H10B 10/00

Definition

Diese Klassifikationsstelle umfasst:

Speicherbauelemente mit mehreren flüchtigen Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand in einem von zwei stabilen Zuständen eines kreuzgekoppelten Inverters gespeichert wird. SRAM-Zellen haben in der Regel vier oder mehr Transistoren.

Querverweise

Informative Querverweise

Schaltungen von SRAM-Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf SRAM-Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge)

G11C 11/41

Synonyme und Stichwörter

Spezialbedeutungen

Vcc oder Vdd	Hochspannungsversorgung
Vss	Niederspannungsversorgung (oder Masseanschluss)
Pull-up [PU] / Load	Bezieht sich auf Komponenten im Flip-Flop, die mit Vcc verbunden sind
Pull-down [PD] / Drive	Bezieht sich auf Komponenten im Flip-Flop, die mit Vss verbunden sind
Pass-Gate [PG], Zugriffstransistor/-gate, Auswahltransistor/-gate, Transfertransistor/-gate	Bezieht sich auf Transistoren, die den Zugriff auf das Flip-Flop steuern
kreuzgekoppelter Inverter (oder Flip-Flop oder Latch)	Bi-stabile Schaltung zur Speicherung von Informationen