Gegenstand der Hauptgruppe
G03F 1/00,
wobei die gemusterten und Strahlung modifizierenden Produkte Masken sind, wobei die Maske ein Muster hat, das eine Struktur zur Proximity Correction oder eine veränderte Dimension einer abzubildenden Struktur umfasst (z.B. Resolution- Enhancement-Techniken, Reduzierung von Nebenkeulenbildung zwischen eng benachbarten Mustern) zur Verbesserung eines resultierenden, dadurch geformten, abgebildeten Musters, und wobei die Herstellungsverfahren auf die Herstellung von solchen Masken mit Strukturen zur Proximity Correction (z.B. "optimal proximity correction [OPC]" Entwurfsverfahren) gerichtet ist.
(1) Anmerkung: Die Proximity Correction befasst sich mit Problemen, die aus der Miniaturisierung von Mustern für Strahlung modifizierende Masken entstehen, die typischerweise in der Degradation des Musters resultieren, wobei die Degradation nicht gleichförmig zwischen Arten des Musters, wie z.B. Linien- und Raum-Muster, isolierte Muster usw., ist.
(2) Anmerkung: Die Strukturen zur Proximity Correction können unteraufgelöste Muster (z.B. Serifen, Hilfsstrukturen wie sub-resolution assist features [SRAF] oder assist bars) oder modifizierte Muster (z.B. verzerrt) sein, um optische Nachbarschaftseffekte im grundlegenden Entwurf eines Maskenmusters zu kompensieren. Alternativ können die Strukturen zur Proximity Correction Dummy-Muster sein, die in einem freien Bereich eines Maskenmusters platziert werden zur Reduktion von (lokalen) Inhomogenitäten eines (z.B. Entwicklungs- und/oder Ätz-) Prozesses in Folge von Nachbarschaftseffekten.
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Anpassung des grundlegenden Entwurfs oder Aufbaus einer Maske an die Anforderungen eines lithografischen Verfahrens zur Herstellung von Masken ohne Strukturen zur Proximity Correction
| G03F 1/70 |
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Rechnergestütztes Entwurfssystem allgemein
| G06F 30/00 |