Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
Wichtige Querverweise für die Klassifizierung in dieser Gruppe
Beispiele von Klassifikationsstellen, die den technischen Sachverhalt dieser Unterklasse umfassen, sofern dieser besonders ausgebildet, für einen besonderen Zweck eingesetzt oder in ein größeres System eingebunden ist:
Verfahren oder Vorrichtungen zur Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
References relevant to classification in this group
Examples of places where the subject matter of this class is covered when specially adapted, used for a particular purpose, or incorporated in a larger system:
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof