H	Sektion H — Elektrotechnik
	H01	Grundlegende elektrische Bauteile
	H01L	Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
	H01L 21/00	Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 21/02	.  Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 21/027	. .  Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfasst [5, 2006.01]
	H01L 21/033	. . .  aus anorganischen Schichten [5, 2006.01]
	H01L 21/04	. .  Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht [2, 2006.01]
	H01L 21/06	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2, 2006.01]
	H01L 21/08	. . . .  Vorbereitung der Grundplatte [2, 2006.01]
	H01L 21/10	. . . .  Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2, 2006.01]
	H01L 21/103	. . . . .  Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2, 2006.01]
	H01L 21/105	. . . . .  Behandlung der Oberfläche der Selenschicht oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2, 2006.01]
	H01L 21/108	. . . . .  Einbau diskreter isolierender Schichten, d.h. nichtgenetischer Sperrschichten [2, 2006.01]
	H01L 21/12	. . . .  Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selenoberfläche oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2, 2006.01]
	H01L 21/14	. . . .  Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2, 2006.01]
	H01L 21/145	. . . . .  Alterung [2, 2006.01]
	H01L 21/16	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Iodid [2, 2006.01]
	H01L 21/18	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7, 2006.01]
	H01L 21/20	. . . .  Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]
	H01L 21/203	. . . . .  durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]
	H01L 21/205	. . . . .  durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]
	H01L 21/208	. . . . .  durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]
	H01L 21/22	. . . .  Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen [2, 2006.01]
	H01L 21/223	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]
	H01L 21/225	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]
	H01L 21/228	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]
	H01L 21/24	. . . .  Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]
	H01L 21/26	. . . .  Beschuss mit Wellenstrahlung oder Korpuskularstrahlung [2, 2006.01]
	H01L 21/261	. . . . .  um durch Kernumwandlung transmutierte chemische Elemente zu erzeugen [6, 2006.01]
	H01L 21/263	. . . . .  mit hochenergetischer Strahlung (H01L 21/261 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/265	. . . . . .  wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]
	H01L 21/266	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]
	H01L 21/268	. . . . . .  mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]
	H01L 21/28	. . . .  Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2, 2006.01]
	H01L 21/283	. . . . .  Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]
	H01L 21/285	. . . . . .  aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]
	H01L 21/288	. . . . . .  aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]
	H01L 21/30	. . . .  Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2, 2006.01]
	H01L 21/301	. . . . .  zur Unterteilung eines Halbleiterkörpers in Einzelelemente (Sägen, Schneiden H01L 21/304) [6, 2006.01]
	H01L 21/302	. . . . .  zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]
	H01L 21/304	. . . . . .  Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]
	H01L 21/306	. . . . . .  Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31; Nachbehandlung isoliernder Schichten H01L 21/3105) [2, 2006.01]
	H01L 21/3063	. . . . . . .  Elektrolytisches Ätzen [6, 2006.01]
	H01L 21/3065	. . . . . . .  Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen [6, 2006.01]
	H01L 21/308	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken (H01L 21/3063 , H01L 21/3065 haben Vorrang) [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/31	. . . . .  zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/3105	. . . . . .  Nachbehandlung [5, 2006.01]
	H01L 21/311	. . . . . . .  Ätzen isolierender Schichten [5, 2006.01]
	H01L 21/3115	. . . . . . .  Dotieren isolierender Schichten [5, 2006.01]
	H01L 21/312	. . . . . .  Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/314	. . . . . .  Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/316	. . . . . . .  zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]
	H01L 21/318	. . . . . . .  zusammengesetzt aus Nitriden [2, 2006.01]
	H01L 21/32	. . . . . .  unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/3205	. . . . . .  Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]
	H01L 21/321	. . . . . . .  Nachbehandlung [5, 2006.01]
	H01L 21/3213	. . . . . . . .  Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen [6, 2006.01]
	H01L 21/3215	. . . . . . . .  Dotieren der Schichten [5, 2006.01]
	H01L 21/322	. . . . .  zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2, 2006.01]
	H01L 21/324	. . . . .  Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/322 haben Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 21/326	. . . . .  Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/324 haben Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 21/328	. . . .  Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5, 2006.01]
	H01L 21/329	. . . . .  bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5, 2006.01]
	H01L 21/33	. . . . .  bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5, 2006.01]
	H01L 21/331	. . . . . .  Transistoren [5, 2006.01]
	H01L 21/332	. . . . . .  Thyristoren [5, 2006.01]
	H01L 21/334	. . . .  Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5, 2006.01]
	H01L 21/335	. . . . .  Feldeffekt-Transistoren [5, 2006.01]
	H01L 21/336	. . . . . .  mit einem isolierten Gate [5, 2006.01]
	H01L 21/337	. . . . . .  mit einem PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]
	H01L 21/338	. . . . . .  mit einem Schottky-Gate [5, 2006.01]
	H01L 21/339	. . . . .  Bauelemente mit Ladungsübertragung [5, 6, 2006.01]
	H01L 21/34	. . .  Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfasst, mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 2006.01]
	H01L 21/36	. . . .  Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]
	H01L 21/363	. . . . .  durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]
	H01L 21/365	. . . . .  durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]
	H01L 21/368	. . . . .  durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]
	H01L 21/38	. . . .  Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
	H01L 21/383	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]
	H01L 21/385	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]
	H01L 21/388	. . . . .  durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]
	H01L 21/40	. . . .  Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]
	H01L 21/42	. . . .  Beschuss mit Strahlung [2, 2006.01]
	H01L 21/423	. . . . .  mit hochenergetischer Strahlung [2, 2006.01]
	H01L 21/425	. . . . . .  wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]
	H01L 21/426	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]
	H01L 21/428	. . . . . .  mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]
	H01L 21/44	. . . .  Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2, 2006.01]
	H01L 21/441	. . . . .  Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]
	H01L 21/443	. . . . . .  aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]
	H01L 21/445	. . . . . .  aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]
	H01L 21/447	. . . . .  unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 21/449	. . . . .  unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]
	H01L 21/46	. . . .  Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2, 2006.01]
