Integrierte Bauelemente mit Schaltungselementen, die einzeln von der Gruppe H10N 50/00, z.B. galvanomagnetische Bauelemente, oder von der Gruppe H10N 52/00, z.B. Hall-Effekt-Bauelemente, umfasst sind, entweder mit Schaltungselementen der gleichen Art (z.B. Sensor-Arrays) oder mit Schaltungselementen einer anderen Art (z.B. Halbleiterdioden, Transistoren).
Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit Bauelemente, die einzeln von der Gruppe H10N 50/00 oder H10N 52/00 umfasst sind und die nicht an anderer Stelle in der IPC vorgesehen sind.
Diese Gruppe umfasst integrierte Bauelemente und Baugruppen mit galvanomagnetischen oder Halleffekt-Elementen an sich. Die Anwendung oder der Einbau von integrierten Bauelementen und/oder Baugruppen mit galvanomagnetischen oder Hall-Effekt-Elementen in Systemen sind von den Unterklassen für die Systeme umfasst, z.B. digitale Speicher, magnetische Aufzeichnungsköpfe usw.
| Magnetische Speicherbauelemente | H10B 61/00 |
| Messung magnetischer Größen; Magnetometer | G01R 33/06 |
| Magnetometer mit Hall-Effekt- Bauelementen | G01R 33/07 |
| Magnetometer mit MR-Bauelementen | G01R 33/09 |
| Digitale Speicher mit magnetischen Schichten | G11C 11/15 |
| Digitale Speicher mit Spineffekten | G11C 11/16 |
| Digitale Speicher mit Halleffekt- Bauelementen | G11C 11/18 |
| Elektronische Schaltkreise oder elektronisches Austasten mit Hall-Effekt-Bauelementen | H03K 17/90 |
| Logische Schaltkreise mit galvanomagnetischen oder Halleffekt-Bauelementen | H03K 19/18 |
| Magnetoresistive Bauelemente und galvanomagnetische Bauelemente, soweit nicht anders vorgesehen | H10N 50/00 |
| Hall-Effekt- Bauelemente | H10N 52/00 |