Photovoltaische Bauelemente, wobei die Sperrschicht aus einer PIN-Struktur besteht und die intrinsische Schicht die lichtabsorbierende Schicht ist.
NB: Die meisten Solarzellen mit PIN-Struktur sind aus a-Si mit einer dickeren I-Schicht zwischen dünneren P- und N-Schichten gefertigt.
Fotodetektoren mit PIN-Struktur | H01L 31/105 |
PN-Strukturen beinhaltend eine sehr dünne intrinsische Zwischenschicht, die nicht die absorbierende Schicht der Struktur ist, werden als PN-Heteroübergänge betrachtet, die von Gruppe H01L 31/0747 umfasst sind.