	H01L 21/461	. . . . .  zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z.B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2, 2006.01]
	H01L 21/463	. . . . . .  Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2, 2006.01]
	H01L 21/465	. . . . . .  Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2, 2006.01]
	H01L 21/467	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [2, 2006.01]
	H01L 21/469	. . . . . .  zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/47	. . . . . . .  Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/471	. . . . . . .  Anorganische Schichten (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/473	. . . . . . . .  zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]
	H01L 21/475	. . . . . . .  unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]
	H01L 21/4757	. . . . . . .  Nachbehandlung [5, 2006.01]
	H01L 21/4763	. . . . . .  Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]
	H01L 21/477	. . . . .  Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/475 haben Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 21/479	. . . . .  Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/477 haben Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 21/48	. . .  Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind [2, 2006.01]
	H01L 21/50	. . .  Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2, 2006.01]
	H01L 21/52	. . . .  Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2, 2006.01]
	H01L 21/54	. . . .  Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z.B. Gasfüllungen [2, 2006.01]
	H01L 21/56	. . . .  Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge [2, 2006.01]
	H01L 21/58	. . . .  Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2, 2006.01]
	H01L 21/60	. . . .  Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2, 2006.01]
	H01L 21/603	. . . . .  unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 21/607	. . . . .  unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]
	H01L 21/62	. .  Bauelemente ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2006.01]
	H01L 21/64	.  Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen davon, die nicht in einer der Gruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehenen sind [2, 2006.01]
	H01L 21/66	.  Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung [2, 2006.01]
	H01L 21/67	.  Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen [2006.01]
	H01L 21/673	. .  unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme [2006.01]
	H01L 21/677	. .  zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen [2006.01]
	H01L 21/68	. .  zum Positionieren, Orientieren oder Justieren [2, 2006.01]
	H01L 21/683	. .  zum Aufnehmen oder Greifen (zum Positionieren, Orientieren oder Justieren H01L 21/68) [2006.01]
	H01L 21/687	. . .  mit mechanischen Mitteln, z.B. Haltevorrichtungen, Klemmvorrichtungen oder Pressvorrichtungen [2006.01]
	H01L 21/70	.  Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2, 2006.01]
	H01L 21/71	. .  Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L 21/70 definierten Bauelementanordnungen (H01L 21/28 , H01L 21/44 , H01L 21/48 haben Vorrang) [6, 2006.01]
	H01L 21/74	. . .  Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z.B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2, 2006.01]
	H01L 21/76	. . .  Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen [2, 2006.01]
	H01L 21/761	. . . .  PN-Übergänge [6, 2006.01]
	H01L 21/762	. . . .  Dielektrische Bereiche [6, 2006.01]
	H01L 21/763	. . . .  Polykristalline Halbleiterbereiche [6, 2006.01]
	H01L 21/764	. . . .  Luftspalte [6, 2006.01]
	H01L 21/765	. . . .  durch Feldeffekt isolierende Bereiche [6, 2006.01]
	H01L 21/768	. . .  Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen [6, 2006.01]
	H01L 21/77	. .  Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind (EPROM-Speicher oder mehrstufige Herstellungsverfahren hierfür H01L 27/115) [6, 2006.01, 2017.01]
	H01L 21/78	. . .  mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/782	. . . .  zur Herstellung von Bauelementen, die aus einem einzelnen Schaltungselement bestehen (H01L 21/82 hat Vorrang) [6, 2006.01]
	H01L 21/784	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiterkörper ist [6, 2006.01]
	H01L 21/786	. . . . .  wobei das Substrat kein Halbleiterkörper, z.B. ein Isolierkörper, ist [6, 2006.01]
	H01L 21/82	. . . .  zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2, 2006.01]
	H01L 21/822	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
	H01L 21/8222	. . . . . .  Bipolar-Technologie [6, 2006.01]
	H01L 21/8224	. . . . . . .  Kombination von Vertikaltransistoren und Lateraltransistoren [6, 2006.01]
	H01L 21/8226	. . . . . . .  MTL-Logik [Merged Transistor Logic] oder J2 L-Logik [Integrierte Injektionslogik] [6, 2006.01]
	H01L 21/8228	. . . . . . .  Komplementäre Bauelemente, z.B. komplementäre Transistoren [6, 2006.01]
	H01L 21/8229	. . . . . . .  Speicher-Strukturen [6, 2006.01]
	H01L 21/8232	. . . . . .  Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]
	H01L 21/8234	. . . . . . .  MIS-Technologie [6, 2006.01]
	H01L 21/8236	. . . . . . . .  Kombination von Transistoren vom Anreicherungstyp und Verarmungstyp [6, 2006.01]
	H01L 21/8238	. . . . . . . .  Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6, 2006.01]
	H01L 21/8239	. . . . . . . .  Speicher-Strukturen [6, 2006.01]
	H01L 21/8242	. . . . . . . . .  Strukturen für dynamische RAM-Speicher [DRAM] [6, 2006.01]
	H01L 21/8244	. . . . . . . . .  Strukturen für statische RAM-Speicher [SRAM] [6, 2006.01]
	H01L 21/8246	. . . . . . . . .  Strukturen für ROM-Speicher [6, 2006.01]
	H01L 21/8248	. . . . . .  Kombination von Bipolar- und Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]
	H01L 21/8249	. . . . . . .  Bipolar- und MOS-Technologie [6, 2006.01]
	H01L 21/8252	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und III-V-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
	H01L 21/8254	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und II-VI-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
	H01L 21/8256	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Technologien verwendet werden, die nicht von einer der Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 oder H01L 21/8254 umfasst werden (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
	H01L 21/8258	. . . . .  wobei das Substrat ein Halbleiter ist und eine Kombination von Technologien aus den Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 , H01L 21/8254 oder H01L 21/8256 verwendet wird [6, 2006.01]
	H01L 21/84	. . . . .  wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/86	. . . . . .  wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z.B. eine Struktur Silicium auf Saphir, d.h. SOS [2, 6, 2006.01]
	H01L 21/98	. .  Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen; Zusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/00	Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/02	.  Gehäuse; Abdichtungen (H01L 23/12 , H01L 23/34 , H01L 23/48 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/04	. .  gekennzeichnet durch die Form [2, 2006.01]
	H01L 23/043	. . .  Gehäuse mit einem Hohlraum und einer leitenden Grundplatte, die als Montagesockel und als Zuleitung für den Halbleiterkörper dient [5, 2006.01]
	H01L 23/045	. . . .  wobei die anderen Zuleitungen isolierte Durchführungen durch die Grundplatte aufweisen [5, 2006.01]
	H01L 23/047	. . . .  wobei die anderen Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5, 2006.01]
	H01L 23/049	. . . .  wobei die anderen Zuleitungen senkrecht zur Grundplatte angeordnet sind [5, 2006.01]
	H01L 23/051	. . . .  wobei eine andere Zuleitung aus einer parallel zur Grundplatte angeordneter Deckplatte besteht, z.B. Sandwich-Typ [5, 2006.01]
