Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; ihre Herstellung. Diese Unterklasse beinhaltet Verfahren und Vorrichtungen zum
| Erzeugung von Diamanten durch Anwendung von Ultra-Hochdruck | B01J 3/06 |
| Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen | C22B |
| Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen | B22D |
| Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen | C21D, C22F |
| Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen; Halbleiterbauelemente, die durch ihre kristalline Struktur oder besondere Orientierung von Kristallflächen gekennzeichnet sind | H01L, H10 |
| Trennen durch Kristallisation allgemein | B01D 9/00 |
| Schleifen oder Polieren von Kristallen | B24B |
| Bearbeiten von Stein oder steinähnlichen Werkstoffen, z.B. Ziegelstein oder Beton, soweit nicht anderweitig vorgesehen | B28D 1/32 |
| Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen oder Kristallen | B28D 5/00 |
| Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials | C23C 14/00 |
| Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug | C23C 16/00 |
| Untersuchen oder Analysieren von biologischen Kristallen | G01N 33/48 |
| Photonische Kristalle | G02B, G02F |
Die Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Strukturaus besonderen Stoffen oder von besonderen Formen betreffende Sachverhalte, werden sowohl in die Gruppe für das Herstellungsverfahren als auch in die Gruppe C30B 29/00 klassifiziert.
Vorrichtungen, die besonders für ein bestimmtes Verfahren ausgebildet sind, werden in die entsprechenden Gruppe für das Verfahren klassifiziert. Vorrichtungen, die für mehr als eine Art von Verfahren benutzt werden können, werden in Gruppe C30B 35/00 klassifiziert.
| Amorph | Beschreibung eines Feststoffes ohne kristalline Gitterstruktur im Fernbereich. |
| Kristall | Feststoff, dessen Atome oder Moleküle auch im Fernbereich in einer sich regelmäßig wiederholenden Gitterstruktur angeordnet sind. |
| Definierte Struktur | Struktur eines Feststoffes, dessen Korn in einer Vorzugsrichtung orientiert ist oder größere Dimensionen aufweist, als sie normalerweise erhalten werden. |
| Epitaxie | Wachstum einer kristallinen Schicht auf einem Substrat dergestalt, dass der gebildete Kristall eine bestimmte kristallographische Beziehung zu dem Substrat aufweist. |
| Eutektisch | Beschreibung einer Mischung oder Lösung, die zwei oder mehr Phasen einer Zusammensetzung mit niedrigstmöglichem Schmelzpunkt aufweist und die Phasen bei dieser Temperatur gleichzeitig aus der Lösung kristallisieren. |
| Homogenes polykristallines Material | Stoff mit Kristallteilchen, die alle die gleiche chemische Zusammensetzung aufweisen. |
| Gitter | eine geordnete Anordnung von Atomen oder Molekülen innerhalb eines Feststoffes. |
| Orientierter Kristall | eine polykristalline Struktur in welcher die Körner üblicherweise in einer Vorzugsrichtung orientiert sind; wie sie z.B. durch Säulenwachstum erhalten wird. |
| Keim | Materialien, üblicherweise selber ein kleiner Einkristall, auf dem ein Einkristall wächst; das Keimkristallwachstum erfolgt durch Ausrichtung der Atome oder Moleküle oder Cluster in einer thermodynamisch bevorzugten Anordnung, die von der Natur des Keims bestimmt wird. |
| Einkristall | Feststoff, dessen Atome oder Moleküle auch im Fernbereich in einer sich regelmäßig wiederholenden Gitterstruktur angeordnet sind. Schließt auch Zwillingskristalle ein und Produkte, die hauptsächlich aus Einkristallen bestehen. |
| Übergitter | Einkristall, dessen innere Struktur mehr als zwei Schichten aufweist; die Zusammensetzung jeder Schicht unterscheidet sich von der nächsten benachbarten Schicht. |
| Zwillingskristall | kristallines Material, in welchem die angrenzenden Kristallgitter spiegelsymmetrisch zueinander angeordnet sind; die Grenzfläche zwischen angrenzenden Kristallen wird als Zwillingsebene bezeichnet. |
| Zonenschmelzen | Verfahren zur Bildung eines Kristallkörpers durch Aufschmelzen einer Zone eines Startmaterials, anschließendem Abkühlen und Kristallisieren, wobei entweder die Aufschmelzzone oder das Startmaterial verschoben wird, so dass das ganze Startmaterial oder ein Teil davon in einen Kristallkörper überführt wird. |