 2006.01] |
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| C30B 15/30 | . | Vorrichtungen zum Rotieren oder Bewegen der Schmelze oder des Kristalls (Schwimm-Verfahren C30B 15/28) [3, 2006.01] |
| . | Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal (flotation methods C30B 15/28) [3, 2006.01] |
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| C30B 15/32 | . | Keimhalter, z.B. Spannfutter [3, 2006.01] |
| . | Seed holders, e.g. chucks [3, 2006.01] |
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| C30B 15/34 | . | kantenbestimmendes, schmelzfilmbeschicktes Ziehen von Kristallen mit formgebenden Elementen oder Schlitzen [3, 2006.01] |
| . | Edge-defined film-fed crystal growth using dies or slits [3, 2006.01] |
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| C30B 15/36 | . | gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3, 2006.01] |
| . | characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation [3, 2006.01] |
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| C30B 17/00 | Einkristallwachstum auf einem Keim, der während des Wachstums in der Schmelze verbleibt, z.B. Nacken-Kyropoulos-Verfahren (C30B 15/00 hat Vorrang) [3, 2006.01] | Single-crystal growth on to a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method (C30B 15/00 takes precedence) [3, 2006.01] |
| C30B 19/00 | Flüssigphasen-Epitaxie [LPE-Verfahren] [3, 2006.01] | Liquid-phase epitaxial-layer growth [3, 2006.01] |
| C30B 19/02 | . | mit geschmolzenen Lösungsmitteln, z.B. Flussmitteln [3, 2006.01] |
| . | using molten solvents, e.g. flux [3, 2006.01] |
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| C30B 19/04 | . . | wobei das Lösungsmittel eine Komponente der Kristallverbindung ist [3, 2006.01] |
| . . | the solvent being a component of the crystal composition [3, 2006.01] |
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| C30B 19/06 | . | Reaktionskammern; Gefäße für die Schmelze; Substratträger [3, 2006.01] |
| . | Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders [3, 2006.01] |
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| C30B 19/08 | . | Erhitzen der Reaktionskammern oder des Substrates [3, 2006.01] |
| . | Heating of the reaction chamber or the substrate [3, 2006.01] |
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| C30B 19/10 | . | Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3, 2006.01] |
| . | Controlling or regulating (controlling or regulating in general G05) [3, 2006.01] |
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| C30B 19/12 | . | gekennzeichnet durch das Substrat [3, 2006.01] |
| . | characterised by the substrate [3, 2006.01] |
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| C30B 21/00 | Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3, 2006.01] | Unidirectional solidification of eutectic materials [3, 2006.01] |
| C30B 21/02 | . | durch einfaches Gießen oder Kühlen mit Temperaturgradient [3, 2006.01] |
| . | by normal casting or gradient freezing [3, 2006.01] |
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| C30B 21/04 | . | durch Zonenschmelzen [3, 2006.01] |
| . | by zone-melting [3, 2006.01] |
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| C30B 21/06 | . | durch Ziehen aus einer Schmelze [3, 2006.01] |
| . | by pulling from a melt [3, 2006.01] |
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| C30B 23/00 | Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen [3, 2006.01] | Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials [3, 2006.01] |
| C30B 23/02 | . | Epitaktisches Schichtenwachstum [3, 2006.01] |
| . | Epitaxial-layer growth [3, 2006.01] |
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| C30B 23/04 | . . | Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3, 2006.01] |
| . . | Pattern deposit, e.g. by using masks [3, 2006.01] |
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| C30B 23/06 | . . | Erhitzen der Abscheidekammer, des Substrats oder der zu verdampfenden Stoffe [3, 2006.01] |
| . . | Heating of the deposition chamber, the substrate, or the materials to be evaporated [3, 2006.01] |
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| C30B 23/08 | . . | durch Niederschlagen von ionisierten Dämpfen (durch reaktives Sputtering C30B 25/06) [3, 2006.01] |
| . . | by condensing ionised vapours (by reactive sputtering C30B 25/06) [3, 2006.01] |
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| C30B 25/00 | Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion [3, 2006.01] | Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour deposition growth [3, 2006.01] |
| C30B 25/02 | . | Epitaktisches Schichtenwachstum [3, 2006.01] |
| . | Epitaxial-layer growth [3, 2006.01] |
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| C30B 25/04 | . . | Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3, 2006.01] |
| . . | Pattern deposit, e.g. by using masks [3, 2006.01] |
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| C30B 25/06 | . . | durch reaktives Sputtering [3, 2006.01] |
| . . | by reactive sputtering [3, 2006.01] |
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| C30B 25/08 | . . | Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3, 2006.01] |
| . . | Reaction chambers; Selection of materials therefor [3, 2006.01] |
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| C30B 25/10 | . . | Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats [3, 2006.01] |