	H01L 23/053	. . .  Gehäuse mit einem Hohlraum und mit einer isolierenden Grundplatte als Montagesockel für den Halbleiterkörper [5, 2006.01]
	H01L 23/055	. . . .  wobei die Zuleitungen durch die Grundplatte gehen [5, 2006.01]
	H01L 23/057	. . . .  wobei die Zuleitungen parallel zur Grundplatte angeordnet sind [5, 2006.01]
	H01L 23/06	. .  gekennzeichnet durch das Material des Gehäuses oder dessen elektrische Eigenschaften [2, 2006.01]
	H01L 23/08	. . .  wobei das Material ein elektrischer Isolator ist, z.B. Glas [2, 2006.01]
	H01L 23/10	. .  gekennzeichnet durch das Material oder die Anordnung der Abdichtung zwischen Teilen, z.B. zwischen den Gehäusekappen und der Grundplatte oder zwischen den Leitern und den Gehäusewänden [2, 2006.01]
	H01L 23/12	.  Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate [2, 2006.01]
	H01L 23/13	. .  gekennzeichnet durch die Form [5, 2006.01]
	H01L 23/14	. .  gekennzeichnet durch das Material oder dessen elektrische Eigenschaften [2, 2006.01]
	H01L 23/15	. . .  Substrate aus Keramik oder Glas [5, 2006.01]
	H01L 23/16	.  Füllungen oder Hilfsmittel im Gehäuse, z.B. Zentrierringe (H01L 23/42 , H01L 23/552 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/18	. .  Füllungen gekennzeichnet durch das Material oder dessen physikalische oder chemische Eigenschaften oder dessen Anordnung innerhalb des vollständigen Bauelements [2, 2006.01]
	H01L 23/20	. . .  gasförmig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2, 2006.01]
	H01L 23/22	. . .  flüssig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2, 2006.01]
	H01L 23/24	. . .  fest oder gelartig bei der normalen Betriebstemperatur des Bauelements [2, 2006.01]
	H01L 23/26	. . .  mit Materialien, die Feuchtigkeit oder andere unerwünschte Substanzen absorbieren oder mit ihnen reagieren [2, 2006.01]
	H01L 23/28	.  Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge (H01L 23/552 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/29	. .  gekennzeichnet durch das Material [5, 2006.01]
	H01L 23/31	. .  gekennzeichnet durch die Anordnung [5, 2006.01]
	H01L 23/32	.  Befestigungsvorrichtungen zur Halterung des vollständigen Bauelements beim Betrieb, z.B. lösbare Befestigungen (H01L 23/40 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/34	.  Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/36	. .  Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken [2, 2006.01]
	H01L 23/367	. . .  wobei die Kühlung durch die Form des Bauelements bewirkt wird [5, 2006.01]
	H01L 23/373	. . .  wobei die Kühlung durch das gewählte Material des Bauelements bewirkt wird [5, 2006.01]
	H01L 23/38	. .  Kühleinrichtungen, die vom Peltier-Effekt Gebrauch machen [2, 2006.01]
	H01L 23/40	. .  Montagemittel oder Befestigungsmittel für lösbare Kühleinrichtungen oder Heizeinrichtungen [2, 2006.01]
	H01L 23/42	. .  Füllungen oder Hilfsmittel in den Gehäusen, die so ausgewählt oder angeordnet sind, dass sie die Heizwirkung oder Kühlwirkung erhöhen [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/427	. . .  Kühlung durch Zustandsänderung, z.B. Verwendung von Wärmerohren [5, 2006.01]
	H01L 23/433	. . .  Hilfsmittel, gekennzeichnet durch ihre Form, z.B. Stempel [5, 2006.01]
	H01L 23/44	. .  das vollständige Bauelement ist ganz in ein Gas oder eine Flüssigkeit - außer Luft - eingetaucht (H01L 23/427 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/46	. .  unter Ausnützung der Wärmeübertragung durch strömende Gase oder Flüssigkeiten (H01L 23/42 , H01L 23/44 haben Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 23/467	. . .  durch strömende Gase, z.B. Luft [5, 2006.01]
	H01L 23/473	. . .  durch strömende Flüssigkeiten [5, 2006.01]
	H01L 23/48	.  Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse [2, 2006.01]
	H01L 23/482	. .  bestehend aus Zuleitungsschichten, die untrennbar auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind [5, 2006.01]
	H01L 23/485	. . .  die schichtweise aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut sind, z.B. Planar- Kontakte [5, 2006.01]
	H01L 23/488	. .  bestehend aus gelöteten oder gebondeten Anordnungen [5, 2006.01]
	H01L 23/49	. . .  drahtförmig [5, 2006.01]
	H01L 23/492	. . .  Träger oder Platten [5, 2006.01]
	H01L 23/495	. . .  Leiterrahmen [5, 2006.01]
	H01L 23/498	. . .  Leiter auf isolierenden Substraten [5, 2006.01]
	H01L 23/50	. .  für integrierte Schaltungsanordnungen (H01L 23/482-H01L 23/498 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
	H01L 23/52	.  Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen [2, 2006.01]
	H01L 23/522	. .  einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind [5, 2006.01]
	H01L 23/525	. . .  mit anpassbaren Verbindungsleitungen [5, 2006.01]
	H01L 23/528	. . .  Topografie der Verbindungsleitungen [5, 2006.01]
	H01L 23/532	. . .  gekennzeichnet durch die Materialien [5, 2006.01]
	H01L 23/535	. .  einschließlich interner Verbindungsleitungen, z.B. Unterkreuzungen [5, 2006.01]
	H01L 23/538	. .  wobei die Verbindungsleitungen zwischen mehreren Halbleiterbauelementen auf oder in isolierenden Substraten angeordnet sind [5, 2006.01]
	H01L 23/544	.  Markierungen auf Halbleiterbauelementen, z.B. Markierungen zu Kennzeichnungszwecken, Teststrukturen [5, 2006.01]
	H01L 23/552	.  Schutz gegen Strahlung, z.B. Licht [5, 2006.01]
	H01L 23/556	. .  gegen Alpha-Strahlung [5, 2006.01]
	H01L 23/58	.  Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [5, 2006.01]
	H01L 23/60	. .  Schutz gegen elektrostatische Aufladung oder Entladung, z.B. Faraday-Käfig [5, 2006.01]
	H01L 23/62	. .  Schutz gegen Überstrom oder Überlastung, z.B. Sicherungen, Nebenschlüsse [5, 2006.01]
	H01L 23/64	. .  Impedanz-Anpassung [5, 2006.01]
	H01L 23/66	. . .  Hochfrequenz-Anpassung [5, 2006.01]
	H01L 25/00	Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]
	H01L 25/03	.  wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Baugruppen aus Gleichrichter-Dioden [5, 2006.01]
	H01L 25/04	. .  wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen [2, 2006.01, 2014.01]
	H01L 25/065	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 27/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]
	H01L 25/07	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]
	H01L 25/075	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]
	H01L 25/10	. .  wobei die Bauelemente gesonderte Gehäuse besitzen [2, 2006.01]
	H01L 25/11	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 29/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]
	H01L 25/13	. . .  wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L 33/00 vorgesehen ist [5, 2006.01]
	H01L 25/16	.  wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in zwei oder mehr der Hauptgruppen H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind, z.B. Hybrid- Schaltkreise [2, 2006.01]
	H01L 25/18	.  wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in verschiedenen Untergruppen ein- und derselben Hauptgruppe H01L 27/00-H01L 51/00 vorgesehen sind [5, 2006.01]
	H01L 27/00	Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
	H01L 27/01	.  nur mit passiven Dünnfilmschaltungselementen oder Dickfilmschaltungselementen, die auf einem gemeinsamen isolierenden Substrat ausgebildet sind [3, 2006.01]
	H01L 27/02	.  mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2006.01]
	H01L 27/04	. .  wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2, 2006.01]
	H01L 27/06	. . .  mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration [2, 2006.01]
	H01L 27/07	. . . .  wobei die Schaltungselemente einen gemeinsamen aktiven Bereich haben [5, 2006.01]
	H01L 27/08	. . .  ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art [2, 2006.01]
	H01L 27/082	. . . .  ausschließlich mit bipolaren Schaltungselementen [5, 2006.01]
	H01L 27/085	. . . .  ausschließlich mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5, 2006.01]
