H10

• ein elektrisches Schaltungselement (z.B. Diode, Transistor, LED, etc.);

• kann sich (je nach Zusammenhang) auch auf ein integriertes Bauelement (z.B. CMOS-IC, DRAM-Bauelement, etc.) beziehen.

Ein Bauelement kann in Form eines freiliegenden oder verpackten Chips vorliegen.

ein Bauelement, das aus einer Vielzahl von Halbleiter- oder anderen elektrischen Festkörper-Schaltungselementen besteht, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind.

ein integriertes Bauelement, bei dem alle elektrischen Schaltungselemente (z.B. Dioden, Transistoren, LEDs, etc.) in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, einschließlich der Verbindungsleitungen zwischen den Elementen.

ein elektrisches Schaltungselement (z.B. Diode, Transistor, LED, etc.), das eines von mehreren Elementen ist, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, z.B. in einem integrierten Bauelement.

kann eines der Folgenden sein:

(a) eine Scheibe eines Halbleiters oder eines elektrisch aktiven Festkörpermaterials.

Zum Beispiel:

• eine Scheibe Silizium;
• eine Scheibe einer halbleitenden Verbindung, z.B. Galliumnitrid [GaN];
• eine Scheibe Lithiumtantalat [LiTaO3] für Supraleiter-Anwendungen.

(b) ein mehrschichtiges Laminat mit mindestens einer Schicht aus Halbleiter- oder elektrisch aktivem Festkörpermaterial, wobei die Schicht zur Weiterverarbeitung zu Bauelementen bestimmt ist.

Zum Beispiel:

• Silizium-auf-Isolator [SOI];
• Silizium-auf-Glas [SOG];
• Silizium-auf-Saphir [SOS];
• ein Verbundwafer, der Siliziumkarbid [SiC] auf einem Träger aus polykristallinem Silizium [Si] umfasst;
• eine Schicht aus halbleitenden Nanodrähten auf Glas.

Ein Wafer wird typischerweise weiterverarbeitet mittels (z.B.) Ablagerung, Ätzen, Dotieren oder Diffusion, und wird dann typischerweise vereinzelt zu Chips.

der Bereich aus Halbleitermaterial (bzw. Festkörpermaterial), in dem oder an dessen Oberfläche die für das Bauelement charakteristischen physikalischen Effekte auftreten, sowie alle angrenzenden Halbleitermaterialien (bzw. Festkörpermaterialien), die an diesen Bereich angrenzen.

Beispiele:

• in einem Feldeffekttransistor [FET] treten die physikalischen Effekte im Kanalgebiet (Body) zwischen Source und Drain auf. Der Halbleiterkörper umfasst das Kanalgebiet, das Source- und das Drain-Gebiet sowie alle angrenzenden Halbleitermaterialien;
• in einer Leuchtdiode [LED] treten die physikalischen Effekte an einem Übergang von aktiven Halbleiterschichten auf. Der Halbleiterkörper umfasst diese aktiven Halbleiterschichten und alle angrenzenden Halbleiterschichten, wie z.B. Pufferschichten, möglicherweise ein Wachstumssubstrat, etc., die sich zwischen Kathoden- und Anodenelektrode befinden;
• in einem thermoelektrischen Bauelement umfasst der Festkörper alle Festkörpermaterialien im Strompfad zwischen den Elektroden.

ein leitendes Gebiet im oder auf dem Halbleiterkörper oder Festkörper eines Bauelements (und nicht der Körper selbst), das einen elektrischen Einfluss auf den Körper ausübt, unabhängig davon, ob eine externe elektrische Verbindung damit hergestellt wird oder nicht.

Der Begriff umfasst metallische Bereiche, die über einen isolierenden Bereich einen elektrischen Einfluss auf den Körper ausüben (z.B. bei beabsichtigter nichtparasitärer kapazitiver Kopplung), oder induktive Kopplungsanordnungen. Bei einer kapazitiven Kopplungsanordnung wird der dielektrische Bereich als Teil der Elektrode betrachtet.

Die gesamte leitende Verdrahtung kann aus mehreren Teilen bestehen. In einem solchen Fall werden nur die Teile der Verdrahtung, die einen elektrischen Einfluss auf den Körper ausüben, als Teile der Elektrode betrachtet.

Beispiele:

• leitende Schicht(en) in direktem physischen Kontakt mit dem Körper;
• leitender Bereich/leitende Bereiche, der/die eine induktive Kopplung auf den Körper ausübt/ausüben;
• eine mehrschichtige Struktur, die über einen isolierenden Bereich Einfluss auf den Körper ausübt, z.B. bei beabsichtigter nichtparasitärer kapazitiver Kopplung.

eine leitende Anordnung zur Leitung von elektrischem Strom von einer Elektrode eines Schaltungselements zu einem anderen Teil der Schaltung. Beispiele sind Metalldrähte.

eine feste Konstruktion, in der (ein oder mehrere) Bauelemente untergebracht sind oder die um die Bauelemente herum gebildet wird, um verpackte Bauelemente zu bilden. Ein Gehäuse erfordert eine teilweise oder vollständige Umhüllung und kann auch eine Füllung enthalten.

eine Umhüllung aus (einer oder mehreren) Schichten, z.B. aus organischen Polymeren, die die Bauelemente (ein oder mehrere) zumindest teilweise umschließen und dadurch schützen. Eine Einkapselung wird häufig verwendet, um Bauelemente hermetisch abzudichten.

bezieht sich auf die Halbleitertechnologie, bei der eine an eine Gate-Elektrode angelegte Spannung ein elektrisches Feld erzeugt, das die Steuerung des Stroms in der Nähe der Grenzfläche zwischen Gate und Körper ermöglicht, z.B. um einen Inversionskanal zwischen Source und Drain eines MOSFET zu erzeugen.

bezieht sich auf die Halbleitertechnologie, bei der hauptsächlich nur eine Art von Ladungsträgern zum Einsatz kommt, d.h. entweder Löcher oder Elektronen, aber nicht beide.

bezieht sich auf die Halbleitertechnologie, bei der mehrere Arten von Ladungsträgern zum Einsatz kommen, d.h. mit gleichzeitiger Verwendung von Elektronen und Löchern als Ladungsträger.

Metall-Isolator-Halbleiter

Metall-Oxid-Halbleiter

Feldeffekt-Transistor

Metall-Isolator-Halbleiter Feldeffekt-Transistor

Dünnfilm-Transistor