C	Sektion C — Chemie; Hüttenwesen	CHEMISTRY; METALLURGY
	C30	Züchten von Kristallen [3]	CRYSTAL GROWTH [3]
	C30B	Züchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06); Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B); Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F); Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L, H10); Apparate hierfür [3]	SINGLE-CRYSTAL GROWTH (by using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds, B01J 3/06); UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL (zone-refining of metals or alloys C22B); PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE (casting of metals, casting of other substances by the same processes or devices B22D; working of plastics B29; modifying the physical structure of metals or alloys C21D, C22F); SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE (for producing semiconductor devices or parts thereof H01L, H10); APPARATUS THEREFOR [3]
		Einkristallwachstum aus Flüssigkeiten; gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]	Single-crystal growth from liquids; Unidirectional solidification of eutectic materials [3]
	C30B 15/00	Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3, 2006.01]	Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method (under a protective fluid C30B 27/00) [3, 2006.01]
	C30B 15/20	.  Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3, 2006.01]	.  Controlling or regulating (controlling or regulating in general G05) [3, 2006.01]
	C30B 15/22	. .  Stabilisierung oder Formgebung der Schmelzzone nahe dem gezogenen Kristall; Steuern des Kristallquerschnitts [3, 2006.01]	. .  Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal [3, 2006.01]
	C30B 15/28	. . .  unter Ausnutzung von Gewichtsveränderungen des Kristalls oder der Schmelze, z.B. Flotationsverfahren [Schwimm-Tiegel-Verfahren] [3, 2006.01]	. . .  using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods [3, 2006.01]