	H01L 27/088	. . . . .  wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate sind [5, 2006.01]
	H01L 27/092	. . . . . .  Komplementäre MIS- Feldeffekt-Transistoren [5, 2006.01]
	H01L 27/095	. . . . .  wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem Schottky-Gate sind [5, 2006.01]
	H01L 27/098	. . . . .  wobei die Schaltungselemente Feldeffekt-Transistoren mit einem PN-Sperrschicht-Gate sind [5, 2006.01]
	H01L 27/10	. . .  mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration [2, 2006.01]
	H01L 27/102	. . . .  mit bipolaren Schaltungselementen [5, 2006.01]
	H01L 27/105	. . . .  mit Feldeffekt- Schaltungselementen [5, 2006.01]
	H01L 27/108	. . . . .  Strukturen für dynamische RAM-Speicher [5, 2006.01]
	H01L 27/11	. . . . .  Strukturen für statische RAM-Speicher [5, 2006.01]
	H01L 27/112	. . . . .  Strukturen für ROM-Speicher [5, 2006.01]
	H01L 27/115	. . . . . .  EPROM-Speicher; Mehrstufige Herstellungsverfahren hierfür [5, 2006.01, 2017.01]
	H01L 27/11502	. . . . . . .  mit ferroelektrischen Speicherkondensatoren  [2017.01]
	H01L 27/11504	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht  [2017.01]
	H01L 27/11507	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers  [2017.01]
	H01L 27/11509	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11512	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11514	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die dreidimensionalem Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus  [2017.01]
	H01L 27/11517	. . . . . . .  mit Floating-Gate  [2017.01]
	H01L 27/11519	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht  [2017.01]
	H01L 27/11521	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers (dreidimensionale Anordnungen H01L 27/11551) [2017.01]
	H01L 27/11524	. . . . . . . . .  mit Zellen-Auswahl-Transistoren, z.B. NAND [2017.01]
	H01L 27/11526	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11529	. . . . . . . . .  von Speicherregionen umfassend Zellen-Auswahl-Transistoren, z.B. NAND [2017.01]
	H01L 27/11531	. . . . . . . . .  Simultanes Herstellen von Peripherie und Speicherzellen  [2017.01]
	H01L 27/11534	. . . . . . . . . .  einschließlich nur eines Typs eines peripheren Transistors  [2017.01]
	H01L 27/11536	. . . . . . . . . . .  mit einer Control-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird  [2017.01]
	H01L 27/11539	. . . . . . . . . . .  mit einer dielektrischen Zwischen-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird  [2017.01]
	H01L 27/11541	. . . . . . . . . . .  mit einer Floating-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird  [2017.01]
	H01L 27/11543	. . . . . . . . . . .  mit einer dielektrischen Tunnel-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird  [2017.01]
	H01L 27/11546	. . . . . . . . . .  einschließlich verschiedener Typen von peripheren Transistoren  [2017.01]
	H01L 27/11548	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11551	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus  [2017.01]
	H01L 27/11553	. . . . . . . . .  mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen  [2017.01]
	H01L 27/11556	. . . . . . . . . .  mit Kanälen, die vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2017.01]
	H01L 27/11558	. . . . . . . .  wobei das Control-Gate eine dotierte Region ist, z.B. Single-Poly-Speicherzellen  [2017.01]
	H01L 27/1156	. . . . . . . .  wobei das Floating-Gate eine Elektrode ist, die von mehreren Komponenten geteilt wird  [2017.01]
	H01L 27/11563	. . . . . . .  mit Gate-Isolatoren zum Ladungseinfang, z.B. MNOS oder NROM  [2017.01]
	H01L 27/11565	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht  [2017.01]
	H01L 27/11568	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers  (dreidimensionale Anordnungen H01L 27/11578) [2017.01]
	H01L 27/1157	. . . . . . . . .  mit Zellen-Auswahl-Transistoren, z.B. NAND  [2017.01]
	H01L 27/11573	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11575	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11578	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus  [2017.01]
	H01L 27/1158	. . . . . . . . .  mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen  [2017.01]
	H01L 27/11582	. . . . . . . . . .  mit Kanälen, die vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2017.01]
	H01L 27/11585	. . . . . . .  mit Gate-Elektroden umfassend eine Schicht, die wegen ihrer ferroelektrischen Speichereigenschaften verwendet wird, z.B. Metall-Ferroelektrikum-Halbleiter [MFS] oder Metall-Ferroelektrikum-Metall-Isolator-Halbleiter [MFMIS]  [2017.01]
	H01L 27/11587	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht  [2017.01]
	H01L 27/1159	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers  [2017.01]
	H01L 27/11592	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11595	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung  [2017.01]
	H01L 27/11597	. . . . . . . .  gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus  [2017.01]
	H01L 27/118	. . . .  integrierte Masterslice- Schaltungen [5, 2006.01]
	H01L 27/12	. .  wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper [2, 2006.01]
	H01L 27/13	. . .  kombiniert mit passiven Dünnfilmschaltungselementen oder Dickfilmschaltungselementen [3, 2006.01]
	H01L 27/14	.  mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung (strahlungsempfindliche Schaltungselemente, die nur mit einer oder mehreren Lichtquellen baulich verbunden sind H01L 31/14; Verbindungen für Lichtleiter mit optoelektronischen Bauelementen G02B 6/42) [2, 2006.01]
	H01L 27/142	. .  Bauelemente zur Energie-Umwandlung ( Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von einzelnen Photovoltaik-Zellen, umfassend Bypass-Dioden, welche mit den Bauelementen integriert oder direkt verbunden sind H01L 31/0443;  Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind H01L 31/046) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 27/144	. .  Strahlungsgesteuerte Bauelemente [5, 2006.01]
	H01L 27/146	. . .  Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten [5, 2006.01]
	H01L 27/148	. . . .  Ladungsgekoppelte Bildaufnahmeeinheiten [5, 2006.01]
	H01L 27/15	.  mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission [2, 2006.01]
	H01L 27/16	.  mit thermoelektrischen Schaltungselementen mit oder ohne Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; mit thermomagnetischen Schaltungselementen (unter Ausnutzung des Peltier-Effektes nur zum Kühlen von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen H01L 23/38) [2, 2006.01]
	H01L 27/18	.  mit Schaltungselementen, die Supraleitung zeigen [2, 2006.01]
	H01L 27/20	.  mit piezoelektrischen Schaltungselementen; mit elektrostriktiven Schaltungselementen; mit magnetostriktiven Schaltungselementen [2, 7, 2006.01]
	H01L 27/22	.  mit Schaltungselementen, die galvanomagnetische Effekte, z.B. den Hall-Effekt, ausnutzen; die ähnliche Magnetfeld-Effekte ausnutzen [2, 2006.01]
	H01L 27/24	.  mit Festkörperschaltungselementen zum Gleichrichten, Verstärken oder Schalten ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2006.01]
	H01L 27/26	.  mit Schaltungselementen, die einen durch einen Volumen-Effekt bedingten negativen Widerstand zeigen [2, 2006.01]
	H01L 27/28	.  mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen [2006.01]
	H01L 27/30	. .  mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01]
	H01L 27/32	. .  mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. Flachbildschirme mit organischen LED [2006.01]
	H01L 29/00	Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 , H01L 51/05 haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/02	.  Halbleiterkörper [2, 2006.01]
	H01L 29/04	. .  gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch oder besondere Orientierung von Kristallflächen (gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler H01L 29/30) [2, 2006.01]