| . . | Heating of the reaction chamber or the substrate [3, 2006.01] |
|
| C30B 25/12 | . . | Substrathalter oder Substratträger [3, 2006.01] |
| . . | Substrate holders or susceptors [3, 2006.01] |
|
| C30B 25/14 | . . | Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3, 2006.01] |
| . . | Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases [3, 2006.01] |
|
| C30B 25/16 | . . | Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3, 2006.01] |
| . . | Controlling or regulating (controlling or regulating in general G05) [3, 2006.01] |
|
| C30B 25/18 | . . | gekennzeichnet durch das Substrat [3, 2006.01] |
| . . | characterised by the substrate [3, 2006.01] |
|
| C30B 25/20 | . . . | wobei das Substrat aus denselben Stoffen wie die epitaktische Schicht ist [3, 2006.01] |
| . . . | the substrate being of the same materials as the epitaxial layer [3, 2006.01] |
|
| C30B 25/22 | . . | Sandwich-Verfahren [3, 2006.01] |
| . . | Sandwich processes [3, 2006.01] |
|
| |
|
|
| C30B 27/00 | Einkristallwachstum unter einem schützenden Fluid [3, 2006.01] | Single-crystal growth under a protective fluid [3, 2006.01] |
| C30B 27/02 | . | durch Ziehen aus einer Schmelze [3, 2006.01] |
| . | by pulling from a melt [3, 2006.01] |
|
| C30B 28/00 | Herstellung von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [5, 2006.01] | Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure [5, 2006.01] |
| C30B 28/02 | . | direkt aus dem festen Zustand [5, 2006.01] |
| . | directly from the solid state [5, 2006.01] |
|
| C30B 28/04 | . | aus Flüssigkeiten [5, 2006.01] |
| . | from liquids [5, 2006.01] |
|
| C30B 28/06 | . . | durch normales Ausfrieren oder Ausfrieren unter einem Temperaturgradienten [5, 2006.01] |
| . . | by normal freezing or freezing under temperature gradient [5, 2006.01] |
|
| C30B 28/08 | . . | durch Zonenschmelzen [5, 2006.01] |
| . . | by zone-melting [5, 2006.01] |
|
| C30B 28/10 | . . | durch Ziehen aus einer Schmelze [5, 2006.01] |
| . . | by pulling from a melt [5, 2006.01] |
|
| C30B 28/12 | . | direkt aus dem Gaszustand [5, 2006.01] |
| . | directly from the gas state [5, 2006.01] |
|
| C30B 28/14 | . . | durch chemische Reaktion reaktionsfähiger Gase [5, 2006.01] |
| . . | by chemical reaction of reactive gases [5, 2006.01] |
|
| C30B 29/00 | Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form [3, 5, 2006.01] | Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape [3, 5, 2006.01] |
| C30B 29/02 | | |
| C30B 29/04 | | |
| C30B 29/06 | . . | Silicium [3, 2006.01] |
| |
| C30B 29/08 | . . | Germanium [3, 2006.01] |
| . . | Germanium [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/10 | . | Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen [3, 2006.01] |
| . | Inorganic compounds or compositions [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/12 | . . | Halogenide [3, 2006.01] |
| |
| C30B 29/14 | . . | Phosphate [3, 2006.01] |
| . . | Phosphates [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/16 | | |
| C30B 29/18 | | . . . | Quartz [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/20 | . . . | Aluminiumoxide [3, 2006.01] |
| . . . | Aluminium oxides [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/22 | . . . | Zusammengesetzte Oxide [3, 2006.01] |
| . . . | Complex oxides [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/24 | . . . . | der Formel AMeO3 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Orthoferrite [3, 2006.01] |
| . . . . | with formula AMeO3, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al, e.g. ortho ferrites [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/26 | . . . . | der Formel BMe2O4 , wobei B ist Mg, Ni, Co, Al, Zn oder Cd, und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al [3, 2006.01] |
| . . . . | with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/28 | . . . . | der Formel A3 Me5O12 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Granate [3, 2006.01] |
| . . . . | with formula A3Me5O12, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/30 | . . . . | Niobate; Vanadate; Tantalate [3, 2006.01] |
| . . . . | Niobates; Vanadates; Tantalates [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/32 | . . . . | Titanate; Germanate; Molybdate; Wolframate [3, 2006.01] |
| . . . . | Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/34 | . . | Silicate [3, 2006.01] |
| . . | Silicates [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/36 | | . . | Carbides [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/38 | | . . | Nitrides [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/40 | . . | AIIIBV-Verbindungen [3, 2006.01] |
| . . | AIIIBV compounds [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/42 | . . . | Galliumarsenid [3, 2006.01] |
| . . . | Gallium arsenide [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/44 | . . . | Galliumphosphid [3, 2006.01] |
| . . . | Gallium phosphide [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/46 | . . | Schwefel, Selen oder Tellur enthaltende Verbindungen [3, 2006.01] |
| . . | Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/48 | . . . | AIIBVI-Verbindungen [3, 2006.01] |
| . . . | AIIBVI compounds [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/50 | . . . . | Cadmiumsulfid [3, 2006.01] |
