Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand als Polarisationszustand eines ferroelektrischen Materials innerhalb eines Kondensators, z.B. in einem ferroelektrischen Kondensator-Dielektrikum, gespeichert ist. Auf die Zelle wird mit einem Auswahlschaltungselement zugegriffen und diese kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden.
| Schaltungen von FeRAM- Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf FeRAM- Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge) | G11C 11/22 |
| DRAM | H10B 12/00 |
| Ferroelektrische Speicherbauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren | H10B 51/00 |