	H01L 29/06	. .  gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2, 2006.01]
	H01L 29/08	. . .  mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]
	H01L 29/10	. . .  mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]
	H01L 29/12	. .  gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2, 2006.01]
	H01L 29/15	. . .  Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6, 2006.01]
	H01L 29/16	. . .  nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
	H01L 29/161	. . . .  mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2, 2006.01]
	H01L 29/165	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
	H01L 29/167	. . . .  ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
	H01L 29/18	. . .  nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
	H01L 29/20	. . .  nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/201	. . . .  mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]
	H01L 29/205	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
	H01L 29/207	. . . .  ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
	H01L 29/22	. . .  nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
	H01L 29/221	. . . .  mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]
	H01L 29/225	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
	H01L 29/227	. . . .  ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
	H01L 29/24	. . .  nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 oder H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
	H01L 29/26	. . .  nur mit Elementen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/24 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
	H01L 29/267	. . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
	H01L 29/30	. .  gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler; mit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2, 2006.01]
	H01L 29/32	. . .  mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2, 2006.01]
	H01L 29/34	. . .  mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2, 2006.01]
	H01L 29/36	. .  gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2, 2006.01]
	H01L 29/38	. .  gekennzeichnet durch die Kombination von Merkmalen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/04 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/30 , H01L 29/36 vorgesehen sind [2, 2006.01]
	H01L 29/40	.  Elektroden [2, 2006.01]
	H01L 29/41	. .  gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6, 2006.01]
	H01L 29/417	. . .  wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6, 2006.01]
	H01L 29/423	. . .  wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6, 2006.01]
	H01L 29/43	. .  gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6, 2006.01]
	H01L 29/45	. . .  Ohm'sche Elektroden [6, 2006.01]
	H01L 29/47	. . .  Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6, 2006.01]
	H01L 29/49	. . .  Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6, 2006.01]
	H01L 29/51	. . . .  zugeordnete isolierende Materialien [6, 2006.01]
	H01L 29/66	.  Typen von Halbleiterbauelementen [2, 2006.01]
	H01L 29/68	. .  steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 29/70	. . .  Bipolare Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 29/72	. . . .  Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2, 2006.01]
	H01L 29/73	. . . . .  Bipolare Transistoren [5, 2006.01]
	H01L 29/732	. . . . . .  Vertikal-Transistoren [6, 2006.01]
	H01L 29/735	. . . . . .  Lateral-Transistoren [6, 2006.01]
	H01L 29/737	. . . . . .  Hetero-Bipolar-Transistoren [6, 2006.01]
	H01L 29/739	. . . . .  gesteuert durch Feldeffekt [6, 2006.01]
	H01L 29/74	. . . .  Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2, 2006.01]
	H01L 29/744	. . . . .  GTO-Thyristoren [6, 2006.01]
	H01L 29/745	. . . . . .  abschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]
	H01L 29/747	. . . . .  Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2, 2006.01]
	H01L 29/749	. . . . .  einschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]
	H01L 29/76	. . .  Unipolar-Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 29/762	. . . .  Bauelemente mit Ladungsübertragung [6, 2006.01]
	H01L 29/765	. . . . .  Ladungsgekoppelte Bauelemente [6, 2006.01]
	H01L 29/768	. . . . . .  mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6, 2006.01]
	H01L 29/772	. . . .  Feldeffekt-Transistoren [6, 2006.01]
	H01L 29/775	. . . . .  mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6, 2006.01]
	H01L 29/778	. . . . .  mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6, 2006.01]
	H01L 29/78	. . . . .  mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2, 2006.01]
	H01L 29/786	. . . . . .  Dünnfilm-Transistoren [6, 2006.01]
	H01L 29/788	. . . . . .  mit schwebendem Gate [5, 2006.01]
	H01L 29/792	. . . . . .  mit Ladungseinfang im Gate-Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5, 2006.01]
	H01L 29/80	. . . . .  mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2, 2006.01]
	H01L 29/808	. . . . . .  mit PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]
	H01L 29/812	. . . . . .  mit Schottky-Gate [5, 2006.01]
	H01L 29/82	. .  steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/84	. .  steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
	H01L 29/86	. .  steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 29/8605	. . .  Widerstände mit PN-Übergang [6, 2006.01]
	H01L 29/861	. . .  Dioden [6, 2006.01]
	H01L 29/862	. . . .  Spitzendioden [6, 2006.01]
	H01L 29/864	. . . .  Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6, 2006.01]
	H01L 29/866	. . . .  Zener-Dioden [6, 2006.01]
	H01L 29/868	. . . .  PIN-Dioden [6, 2006.01]
	H01L 29/87	. . . .  Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6, 2006.01]
	H01L 29/872	. . . .  Schottky-Dioden [6, 2006.01]
	H01L 29/88	. . . .  Tunnel-Dioden [2, 2006.01]
	H01L 29/885	. . . . .  Esaki-Dioden [6, 2006.01]
	H01L 29/92	. . .  Kondensatoren mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2006.01]
	H01L 29/93	. . . .  Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2, 2006.01]
	H01L 29/94	. . . .  Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2, 2006.01]
	H01L 29/96	. .  von einem Typ, der von mehr als einer der Gruppen H01L 29/68 , H01L 29/82 , H01L 29/84 oder H01L 29/86 umfasst wird [2, 2006.01]
	H01L 31/00	Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/42 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
	H01L 31/02	.  Einzelheiten [2, 2006.01]
	H01L 31/0203	. .  Gehäuse; Einkapselungen ( für photovoltaische Bauelemente H01L 31/048;  für organische lichtempfindliche Bauelemente H01L 51/44) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0216	. .  Beschichtungen, Überzüge (H01L 31/041 hat Vorrang) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0224	. .  Elektroden [5, 2006.01]
	H01L 31/0232	. .  Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind (H01L 31/0236 hat Vorrang;  für photovoltaische Zellen H01L 31/054;  für Photovoltaik [PV]-Module H02S 40/20) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0236	. .  besondere Oberflächen-Texturen [5, 2006.01]
	H01L 31/024	. .  Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation (für photovoltaische Bauelemente H01L 31/052) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0248	.  gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5, 2006.01]
	H01L 31/0256	. .  gekennzeichnet durch das Material [5, 2006.01]
	H01L 31/0264	. . .  Anorganische Materialien [5, 2006.01]
	H01L 31/0272	. . . .  Selen oder Tellur [5, 2006.01]
	H01L 31/028	. . . .  nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
	H01L 31/0288	. . . . .  gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5, 2006.01]
	H01L 31/0296	. . . .  nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5, 2006.01]
