Halbleiterbauelemente, die auf Licht ansprechen und für die direkte Umwandlung des Lichts in elektrische Energie zum Zweck der Bereitstellung elektrischer Energie (nicht zum Zweck der Detektion von Licht) ausgebildet sind.
Diese Gruppe und deren Untergruppen umfassen keine lichtempfindlichen organischen Bauelemente, die gemäß dem einschränkenden Querverweis nach
H01L 31/00 von
H01L 51/42
umfasst werden.
Diese Gruppe und deren Untergruppen umfassen ebenfalls keine elektrolytischen lichtempfindlichen Bauelemente, z.B. Farbstoffsolarzellen, welche von H01G 9/20 umfasst werden, wie gemäß dem einschränkenden Querverweis auf H01G 9/00 nach dem Unterklassentitel von H01L zum Ausdruck gebracht wird.
| Prüfen von photovoltaischen Bauelementen während der Herstellung | H01L 21/66 |
| Elektrolytische lichtempfindliche Bauelemente, z.B. Farbstoffsolarzellen | H01G 9/20 |
| Organische Solarzellen | H01L 51/42 |
| Prüfen von photovoltaischen Bauelementen nach der Herstellung | H02S 50/10 |
| Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten, bestehend aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen | H01L 27/146 |
| Elektroden auf der Zellebene | H01L 31/0224 |
| Bauelemente, in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotodetektoren | H01L 31/08 |
| Erzeugung von Wärme unter Verwendung von Sonnenstrahlung | F24S |
| Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Halbleiterdetektoren | G01T 1/24 |
| Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Widerstandsdetektoren | G01T 1/26 |
| Messen von Neutronenstrahlung mit Halbleiterdetektoren | G01T 3/08 |
| Verbinden von Lichtleitern mit optoelektronischen Bauelementen | G02B 6/42 |
| Anordnungen zur Gewinnung elektrischer Energie aus radioaktiven Quellen | G21H 1/12 |
| Elektrochemische Strom- oder Spannungserzeuger | H01M 6/00 - H01M 16/00 |
| Homoübergang | PN-Übergang, wobei die P- und N-Bereiche aus demselben Material, mit gleicher Zusammensetzung und gleicher Struktur gebildet sind (nur der Dotierungstyp ist unterschiedlich). |
| Heteroübergang | PN-Übergang, bestehend aus zwei verschiedenen Materialien, wobei der Unterschied in der Kristallstruktur und/oder der Zusammensetzung liegt (Beispiel: P-Typ - amorphes Silicium / N-Typ - kristallines Silicium). |
| PIN-Struktur | PN-Übergang mit einer dicken intrinsischen Schicht dazwischen, wobei die intrinsische Zwischenschicht den Hauptteil der absorbierenden Schicht bildet, d.h. keine
HIT®-Solarzellen.
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| HIT®-Solarzellen | Heteroübergang
mit dünner intrinsischer Schicht, d.h. PN-Strukturen beinhaltend eine sehr dünne intrinsische Zwischenschicht, die nicht die absorbierende Schicht der Struktur ist. |
| Tandem-Solarzelle | eine Vielzahl von Übergängen sind monolithisch übereinander geschichtet (für laterale Integrierung siehe H01L 27/142). |
| Schottky-Kontakt | gleichrichtender (nicht-ohmscher) Metall-Halbleiter-Kontakt. |
| Elemente der 14. Gruppe | früher als Elemente der Gruppe IVa (C, Si, Ge, Sn, Pb) bekannt. |
| Bauelemente für die Energie-Umwandlung | lichtempfindliche Bauelemente, die besonders zur Umwandlung von Licht in elektrische Energie ausgebildet sind, jedoch nicht zum Zweck der Detektion von Licht. |
| a-Si α-Si | amorphes Silicium |
| c-Si | kristallines Silicium |
| mc-Si muc-Si | mikrokristallines Silicium |
| poly-Si | polykristallines Silicium |
| PIN p-i-n | PN-Übergang mit dicker intrinsischer Schicht dazwischen |
| AIBIIICVI compound | I-III-VI Verbindungen, Chalkogenide, Chalkopyrite |
| CIS | CuInSe2 |
| CIGS | CuInGaSe2 |
| CIGSS | CuInGaSSe |
| TCO | Transparente elektrisch leitfähige Oxide |
| ITO | Indiumzinnoxid |
| AZO | mit Aluminium dotiertes Zinkoxid |
| GZO | mit Gallium dotiertes Zinkoxid |
| QW | Quantentopf [quantum well] |
| MQW | Mehrfachquantentopf [multiple quantum well] |
| HIT | Heteroübergang
mit dünner intrinsischer Schicht |
| PERL solar cell | Passivated Emitter Rear Locally Diffused [PERL]-Solarzelle |
| ARC | Antireflexionsschicht |
| MPPT | Maximum Power Point Tracking (Regeln auf den Punkt höchster Leistung) |
| MWT | Metal Metal Wrap Through |
| FMWT | Front Metal Wrap Through |
| EWT | Emitter Wrap Through |
| IBC | Solarzellen mit ineinander greifenden Rückseitenkontakten |
| Solarzellen | photovoltaische Zellen |