Integrierte Bauelemente mit Schaltungselementen, die einzeln von der Hauptgruppe H10N 70/00 umfasst sind, z.B. Bauelemente mit Volumenschaltelementen wie Memristoren, die entweder mit Schaltungselementen der gleichen Art (z.B. Arrays) oder mit Schaltungselementen einer anderen Art (z.B. Halbleiterdioden, Transistoren) integriert sind.
Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit Bauelemente, die einzeln unter von der Gruppe H10N 70/00 umfasst sind.
Diese Gruppe umfasst integrierte Bauelemente und Baugruppen mit Volumenschaltelementen an sich. Die Anwendung oder der Einbau von integrierten Bauelementen und/oder Baugruppen mit Volumenschaltelementen in Systeme ist von den Unterklassen für die Systeme umfasst.
| Speicherbauelemente mit Widerstandsänderung [Resistance Change Memory Devices, ReRAM] | H10B 63/00 |
| Phasenwechsel-RAM [PCRAM, PRAM] Bauelemente | H10B 63/10 |
| Widerstands- oder Schmelzsicherungs-Arrays - integriert mit Übergangsdioden - integriert mit Transistoren | H10B 20/00 |
| Volumenschaltelementen | H10N 70/00 |
| Bauelemente, die Schaltungselemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen differenziellen Widerstand integrieren, z.B. Gunn-Elemente | H10N 89/00 |