	H01L 31/0304	. . . .  nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
	H01L 31/0312	. . . .  nur mit AIVBIV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5, 2006.01]
	H01L 31/032	. . . .  nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
	H01L 31/0328	. . . .  nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
	H01L 31/0336	. . . . .  in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der Gruppe VI des Periodensystems ist [5, 2006.01]
	H01L 31/0352	. .  gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5, 2006.01]
	H01L 31/036	. .  gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5, 2006.01]
	H01L 31/0368	. . .  mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	H01L 31/0376	. . .  mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	H01L 31/0384	. . .  mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	H01L 31/0392	. . .  mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5, 2006.01]
	H01L 31/04	.  eingerichtet für die photovoltaische Energie-Umwandlung, z.B. PV-Module oder einzelne PV-Zellen  (deren Prüfung während der Herstellung H01L 21/66;  deren Prüfung nach der Herstellung H02S 50/10) [2, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/041	. .  Maßnahmen zum Verhindern von Schäden die durch Teilchenstrahlung verursacht werden, z.B. für Weltraum-Anwendungen [2014.01]
	H01L 31/042	. .  PV-Module oder Anordnungen von einzelnen PV-Zellen  ( Tragkonstruktionen für PV-Module H02S 20/00) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/043	. . .  mechanisch gestapelte PV-Zellen [2014.01]
	H01L 31/044	. . .  umfassend Bypass-Dioden  (Bypass-Dioden in Anschlussdosen H02S 40/34) [2014.01]
	H01L 31/0443	. . . .  umfassend Bypass-Dioden, welche mit den Bauelementen integriert oder direkt verbunden sind, z.B. Bypass-Dioden integriert oder gebildet in oder auf demselben Substrat mit den PV-Zellen [2014.01]
	H01L 31/0445	. . .  umfassend Dünnschicht-Solarzellen, z.B. einzelne Dünnschicht- a-Si, CIS oder CdTe-Solarzellen [2014.01]
	H01L 31/046	. . . .  Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind  [2014.01]
	H01L 31/0463	. . . . .  gekennzeichnet durch spezielle Strukturierungsverfahren zum Verbinden der PV-Zellen in einem Modul, z.B. Laserschneiden der leitenden oder aktiven Schichten [2014.01]
	H01L 31/0465	. . . . .  umfassend besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter PV-Zellen in dem Modul (H01L 31/0463 hat Vorrang) [2014.01]
	H01L 31/0468	. . . . .  umfassend bestimmte Mittel zum Erhalten einer partiellen Lichtdurchlässigkeit, z.B. teiltransparente Dünnschicht-Solarmodule für Fenster [2014.01]
	H01L 31/047	. . .  Anordnungen von PV-Zellen umfassend PV-Zellen mit mehreren senkrechten Übergängen oder mit mehreren Übergängen in V-förmigen Gräben, welche in einem Halbleitersubstrat gebildet sind [2014.01]
	H01L 31/0475	. . .  Anordnungen von PV-Zellen gebildet durch Zellen in einer ebenen, z.B. sich wiederholenden, Konfiguration auf einem einzigen Halbleitersubstrat; PV-Zellen-Mikroarrays (Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind H01L 31/046) [2014.01]
	H01L 31/048	. . .  Einkapselung von Modulen [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/049	. . . .  Schützende Rückseitenfolien [2014.01]
	H01L 31/05	. . .  Mittel zur elektrischen Verschaltung zwischen PV-Zellen innerhalb des PV-Moduls, z.B. Serienschaltung von PV-Zellen  ( Elektroden H01L 31/0224;  elektrische Verschaltung von Dünnschicht-Solarzellen gebildet auf einem gemeinsamen Substrat H01L 31/046;  besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter Dünnschicht-Solarzellen in dem Modul H01L 31/0465;  Mittel zur elektrischen Verschaltung besonders ausgebildet für die Verbindung von zwei oder mehreren PV-Modulen H02S 40/36) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/052	. .  Mittel zur Kühlung, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. integrierte Peltier-Elemente für die aktive Kühlung oder direkt mit den PV-Zellen verbundene Wärmesenken  ( Mittel zur Kühlung im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/42) [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/0525	. . .  mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, welche direkt mit der PV-Zelle verbunden sind, z.B. integrierte Seebeck-Elemente [2014.01]
	H01L 31/053	. .  Energiespeichermittel, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. ein mit einer PV-Zelle integrierter Kondensator  (Energiespeichermittel im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/38) [2014.01]
	H01L 31/054	. .  Optische Elemente, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. Mittel zur Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [2014.01]
	H01L 31/055	. . .  wobei Licht von einem optischen Element, welches mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert ist, absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge wieder re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien, fluoreszierender Konzentratoren oder Anordnungen für Hochkonversion  [5, 2006.01, 2014.01]
	H01L 31/056	. . .  wobei die Mittel zur Lichtreflexion vom Typ Rückseitenreflektor [BSR] sind [2014.01]
	H01L 31/06	. .  gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/061	. . .  wobei die Sperrschicht durch einen Punktkontakt gebildet wird (H01L 31/07 hat Vorrang) [2012.01]
	H01L 31/062	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/065	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/068	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird, z.B. Solarzellen aus Bulk-Silicium mit PN-Homoübergang oder Dünnschichtsolarzellen aus polykristallinem Silicium mit PN-Homoübergang [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/0687	. . . .  Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/0693	. . . .  wobei die Bauelemente, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, nur AIIIBV-Verbindungen beinhalten, z.B. GaAs- oder InP-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/07	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/072	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/0725	. . . .  Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/073	. . . .  nur mit AIIBVI-Verbindungshalbleitern, z.B. CdS/CdTe-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/0735	. . . .  nur mit AIIIBV-Verbindungshalbleitern, z.B. GaAs/AlGaAs- oder InP/GaInAs-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/074	. . . .  wobei ein Heteroübergang mit einem Element der Gruppe IV des Periodensystems gebildet wird, z.B. ITO/Si-, GaAs/Si- oder CdTe/Si-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/0745	. . . .  mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/0747	. . . . .  mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht oder HIT®-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/0749	. . . .  mit einer AIBIIICVI-Verbindung, z.B. CdS/CuInSe2 [CIS]-Heteroübergang Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/075	. . .  wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird, z.B. PIN Solarzellen aus amorphem Silicium [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/076	. . . .  Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
	H01L 31/077	. . . .  Bauelemente mit monokristallinen oder polykristallinen Materialien [2012.01]
	H01L 31/078	. . .  mit verschiedenen Arten von Sperrschichten, die in zwei oder mehr Gruppen H01L 31/061-H01L 31/075 vorgesehen sind [5, 2006.01, 2012.01]
	H01L 31/08	.  in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2, 2006.01]
	H01L 31/09	. .  Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5, 2006.01]
	H01L 31/10	. .  gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren [2, 2006.01]
	H01L 31/101	. . .  Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5, 2006.01]
