Gegenstand der Untergruppe
G03F 1/68,
wobei die Herstellungsverfahren zum Anpassen des grundlegenden Layouts von gemusterten und Strahlung modifizierenden Produkten an eine lithografische Verfahrensanforderung dienen, umfassend Verfahren zum Anpassen, Modifizieren oder Korrigieren der grundlegenden Muster für eine Strahlungsmaske zur Benutzung für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen (z.B. zweite Iterationskorrektur eines Maskenmusters für die Bildgebung).
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Proximity Correction Layouts oder Entwurfsprozesse für die Herstellung von Masken mit Strukturen zur Proximity Correction, z.B. OPC-Strukturen
| G03F 1/36 |
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Rechnergestütztes Entwurfsystem allgemein
| G06F 30/00 |