Galvanomagnetische Bauelemente, bei denen ein externes Magnetfeld oder ein spinpolarisierter Strom die Eigenschaften eines elektrischen Stroms, z.B. Amplitude, Richtung oder elektronischer Spin, durch einen Festkörper direkt beeinflussen.
Dies umfasst Bauelemente auf der Grundlage von:
Diese Gruppe umfasst galvanomagnetische Bauelemente, die für mehrere technische Bereiche relevant sind oder die nicht auf eine bestimmte Anwendung beschränkt sind, d.h. galvanomagnetische Bauelemente im Allgemeinen. Aspekte wie deren Struktur, aktive Materialien und Herstellung werden hier klassifiziert.
Diese Gruppe umfasst galvanomagnetische Bauelemente an sich. Die Anwendung oder der Einbau von galvanomagnetischen Bauelemente in Systeme ist von den Unterklassen für die Systeme umfasst, z. B. MRAM-Speicher, magnetische Aufzeichnungsköpfe usw.
Gewöhnliche Hall-Effekt- Bauelemente | H10N 52/00 |
Integrierte Bauelemente oder Baugruppen mit galvanomagnetischen oder Hall-Effekt-Elementen | H10N 59/00 |
Isolationskoppler in elektrischen Sensoren | G01R 15/20 |
Anordnungen zum Messen der elektrischen Leistung oder des Leistungsfaktors | G01R 21/08 |
Magnetometer mit galvanomagnetischen Vorrichtungen | G01R 33/06 |
Magnetometer mit MR- Bauelementen | G01R 33/09 |
Magnetische Aufzeichnungsköpfe – mit galvanomagnetischen Vorrichtungen | G11B 5/37 |
Magnetische Aufzeichnungsköpfe – mit MR-Vorrichtungen | G11B 5/39 |
MRAM-Anordnungen | H10B 61/00 |
Spannungs- oder Stromregler | G05F 1/635 |
Digitale Speicher mit mehreren magnetischen Schichten | G11C 11/15 |
Digitale Speicher mit Spineffekt | G11C 11/16 |
Dünne magnetische Schichten mit Spin-Austausch-gekoppelten Vielschichtstrukturen | H01F 10/32 |
Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzial-Sperrschicht, z.B. Dioden oder Transistoren, die durch ein Magnetfeld steuerbar sind | H01L 29/82 |
Frequenzgeneratoren | H03B 15/00 |
Verstärker | H03F 15/00 |
Impulsgeneratoren mit galvanomagnetischen Bauelementen | H03K 3/59 |
Elektronische Schaltkreise oder elektronisches Austasten mit galvanomagnetischen Bauelementen | H03K 17/90 |
Logische Schaltkreise mit galvanomagnetischen Bauelementen | H03K 19/18 |
Galvanomagnetic devices, wherein an external magnetic field or a spin-polarised current directly influence properties of an electric current, e.g. amplitude, direction, or electronic spin, through a solid-state body.
These include devices based on:
This group covers galvanomagnetic devices which are pertinent to several technical fields or which are not limited to a particular application, i.e. galvanomagnetic devices in general. Aspects such as their structure, active materials, and fabrication are classified here.
This group covers galvanomagnetic devices per se. The application or incorporation of galvanomagnetic devices in systems are covered by subclasses for the systems, e.g. MRAM memory, magnetic recording heads etc.
Ordinary Hall-effect devices | H10N 52/00 |
Integrated devices or assemblies comprising galvanomagnetic or Hall-effect elements | H10N 59/00 |
Isolation couplers in electrical sensors | G01R 15/20 |
Arrangements for measuring electrical power or power factor | G01R 21/08 |
Magnetometers using galvanomagnetic devices | G01R 33/06 |
Magnetometers using MR devices | G01R 33/09 |
Magnetic recording heads – using galvanomagnetic devices | G11B 5/37 |
Magnetic recording heads – using MR devices | G11B 5/39 |
MRAM arrangements | H10B 61/00 |
Voltage or current regulators | G05F 1/635 |
Digital memories using magnetic layers | G11C 11/15 |
Digital memories using spin effects | G11C 11/16 |
Thin magnetic films with spin-exchange-coupled multi-layers | H01F 10/32 |
Semiconductor devices with at least one potential barrier, e.g. diodes or transistors, controllable by a magnetic field | H01L 29/82 |
Frequency generators | H03B 15/00 |
Amplifiers | H03F 15/00 |
Pulse generators using galvanomagnetic devices | H03K 3/59 |
Electronic switching circuits or gating using galvanomagnetic devices | H03K 17/90 |
Logic circuits using galvanomagnetic devices | H03K 19/18 |