	H01L 31/102	. . . .  gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [5, 2006.01]
	H01L 31/103	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5, 2006.01]
	H01L 31/105	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5, 2006.01]
	H01L 31/107	. . . . .  wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode [5, 2006.01]
	H01L 31/108	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5, 2006.01]
	H01L 31/109	. . . . .  wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5, 2006.01]
	H01L 31/11	. . . .  gekennzeichnet durch zwei Potenzialsprung-Sperrschichten oder Oberflächensperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistor [5, 2006.01]
	H01L 31/111	. . . .  gekennzeichnet durch wenigstens drei Sperrschichten, z.B. Fotothyristor [5, 2006.01]
	H01L 31/112	. . . .  gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5, 2006.01]
	H01L 31/113	. . . . .  mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5, 2006.01]
	H01L 31/115	. . .  Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5, 2006.01]
	H01L 31/117	. . . .  mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5, 2006.01]
	H01L 31/118	. . . .  mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5, 2006.01]
	H01L 31/119	. . . .  gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5, 2006.01]
	H01L 31/12	.  baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5, 2006.01]
	H01L 31/14	. .  mit Steuerung der Lichtquelle oder Lichtquellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler oder Bildverstärker, Bildspeicher [2, 2006.01]
	H01L 31/147	. . .  wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5, 2006.01]
	H01L 31/153	. . . .  ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5, 2006.01]
	H01L 31/16	. .  mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2, 2006.01]
	H01L 31/167	. . .  wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5, 2006.01]
	H01L 31/173	. . . .  ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5, 2006.01]
	H01L 31/18	.  Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 31/20	. .  Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5, 2006.01]
	H01L 33/00	Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
	H01L 33/02	.  charakterisiert durch den Halbleiterkörper [2010.01]
	H01L 33/04	. .  mit Quanteneffektstruktur oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang [2010.01]
	H01L 33/06	. . .  innerhalb des lichtemittierenden Bereichs, z.B. Quantum-Confinement-Struktur oder Tunnelbarriere [2010.01]
	H01L 33/08	. .  mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche  (H01L 27/15 hat Vorrang) [2010.01]
	H01L 33/10	. .  mit lichtreflektierender Struktur, z.B. dielektrischer Bragg-Reflektor [2010.01]
	H01L 33/12	. .  mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht [2010.01]
	H01L 33/14	. .  mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur [2010.01]
	H01L 33/16	. .  mit besonderer Kristallstruktur oder Kristallorientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös [2010.01]
	H01L 33/18	. . .  innerhalb des lichtemittierenden Bereichs [2010.01]
	H01L 33/20	. .  mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate [2010.01]
	H01L 33/22	. . .  Aufgeraute Oberflächen, z.B. an der Grenzfläche zwischen epitaktischen Schichten [2010.01]
	H01L 33/24	. . .  des lichtemittierenden Bereichs, z.B. nicht-planare Übergänge [2010.01]
	H01L 33/26	. .  Materialien des lichtemittierenden Bereichs [2010.01]
	H01L 33/28	. . .  nur Elemente der Gruppen II und VI des Periodensystems enthaltend [2010.01]
	H01L 33/30	. . .  nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend [2010.01]
	H01L 33/32	. . . .  Stickstoff enthaltend [2010.01]
	H01L 33/34	. . .  nur Elemente der Gruppe IV des Periodensystems enthaltend [2010.01]
	H01L 33/36	.  charakterisiert durch die Elektroden  [2010.01]
	H01L 33/38	. .  mit besonderer Form [2010.01]
	H01L 33/40	. .  Materialien hierfür [2010.01]
	H01L 33/42	. . .  transparente Materialien [2010.01]
	H01L 33/44	.  charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen [2010.01]
	H01L 33/46	. .  Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren [2010.01]
	H01L 33/48	.  charakterisiert durch das Gehäuse [2010.01]
	H01L 33/50	. .  Bestandteile zur Wellenlängenkonversion [2010.01]
	H01L 33/52	. .  Einkapselungen [2010.01]
	H01L 33/54	. . .  mit besonderer Form [2010.01]
	H01L 33/56	. . .  Materialien, z.B. Epoxidharze oder Silikonharze [2010.01]
	H01L 33/58	. .  Bestandteile zur Formung optischer Felder [2010.01]
	H01L 33/60	. . .  Reflektierende Bestandteile [2010.01]
	H01L 33/62	. .  Anordnungen für die Zuleitung oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln [2010.01]
	H01L 33/64	. .  Bestandteile zur Wärmeableitung oder zum Kühlen [2010.01]
	H01L 35/00	Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeckeffekt oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer Effekte; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01]
	H01L 35/02	.  Einzelheiten [2, 2006.01]
	H01L 35/04	. .  Bauliche Einzelheiten der Kontaktstelle; Anschlüsse der Zuleitungen [2, 2006.01]
	H01L 35/06	. . .  trennbar, z.B. unter Verwendung einer Feder [2, 2006.01]
	H01L 35/08	. . .  nicht trennbar, z.B. geklebt, gesintert, gelötet [2, 2006.01]
	H01L 35/10	. . .  Anschlüsse der Zuleitungen [2, 2006.01]
	H01L 35/12	.  Auswahl des Materials für die Schenkel an der Kontaktstelle [2, 2006.01]
	H01L 35/14	. .  unter Verwendung von anorganischen Materialien [2, 2006.01]
	H01L 35/16	. . .  mit Tellur oder Selen oder Schwefel [2, 2006.01]
	H01L 35/18	. . .  mit Arsen oder Antimon oder Bismut (H01L 35/16 hat Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 35/20	. . .  nur mit Metallen (H01L 35/16 , H01L 35/18 haben Vorrang) [2, 2006.01]
	H01L 35/22	. . .  mit Bor, Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff enthaltenden Verbindungen [2, 2006.01]
	H01L 35/24	. .  unter Verwendung von organischen Verbindungen [2, 2006.01]
	H01L 35/26	. .  unter Verwendung von Materialien, die sich kontinuierlich oder diskontinuierlich innerhalb des Schenkels ändern [2, 2006.01]
	H01L 35/28	.  nur mit Peltiereffekt oder Seebeckeffekt arbeitend [2, 2006.01]
	H01L 35/30	. .  gekennzeichnet durch die wärmeaustauschenden Mittel an der Kontaktstelle [2, 2006.01]
	H01L 35/32	. .  gekennzeichnet durch den Aufbau oder die Gestaltung der Zelle oder des Thermoelements, die das Bauelement bilden [2, 2006.01]
	H01L 35/34	.  Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 37/00	Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; thermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-Effekts; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01]
	H01L 37/02	.  unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante, z.B. Arbeiten über und unter dem Curiepunkt [2, 2006.01]
	H01L 37/04	.  unter Verwendung der Temperaturabhängigkeit der magnetischen Permeabilität, z.B. über und unter dem Curiepunkt [2, 2006.01]
	H01L 39/00	Bauelemente, die Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungen bestehen H01L 27/00; Supraleiter, gekennzeichnet durch die Technik der Formgebung der keramischen Gegenstände oder die keramische Zusammensetzung C04B 35/00; supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00; supraleitende Spulen oder Wicklungen H01F; Verstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4, 2006.01]
	H01L 39/02	.  Einzelheiten [2, 2006.01]
	H01L 39/04	. .  Gehäuse; Montagesockel [2, 2006.01]
	H01L 39/06	. .  gekennzeichnet durch den Stromweg [2, 2006.01]
	H01L 39/08	. .  gekennzeichnet durch die Form des Elements [2, 2006.01]
	H01L 39/10	. .  gekennzeichnet durch die Vorrichtungen zum Schalten [2, 2006.01]
	H01L 39/12	. .  gekennzeichnet durch das Material [2, 2006.01]
