Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand als Ladung auf einem ladungseinfangenden Gate-Dielektrikum gespeichert ist. Die Speicherzelle kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden.
| Speichertransistoren an sich, bei denen die Ladung in einer isolierenden ladungseinfangenden Schicht gespeichert wird | H01L 29/792 |
| Schaltungen von EEPROM- Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf EEPROM- Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge) | G11C 16/04 |
| EEPROM- Bauelemente mit Floating-Gates | H10B 41/00 |
| Ferroelektrische Speicherbauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren | H10B 51/00 |