H04N 25/778

Definition

Adressierte Sensoren mit Pixelstrukturen, in denen eine Mehrzahl von Fotodioden bereitgestellt ist. Entsprechende Transfer Gates werden verwendet, um die in den Fotodioden angesammelten Ladungen zu einer schwebenden Diffusion zu übertragen, und die schwebende Diffusion wird mit einem Gate eines verstärkenden Transistors verbunden. Der Verstärker ist innerhalb der Pixelmatrix implementiert.

Beziehungen zu anderen Klassifikationsstellen

Passive Pixelsensoren, die einen gemeinsam benutzten Verstärker pro Spalte umfassen, werden in Gruppe H04N 25/76 klassifiziert.

Aktive Pixelsensoren, die spaltenparallele Verstärker umfassen, werden in Gruppe H04N 25/78 klassifiziert.

Spezielle Klassifizierungsregeln

Wo geteilte Pixelstrukturen für unterschiedliche Anwendungen genutzt werden, wird ebenfalls in den der Anwendung entsprechenden Gruppen klassifiziert. Wenn zum Beispiel Ladungen der gemeinsam genutzten Fotodioden bei der schwebenden Diffusion zusammengefasst (gebinnt) werden, wird zusätzlich in H04N 25/46 klassifiziert. Wo gemeinsam benutzte Fotodioden unterschiedliche Empfindlichkeiten haben, wird zusätzlich in H04N 25/585 klassifiziert. Pixel, die besonders angepasst sind zum Fokussieren (z.B. Phasendifferenz-Pixel-Sets), werden zusätzlich in H04N 25/704 klassifiziert.