	H01L 39/14	.  Dauernd supraleitende Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 39/16	.  Bauelemente, die zwischen supraleitenden und normalleitenden Zuständen schaltbar sind [2, 2006.01]
	H01L 39/18	. .  Kryotrone [2, 2006.01]
	H01L 39/20	. . .  Hochleistungskryotrone [2, 2006.01]
	H01L 39/22	.  Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, z.B. Josephson-Effekt-Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 39/24	.  Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, soweit diese in H01L 39/00 vorgesehen sind, oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 41/00	Piezoelektrische Bauelemente allgemein; Elektrostriktive Bauelemente allgemein; Magnetostriktive Bauelemente allgemein; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01, 2013.01]
	H01L 41/02	.  Einzelheiten [2, 2006.01]
	H01L 41/04	. .  von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Bauelementen [2, 2006.01]
	H01L 41/047	. . .  Elektroden [6, 2006.01]
	H01L 41/053	. . .  Träger, Halter, Umhüllungen oder Gehäuse [6, 2006.01]
	H01L 41/06	. .  von magnetostriktiven Bauelementen [2, 2006.01]
	H01L 41/08	.  Piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 41/083	. .  stapelförmig oder mehrschichtig aufgebaut [6, 2006.01]
	H01L 41/087	. .  wie koaxiale Kabel gestaltet [6, 2006.01]
	H01L 41/09	. .  mit elektrischer Eingangsgröße und mechanischer Ausgangsgröße [5, 2006.01]
	H01L 41/107	. .  mit elektrischer Eingangsgröße und Ausgangsgröße [5, 2006.01]
	H01L 41/113	. .  mit mechanischer Eingangsgröße und elektrischer Ausgangsgröße [5, 2006.01]
	H01L 41/12	.  Magnetostriktive Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 41/16	.  Auswahl von Materialien [2, 2006.01]
	H01L 41/18	. .  für piezoelektrische oder elektrostriktive Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 41/187	. . .  Keramische Zusammensetzungen [5, 2006.01]
	H01L 41/193	. . .  Makromolekulare Zusammensetzungen [5, 2006.01]
	H01L 41/20	. .  für magnetostriktive Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 41/22	.  Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Fertigung, Herstellung oder Behandlung von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Bauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01, 2013.01]
	H01L 41/23	. .  Bildung von Umhüllungen oder Gehäusen [2013.01]
	H01L 41/25	. .  Fertigung von Bauelementen, die piezoelektrische oder elektrostriktive Teile umfassen [2013.01]
	H01L 41/253	. .  Behandlung von Bauelementen oder Teilen davon zum Modifizieren ihrer piezoelektrischen oder elektrostriktiven Eigenschaften, z.B. Polarisationseigenschaften, Schwingungseigenschaften oder Einstellung des Modus [2013.01]
	H01L 41/257	. . .  durch Polarisation [2013.01]
	H01L 41/27	. .  Herstellung mehrschichtiger piezoelektrischer oder elektrostriktiver Bauelemente oder Teile davon, z.B. durch Stapeln piezoelektrischer Körper und Elektroden [2013.01]
	H01L 41/273	. . .  durch integrales Sintern von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Körpern und Elektroden [2013.01]
	H01L 41/277	. . .  durch Stapeln von losen piezoelektrischen oder elektrostriktiven Körpern und Elektroden [2013.01]
	H01L 41/29	. .  Bildung von Elektroden, elektrischen Leitern oder Anschlussanordnungen  [2013.01]
	H01L 41/293	. . .  Verbindungselektroden mit mehrschichtigen piezoelektrischen oder elektrostriktiven Teilen [2013.01]
	H01L 41/297	. . .  Einzelne Schichtelektroden mit mehrschichtigen piezoelektrischen oder elektrostriktiven Teilen [2013.01]
	H01L 41/31	. .  Aufbringung von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Teilen oder Körpern auf ein elektrisches Bauelement oder eine andere Basis [2013.01]
	H01L 41/311	. . .  Anbringung piezoelektrischer oder elektrostriktiver Teile zusammen mit Halbleiterbauelementen oder anderen Schaltelementen auf einem gemeinsamen Substrat [2013.01]
	H01L 41/312	. . .  durch Laminieren oder Verkleben von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Körpern [2013.01]
	H01L 41/313	. . . .  durch Metallverschmelzung oder mit Klebstoffen [2013.01]
	H01L 41/314	. . .  durch Ablagerung piezoelektrischer oder elektrostriktiver Schichten, z.B. Aerosoltechnik oder Siebdruck [2013.01]
	H01L 41/316	. . . .  durch Gasphasenabscheidung [2013.01]
	H01L 41/317	. . . .  durch Flüssigphasenabscheidung [2013.01]
	H01L 41/318	. . . . .  durch Sol-Gel-Verfahren [2013.01]
	H01L 41/319	. . . .  unter Benutzung von Zwischenschichten, z.B. zur Wachstumskontrolle [2013.01]
	H01L 41/33	. .  Formung und Bearbeitung von piezoelektrischen und elektrostriktiven Körpern [2013.01]
	H01L 41/331	. . .  durch Beschichten oder Ablagern mit Hilfe von Masken, z.B. Lift-off-Verfahren [2013.01]
	H01L 41/332	. . .  durch Ätzen, z.B. Lithografie [2013.01]
	H01L 41/333	. . .  durch Abformen oder Extrusion [2013.01]
	H01L 41/335	. . .  durch Bearbeitung [2013.01]
	H01L 41/337	. . . .  durch Polieren oder Schleifen [2013.01]
	H01L 41/338	. . . .  durch Schneiden oder Vereinzeln [2013.01]
	H01L 41/339	. . . .  durch Stanzen [2013.01]
	H01L 41/35	. .  Bildung von piezoelektrischen oder elektrostriktiven Materialien [2013.01]
	H01L 41/37	. . .  Verbundwerkstoffe [2013.01]
	H01L 41/39	. . .  Anorganische Materialien [2013.01]
	H01L 41/41	. . . .  durch Schmelzen [2013.01]
	H01L 41/43	. . . .  durch Sintern [2013.01]
	H01L 41/45	. . .  Organische Materialien [2013.01]
	H01L 41/47	.  Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Fertigung, Herstellung oder Behandlung von magnetostriktiven Bauelementen oder Teilen davon [2013.01]
	H01L 43/00	Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01]
	H01L 43/02	.  Einzelheiten [2, 2006.01]
	H01L 43/04	. .  von Hall-Effekt-Bauelementen [2, 2006.01]
	H01L 43/06	.  Hall-Effekt-Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 43/08	.  durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände [2, 2006.01]
	H01L 43/10	.  Auswahl von Materialien [2, 2006.01]
	H01L 43/12	.  Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 43/14	. .  für Hall-Effekt-Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 45/00	Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00; piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00; Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2, 2006.01]
	H01L 45/02	.  Festkörper-Wanderfeldbauelemente [2, 2006.01]
	H01L 47/00	Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z.B. Gunn-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01]
	H01L 47/02	.  Gunn-Effekt-Bauelemente [2, 2006.01]
	H01L 49/00	Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und H01L 51/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehen; Verfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]
	H01L 49/02	.  Dünnfilmschaltungselemente oder Dickfilmschaltungselemente [2, 2006.01]
	H01L 51/00	Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen bestehen H01L 27/28; thermoelektrische Bauelemente mit organischem Material H01L 35/00 , H01L 37/00; piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Bauelemente mit organischem Material H01L 41/00) [6, 2006.01]
	H01L 51/05	.  besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2006.01]
	H01L 51/10	. .  Einzelheiten der Bauelemente [6, 2006.01]
	H01L 51/30	. .  Materialauswahl [6, 2006.01]
	H01L 51/40	. .  Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [6, 2006.01]
	H01L 51/42	.  besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung [2006.01]
	H01L 51/44	. .  Einzelheiten der Bauelemente [2006.01]
	H01L 51/46	. .  Materialauswahl [2006.01]
	H01L 51/48	. .  Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01]
	H01L 51/50	.  besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED) (organische Halbleiterlaser H01S 5/36) [2006.01]
	H01L 51/52	. .  Einzelheiten der Bauelemente [2006.01]
	H01L 51/54	. .  Materialauswahl [2006.01]
	H01L 51/56	. .  Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon [2006.01]