H10N 50/00

Definition

Diese Klassifikationsstelle umfasst:

Galvanomagnetische Bauelemente, bei denen ein externes Magnetfeld oder ein spinpolarisierter Strom die Eigenschaften eines elektrischen Stroms, z.B. Amplitude, Richtung oder elektronischer Spin, durch einen Festkörper direkt beeinflussen.

Dies umfasst Bauelemente auf der Grundlage von:

Diese Gruppe umfasst galvanomagnetische Bauelemente, die für mehrere technische Bereiche relevant sind oder die nicht auf eine bestimmte Anwendung beschränkt sind, d.h. galvanomagnetische Bauelemente im Allgemeinen. Aspekte wie deren Struktur, aktive Materialien und Herstellung werden hier klassifiziert.

Beziehungen zu anderen Klassifikationsstellen

Diese Gruppe umfasst galvanomagnetische Bauelemente an sich. Die Anwendung oder der Einbau von galvanomagnetischen Bauelemente in Systeme ist von den Unterklassen für die Systeme umfasst, z. B. MRAM-Speicher, magnetische Aufzeichnungsköpfe usw.

Querverweise

Einschränkende Querverweise

Diese Klassifikationsstelle umfasst nicht:
Gewöhnliche Hall-Effekt- Bauelemente
H10N 52/00
Integrierte Bauelemente oder Baugruppen mit galvanomagnetischen oder Hall-Effekt-Elementen
H10N 59/00

Nichteinschränkende Querverweise in anwendungsorientierte Klassifikationsstellen

Isolationskoppler in elektrischen Sensoren
G01R 15/20
Anordnungen zum Messen der elektrischen Leistung oder des Leistungsfaktors
G01R 21/08
Magnetometer mit galvanomagnetischen Vorrichtungen
G01R 33/06
Magnetometer mit MR- Bauelementen
G01R 33/09
Magnetische Aufzeichnungsköpfe – mit galvanomagnetischen Vorrichtungen
G11B 5/37
Magnetische Aufzeichnungsköpfe – mit MR-Vorrichtungen
G11B 5/39
MRAM-Anordnungen
H10B 61/00

Informative Querverweise

Spannungs- oder Stromregler
G05F 1/635
Digitale Speicher mit mehreren magnetischen Schichten
G11C 11/15
Digitale Speicher mit Spineffekt
G11C 11/16
Dünne magnetische Schichten mit Spin-Austausch-gekoppelten Vielschichtstrukturen
H01F 10/32
Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzial-Sperrschicht, z.B. Dioden oder Transistoren, die durch ein Magnetfeld steuerbar sind
H01L 29/82
Frequenzgeneratoren
H03B 15/00
Verstärker
H03F 15/00
Impulsgeneratoren mit galvanomagnetischen Bauelementen
H03K 3/59
Elektronische Schaltkreise oder elektronisches Austasten mit galvanomagnetischen Bauelementen
H03K 17/90
Logische Schaltkreise mit galvanomagnetischen Bauelementen
H03K 19/18

Synonyme und Stichwörter

Abkürzungen

AMR

anisotroper Magnetowiderstand

CMR

kolossaler Magnetowiderstand

EMR

außergewöhnlicher Magnetowiderstand

GMR

Riesenmagnetowiderstand

OMR

gewöhnlicher Magnetowiderstand

XMR

extremer Magnetowiderstand; entweder GMR oder TMR

MR

Magnetowiderstand

MTJ

Magnetischer Tunnelübergang; MR-Tunnelübergang

Spin-FET

FET mit spinpolarisiertem Ladungsträgertransport

STJ

Spin-Tunnel-Übergang

TMR

Tunnelmagnetowiderstand

STT

Spin-Transfer-Drehmoment

FM

ferromagnetisch

NM

nicht-magnetisch

AF

anti-ferromagnetisch

SOT

Spin-Bahn-Drehmoment

TI

topologischer Isolator

DW

Domänenwand

YIG

Yttrium-Eisen-Granat


H10N 50/00

Definition Statement

This place covers:

Galvanomagnetic devices, wherein an external magnetic field or a spin-polarised current directly influence properties of an electric current, e.g. amplitude, direction, or electronic spin, through a solid-state body.

These include devices based on:

This group covers galvanomagnetic devices which are pertinent to several technical fields or which are not limited to a particular application, i.e. galvanomagnetic devices in general. Aspects such as their structure, active materials, and fabrication are classified here.

Relationships with other classification places

This group covers galvanomagnetic devices per se. The application or incorporation of galvanomagnetic devices in systems are covered by subclasses for the systems, e.g. MRAM memory, magnetic recording heads etc.

References

Limiting references

This place does not cover:
Ordinary Hall-effect devices
H10N 52/00
Integrated devices or assemblies comprising galvanomagnetic or Hall-effect elements
H10N 59/00

Application-oriented references

Isolation couplers in electrical sensors
G01R 15/20
Arrangements for measuring electrical power or power factor
G01R 21/08
Magnetometers using galvanomagnetic devices
G01R 33/06
Magnetometers using MR devices
G01R 33/09
Magnetic recording heads – using galvanomagnetic devices
G11B 5/37
Magnetic recording heads – using MR devices
G11B 5/39
MRAM arrangements
H10B 61/00

Informative references

Voltage or current regulators
G05F 1/635
Digital memories using magnetic layers
G11C 11/15
Digital memories using spin effects
G11C 11/16
Thin magnetic films with spin-exchange-coupled multi-layers
H01F 10/32
Semiconductor devices with at least one potential barrier, e.g. diodes or transistors, controllable by a magnetic field
H01L 29/82
Frequency generators
H03B 15/00
Amplifiers
H03F 15/00
Pulse generators using galvanomagnetic devices
H03K 3/59
Electronic switching circuits or gating using galvanomagnetic devices
H03K 17/90
Logic circuits using galvanomagnetic devices
H03K 19/18

Synonyms and Keywords

Abbreviations

AMR

anisotropic magnetoresistance

CMR

colossal magnetoresistance

EMR

extraordinary magnetoresistance

GMR

giant magnetoresistance

OMR

ordinary magnetoresistance

XMR

extreme magnetoresistance; any of GMR or TMR

MR

magnetoresistance

MTJ

magnetic tunnel junction; MR tunnel junction

Spin-FET

FET using spin-polarised carrier transport

STJ

spin tunnel junction

TMR

tunnel magnetoresistance

STT

spin-transfer torque

FM

ferromagnetic

NM

non-magnetic

AF

anti-ferromagnetic

SOT

spin-orbit torque

TI

topological insulator

DW

domain wall

YIG

yttrium iron garnet