Gegenstand der Untergruppe
G03F 1/26,
wobei die Phasenverschiebungsmaske (PSM) eine abschwächende Region hat, die eine phasenverschobene ausgehende Strahlung erzeugt mit verschiedener Phase im Vergleich zu Strahlung, die durch die nicht-abschwächende klare Region der abschwächenden Phasenverschiebungsmaske (PSM) erzeugt wird (z.B. Phasenverschiebungsmasken mit semi-transparenten Phasenverschiebungsteilen, Halbton-PSM), und wobei das Herstellungsverfahren auf die Herstellung von solch einer abschwächenden Phasenverschiebungsmaske (att-PSM) gerichtet ist.
(1) Anmerkung: In diesen abschwächenden Phasenverschiebungsmasken (att-PSM, Halbton-PSM) ist die abschwächende oder Halbton-Region teilweise durchlässig und stellt eine Phasenverschiebung der ausgehenden Strahlung bereit. Der Grad der Phasenverschiebung und der Durchlässigkeit der abschwächenden Phasenverschiebungs-Region hängt vom Material und der Dicke der abschwächenden Phasenverschiebungs-Region ab, sowie von der Wellenlänge der Strahlung. Solch eine abschwächende Phasenverschiebungs-Region oder Halbton-Phasenverschiebungs-Region kann durch das Hinzufügen eines geeigneten Materials passender Dicke gebildet werden, durch Reduzierung der Dicke einer vorher gebildeten Schicht (ein tragendes Substrat der abschwächenden Phasenverschiebungsmaske oder eine zusätzliche Schicht darauf), oder durch andere Nachbehandlung eines Teilbereiches der abschwächenden Phasenverschiebungsmaske (wie das selektive Dotieren oder die Ionenimplantation).
(2) Anmerkung: Eine abschwächende Phasenverschiebungs-Region kann durch ausreichende Dickenreduktion eines normalerweise lichtundurchlässigen Absorberschichtmaterials erzeugt werden, wie eine dünne Schicht aus Chrom (Cr), oft "leaky chrome" genannt.