| . . . . | Cadmium sulfide [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/52 | . . | Legierungen [3, 2006.01] |
| |
| C30B 29/54 | . | Organische Verbindungen [3, 2006.01] |
| . | Organic compounds [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/56 | . . | Tartrate [3, 2006.01] |
| . . | Tartrates [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/58 | . . | Makromolekulare Verbindungen [3, 2006.01] |
| . . | Macromolecular compounds [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/60 | . | gekennzeichnet durch die Form [3, 2006.01] |
| . | characterised by shape [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/62 | . . | Whisker oder Nadeln [3, 2006.01] |
| . . | Whiskers or needles [3, 2006.01] |
|
| C30B 29/64 | . . | Flache Kristalle, z.B. Platten, Bänder oder Scheiben [5, 2006.01] |
| . . | Flat crystals, e.g. plates, strips or discs [5, 2006.01] |
|
| C30B 29/66 | . . | Kristalle komplexer geometrischer Form, z.B. Rohre, Zylinder [5, 2006.01] |
| . . | Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders [5, 2006.01] |
|
| C30B 29/68 | . . | Kristalle mit Schichtstrukturen, z.B. "Übergitter" ["Superlattices"] [5, 2006.01] |
| . . | Crystals with laminate structure, e.g. "superlattices" [5, 2006.01] |
|
| C30B 30/00 | Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur durch Anwendung von elektrischen oder magnetischen Feldern, Schwingungsenergie oder unter Anwendung sonstiger spezieller physikalischer Bedingungen [5, 2006.01] | Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions [5, 2006.01] |
| C30B 30/02 | . | durch Anwendung elektrischer Felder, z.B. Elektrolyse [5, 2006.01] |
| . | using electric fields, e.g. electrolysis [5, 2006.01] |
|
| C30B 30/04 | . | durch Anwendung magnetischer Felder [5, 2006.01] |
| . | using magnetic fields [5, 2006.01] |
|
| C30B 30/06 | . | durch Anwendung mechanischer Schwingungen [5, 2006.01] |
| . | using mechanical vibrations [5, 2006.01] |
|
| C30B 30/08 | . | unter Schwerelosigkeit oder geringer Schwerkraft [5, 2006.01] |
| . | in conditions of zero-gravity or low gravity [5, 2006.01] |
|
| C30B 31/00 | Diffusionsverfahren oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Vorrichtungen dafür [3, 5, 2006.01] | Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor [3, 5, 2006.01] |
| C30B 31/02 | . | durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in festem Zustand [3, 2006.01] |
| . | by contacting with diffusion materials in the solid state [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/04 | . | durch Kontaktieren mit Diffusionsstoffen im flüssigen Zustand [3, 2006.01] |
| . | by contacting with diffusion materials in the liquid state [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/06 | . | durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in gasförmigem Zustand [3, 2006.01] |
| . | by contacting with diffusion material in the gaseous state [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/08 | . . | wobei die Diffusionsstoffe Verbindungen der zu diffundierenden Elemente sind [3, 2006.01] |
| . . | the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/10 | . . | Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3, 2006.01] |
| . . | Reaction chambers; Selection of materials therefor [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/12 | . . | Heizen der Reaktionskammer [3, 2006.01] |
| . . | Heating of the reaction chamber [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/14 | . . | Substrathalter oder Substratträger [3, 2006.01] |
| . . | Substrate holders or susceptors [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/16 | . . | Zuleitungen und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3, 2006.01] |
| . . | Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/18 | . . | Steuern oder Regeln [3, 2006.01] |
| . . | Controlling or regulating [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/20 | . | Dotieren durch Bestrahlen mit elektromagnetischen Wellen oder durch Teilchenstrahlung [3, 2006.01] |
| . | Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation [3, 2006.01] |
|
| C30B 31/22 | . . | durch Ionen-Implantation [3, 2006.01] |
| . . | by ion-implantation [3, 2006.01] |
|
| C30B 33/00 | Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur (C30B 31/00 hat Vorrang) [3, 5, 2006.01] | After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure (C30B 31/00 takes precedence) [3, 5, 2006.01] |
| C30B 33/02 | | |
| C30B 33/04 | . | durch Anwendung elektrischer oder magnetischer Felder oder von Teilchenstrahlung [5, 2006.01] |
| . | using electric or magnetic fields or particle radiation [5, 2006.01] |
|
| C30B 33/06 | . | Zusammenfügen von Kristallen [5, 2006.01] |
| . | Joining of crystals [5, 2006.01] |
|
| C30B 33/08 | | |
| C30B 33/10 | . . | in Lösungen oder Schmelzen [5, 2006.01] |
| . . | in solutions or melts [5, 2006.01] |
|
| C30B 33/12 | . . | in Gasatmosphäre oder Plasma [5, 2006.01] |
| . . | in gas atmosphere or plasma [5, 2006.01] |
|
| |
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| C30B 35/00 | Vorrichtungen, besonders ausgebildet für Wachstum, Herstellung und Nachbehandlung von Einkristallen oder von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur, soweit nicht anderweitig vorgesehen [3, 5, 2006.01] | Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure [3, 5, 2006.01] |