H10B 63/00

Definition

Diese Klassifikationsstelle umfasst:

Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand als ein Zustand mit hohem oder niedrigem Widerstand gespeichert ist. Die Speicherzelle kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden.

Beispiele hierfür sind:

• Speicher mit Bildung leitfähiger Filamente (Conductive Bridge Memory) [CBRAM];
• Speicher basierend auf Bulk-Defektstellenbildung (bulk electronic defect-based memory);
• Phasenwechsel-Speicher [PCRAM]; und
• Ovonic-threshold Bauelemente.
  
  

Querverweise

Informative Querverweise

Schaltungen von Speicherbauelementen mit variablem Widerstand (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf Speicherbauelemente mit variablem Widerstand (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge)	G11C 13/00, G11C 11/56
Speicherzellen mit Widerstandsänderung	H10N 70/20

H10B 63/00

Definition Statement

This place covers:

Non-volatile memory devices having multiple memory cells, wherein in each cell, the logic state is stored as a high or low resistance state. The memory cell can be electrically erased and reprogrammed.

Examples include:

• conductive bridge memory [CBRAM]
• bulk electronic defect-based memory,
• phase change memory [PCRAM], and
• Ovonic threshold devices

References

Informative references

Circuits (e.g. data buffers, decoders, amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of variable-resistance memory devices	G11C 13/00, G11C 11/56
Resistance change memory cells	H10N 70/20