H10B 69/00
Definition
Diese Klassifikationsstelle umfasst:Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand löschbar und neu programmierbar ist, ausgenommen solche, die von H10B 41/00-H10B 63/00 umfasst sind.
Beispiele hierfür sind:
- EPROM-Bauelemente, die durch UV-Bestrahlung gelöscht werden können (“UV-EPROM”);
- Arten von EEPROM-Bauelementen, die nicht von Gruppen H10B 41/00-H10B 63/00 umfasst sind, wie etwa solche, die durch Anlegen einer hohen Spannung global gelöscht werden.
Querverweise
Informative Querverweise
Schaltungen von und Zugriff auf EEPROMs
| G11C 16/00 |
H10B 69/00
Definition Statement
This place covers:Non-volatile memory devices having multiple memory cells, wherein in each cell, the logic state is erasable and reprogrammable, other than those covered by H10B 41/00-H10B 63/00. Examples include:
- EPROM devices such as those that are erased by UV exposure (“UV-EPROM”)
- Types of EEPROM devices that are not covered by groups H10B 41/00-H10B 63/00, such as those that are globally erased by applying a high voltage.
References
Informative references